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国際特許分類[H01L31/04]の内容

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【課題】粒径が大きく、かつ、ボイドの少ないCZTS膜を光吸収層に用いた光電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下部電極の上に、(a)Cu、Zn又はSnを含む複数の薄膜が積層された積層膜からなり、(b)積層膜の成膜時及び硫化の過程においてCu−Zn相又はCu−Zn−S相を生成させることがなく、かつ、(c)膜厚が200〜700nmであるプリカーサを形成し、これを所定の条件下で硫化させる。このような方法により、(a)CZTS系化合物からなり、(b)膜厚方向に見たときに、1個の結晶粒のみからなる領域を含み、(c)気孔率が10%以下であり、かつ、(d)膜厚が300〜1000nmである光吸収層を備えた光電素子が得られる。 (もっと読む)


【課題】廉価にゲッタリング効果を得つつ高品質化を図る。
【解決手段】溶融シリコンを坩堝内の下方から上方に向けて一方向に凝固させることにより生成させた多結晶シリコンインゴットであって、上端部および下端部における酸素濃度が、この上端部とこの下端部との間の中央部における酸素濃度より高い。また、上端部における酸素濃度が下端部における酸素濃度より高い。 (もっと読む)


【課題】大面積で作製した場合でも、優れた光電変換特性を有するセルを歩留まり良く製造することができる化合物半導体太陽電池セルを提供する。
【解決手段】格子定数差の大きいサブセルの間に中間第一層83、中間第二層82および中間第三層81を含む中間層35を設けて格子不整合を緩和した化合物半導体太陽電池セルであって、第2のサブセル36に最も近い位置に配置されている中間第一層83と中間第一層83に隣接する中間第二層82との間の格子定数差の比である第1格子定数差比が、中間第二層82に隣接する中間第三層81と中間第二層82との間の格子定数差の比である第2格子定数差比よりも大きく、かつ第1格子定数差比が0.78%以下であって、複数層の隣接する層間のそれぞれの格子定数差比が第1のサブセル34に近づくにつれて小さくなる化合物半導体太陽電池セルである。 (もっと読む)


【課題】 Na、Caを含有するソーダ石灰ガラス等の汎用ガラスを、高耐久性の反射防止膜付きガラス基材として利用することを目的とする。すなわち、反射防止機能を付与することにより、入射光の透過量を増加させると同時に、高温高湿下でのガラス基材中のNaやCaの反射防止膜表面への拡散を抑え、反射防止膜の白濁を抑制する反射防止膜付きガラス基材を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に、反射防止膜3を備えるガラス基材2であって、ガラス基材2は、NaおよびCaからなる群より選択される少なくとも1種のアルカリ金属を含有し;反射防止膜3は、SiOを含有し、屈折率が1.35〜1.50であり;かつガラス基材2表面と反射防止膜3との界面に、Pを1〜12原子%含有する拡散抑制膜4を備える、ことを特徴とする、反射防止膜付きガラス基材1である。 (もっと読む)


【課題】構造の自由度を確保して分極を抑制可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子100は、n型単結晶シリコン基板1と、n型非晶質膜2,21〜2mと、i型非晶質膜11〜1nと、p型非晶質膜31〜3m−1とを備える。n型単結晶シリコン基板1は、リン(P)が拡散された拡散領域10を含む。n型非晶質膜2は、n型a−Siからなり、n型単結晶シリコン基板1の光入射側の表面に接して形成される。i型非晶質膜11〜1nは、i型a−Siからなり、n型単結晶シリコン基板1の光入射側と反対側の表面に接して形成される。n型非晶質膜21〜2mは、n型a−Siからなり、それぞれ、i型非晶質膜11,13,・・・,1n−2,1nに接して形成される。p型非晶質膜31〜3m−1は、p型a−Siからなり、それぞれ、i型非晶質膜12,14,・・・,1n−1に接して形成される。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で大面積の積層基板を高速で高精度に検査できる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板K0上にモリブデン層K1が形成されると共にモリブデン層K1上に薄膜K2,K3が形成された基板Kの、薄膜K2,K3側から形成されたパターニングを検査する検査装置1であって、移送中の基板Kのガラス基板K0側に光を照射する下部照明10と、移送中の基板Kの薄膜K2,K3側に光を照射する上部照明20とを設けると共に、基板Kを透過する下部照明10の光軸P上で且つ基板Kで乱反射する上部照明20の光軸D上に配置された第1ラインセンサカメラ11と、基板Kで正反射する上部照明20の光軸S上に配置された第2ラインセンサカメラ21とを設け、ラインセンサカメラ11,21で検知した光の状態に基づいてパターニングの良否を判断する突き抜け検査用パソコン12及び擦れ検査用パソコン22を具備する。 (もっと読む)


【課題】固体正孔輸送層を用いたことによる利点を維持し、その上で、高い光電変換効率と高耐久性との両立を実現する光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性支持体上に色素が吸着された半導体微粒子層を有する感光体層、固体の正孔輸送層、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子であって、前記色素が炭素数5〜18の脂肪族基Aを有する下記式(1)で表される色素である光電変換素子。


[式中、Qは4価の芳香族基を示す。X、Xは硫黄原子、酸素原子、又はCRを表す。P、Pは色素残基を表す。ただしPはポリメチン色素を形成するのに必要な原子群を表す。Wは電荷を中和させるのに必要な場合の対イオンを表す。] (もっと読む)


【課題】特性悪化を抑制可能な薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に裏面電極層12を成膜する裏面電極層成膜工程と、裏面電極層12にアルカリ金属を添加するアルカリ金属添加工程と、裏面電極層12上に光吸収層13を成膜する光吸収層成膜工程と、光吸収層13を分割する分割溝13xを形成し、分割溝13x内に裏面電極層12の表面を露出させる分割溝形成工程と、分割溝13x内に露出した裏面電極層12の表面において、裏面電極層12と前記アルカリ金属とを合金化する合金化工程と、光吸収層13上及び分割溝13x内に透明導電膜を成膜する透明導電膜成膜工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】光散乱粒子を含む充填層を備えた光起電力装置において、充填層に接して形成された透明層の吸湿による特性の劣化を抑制する。
【解決手段】光電変換ユニットと、第2光電変換ユニット18の光入射側と反対側の面上に形成された第1透明電極層20aと、第1透明電極層20a上に形成され、第1透明電極層20aより透湿性が低い第2透明電極層20bと、第2透明電極層20b上に接して形成された光散乱粒子を含む充填層22と、を備える光起電力装置とする。 (もっと読む)


【課題】裏面パッシベーション型の光電変換素子において、裏面電極のまわりに均質にBSFを形成し、変換効率を向上させる。
【解決手段】光電変換素子1は、片面にn型拡散層11が形成され、前記片面と反対側の面に凹部10bを有するp型結晶シリコン基板10と、前記p型結晶シリコン基板10の前記片面と反対側の面に接して形成され、前記凹部10bと対応する位置に開口部30bを有するパッシベーション膜30と、前記開口部30bを介して前記凹部10bと接するように形成されたアルミニウム電極43とを備え、前記p型結晶シリコン基板10は、該p型結晶シリコン基板10よりもドーパント濃度の高い高濃度p型拡散層13を前記凹部10bに有し、前記アルミニウム電極43は、前記p型結晶シリコン基板10の凹部10bに沿って窪んでいる。 (もっと読む)


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