説明

国際特許分類[H01L31/102]の内容

国際特許分類[H01L31/102]の下位に属する分類

電位障壁がPNホモ接合型からなるもの
電位障壁がPIN型からなるもの
電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード (159)
電位障壁がショットキー型であるもの (64)
電位障壁がPNヘテロ接合型であるもの