【課題】 搬送ワークの搬送中に生じるヨーイングを搬送しながら補正できるヨーイング補正機構を提供すること。
【解決手段】 搬送ワーク５の側部を保持する保持装置３と、レール６に沿って保持装置３をワーク送り方向Ｘに搬送する走行装置２と、保持装置３を走行装置２のワーク送り方向前部及び後部で支持する支持機構３１，３２とを備え、支持機構３１，３２は、走行装置２に設けた駆動軸の軸線O₁ ，O₂ に対して所定の偏心量ｅで前部又は後部の一方がワーク送り方向Ｘに偏心した位置で、他方がワーク送り方向Ｘと交差する方向に偏心した位置で保持装置３と係合する軸線O₃ を具備した偏心軸３８を有し、搬送ワーク５のヨーイングを、偏心軸３８の軸線O₃ を駆動軸３６，３７の軸線O₁ ，O₂ を中心に回動させることで保持装置３と走行装置２との位置を相対移動させて補正する。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有するＣＺＴＳ系薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】ＣＺＴＳ系薄膜太陽電池は、基板１と、基板１上に形成した金属裏面電極層２と、金属裏面電極層２上に形成したｐ型ＣＺＴＳ系光吸収層３と、ｐ型ＣＺＴＳ系光吸収層３上に形成したｎ型透明導電膜５と、を備え、ｐ型ＣＺＴＳ系光吸収層３と金属裏面電極層２との界面に、ＺｎＳ系小粒子の分散層３０を有する。 （もっと読む）

【課題】近赤外領域における吸収波長範囲が広く光電変換効率の向上可能な新規なスクアリリウム色素と、これを用いた光電変換素子及び色素増感太陽電池及び光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表わされる光電変換素子用のスクアリリウム色素である。
式中、Ｒ₁及びＲ₂はそれぞれ独立にＣ１〜Ｃ３０のアルキル基又はＣ１〜Ｃ３０のハロゲン置換アルキル基である。環Ａ₁、Ａ₂及びＡ₃は各々独立して、５又は６員環構造を有する環であり、環Ａ₁及びＡ₃の環構造は含窒素複素環であり、Ａ₁、Ａ₂及びＡ₃は縮合して縮合環を形成している。
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【課題】本発明は、太陽光の吸収率が高く且つ光電変換効率が高い太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、順に配列し且つ互いに接触する第一電極と、Ｐ型シリコン層と、Ｎ型シリコン層と、第二電極と、反射素子と、を含む。第一電極とＰ型シリコン層とＮ型シリコン層と第二電極とが一つの直線上に設置されて全体構造を有する一つの電池ユニットを形成し、該電池ユニットは、前記直線に平行し、互いに対向する第一表面及び第二表面を含み、前記第一表面は、太陽電池の太陽光を直接的に吸収する光入射面であり、前記反射素子は、前記第二表面に設置される。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができる加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、（Ａ）銀粉末と、（Ｂ）加熱硬化性成分と、（Ｃ）硬化剤と、（Ｄ）溶剤と、必要に応じて（Ｅ）添加剤とを含有しており、さらに、レオメータで測定した貯蔵弾性率が１００Ｐａ〜４００Ｐａとなっている。これにより、高い導電性を実現しつつ高精細な導体パターンを低コストで形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、光電変換部３を備える。光電変換部３は、ｐ型非晶質半導体層３１、バッファ層３２、シリコン薄膜３３、ｉ型非晶質半導体層３４およびｎ型非晶質半導体層３５を積層した構造からなる。バッファ層３２における炭素原子の含有量は、基準値よりも少なく、基準値は、３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．２×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲、または３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．４×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲からなる。また、シリコン薄膜３３は、バッファ層３２とｉ型非晶質半導体層３４との間に配置され、バッファ層３２の光学バンドギャップとｉ型非晶質半導体層３４の光学バンドギャップとの間の光学バンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に塗布された電極ペーストを迅速に焼成して焼結を行なう高速の熱処理方法および熱処理炉を提供する。
【解決手段】最高温度が形成される第５加熱域Ｈ５において、加熱ヒータ３３ａおよび３３ｂからの加熱によって熱放射を行なう熱放射体３６が、搬送される太陽電池セル用半導体基板３８と上側の加熱ヒータ３３ａとの間に備えられていることから、太陽電池セル用半導体基板３８がその熱放射体からの熱放射により近傍から加熱されるので、太陽電池セル用半導体基板３８の高速搬送が可能となり、表面に均一加熱を加えつつ半導体基板３８自体の温度上昇を抑制できる。従って、太陽電池セル４０は、十分な変換効率を維持しつつ、表面電極用導電ペースト中のＡｇがファイヤースルーする温度、且つ裏面電極用導電ペースト中のＡｌが合金化する温度よりも上になるように設定する焼成温度を、大幅に低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有する光電変換素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】光電変換素子は、少なくとも１つの光電変換層を備える。この光電変換層は、ｐ型微結晶半導体層、２層以上のｉ型半導体層、およびｎ型半導体層が順に積層されて構成されている。２層以上のｉ型半導体層のうちｐ型微結晶半導体層に接する第１のｉ型半導体層のバンドギャップエネルギーは、第１のｉ型半導体層以外のｉ型半導体層のバンドギャップエネルギーよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】異相を含まない高純度のＡＺＴＳ超微粒子を得ることができるようにする。
【解決手段】Ａｇ、Ｚｎ、及びＳｎの各金属元素をそれぞれ含有した第１〜第３の含イオウ金属化合物をオレイルアミン等の脂肪族アミン中で加熱処理し、化学式Ａｇ_２ＺｎＳｎＳ_４で表される化合物半導体を作製する際に、第１及び第２の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比で秤量する一方、第３の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の３〜６倍となるように秤量し、前記脂肪族アミンに添加する。含イオウ金属化合物としては、例えばジアルキルジチオカルバミン酸化合物を使用することができ、加熱処理は２８０℃以上の温度で行うのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１０に凸層１１を形成する。導電層４０を凸層１１の一側面に接触するようにして半導体層１０の表面に積層する。第１電極２１を凸層１１の反対側の面に接触するようにして半導体層１０の表面に設ける。第２電極２２を導電層４０に設ける。更に、凸層１１又は導電層４０に多数の周期構造３３を含む金属ナノ構造３０を積層する。各周期構造３３は複数の第１凸部３１からなり、第１凸部３１の配置間隔が周期構造３３に応じて異なる。 （もっと読む）