【課題】 小型で光検出精度の優れた受発光素子を提供する。
【解決手段】 一導電型の半導体材料から成り、傾斜面２ｂ１およびこれに続く底面２ｂ２で構成された窪み部２ｂを一主面２ａに有する基板２と、基板２の一主面２ａに設けられた発光ダイオード３と、窪み部２ｂの底面２ｂ２に設けられた第１フォトダイオード４と、窪み部２ｂの傾斜面２ｂ１に設けられた第２フォトダイオード５とを有する。 （もっと読む）

【課題】修正前の特性値がその特性値の出現頻度分布における平均値±２×(標準偏差)の範囲に入る製造品に対するヒューズ溶断本数を少なくする。
【解決手段】素子アレイ１４には抵抗アレイを設け、特性値の分布の平均値を素子アレイ１４で得られる合成抵抗値の中央値に対応付け、トリミング情報生成回路１２における上記中央値より大きい合成抵抗値に対応するトリミング情報の配列を、１０進数で「１５」〜「８」の降順に、上記中央値以下の合成抵抗値に対応するトリミング情報の配列を、１０進数で「０」〜「７」の昇順に設定する。変換回路１３は、トリミング情報生成回路１２からのトリミング情報を変換して、素子アレイ１４の抵抗アレイから各合成抵抗値を得るためにオフする抵抗を選択する素子選択情報を生成する。こうして、上記分布における「平均値±２σ」の範囲内に対応付けられトリミング情報を生成する場合のヒューズ溶断数を大幅に削減する。 （もっと読む）

【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第１の撮像面と、前記第１の撮像面の逆を向いた第２の撮像面と、を有する撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】発光側の光導波路コアが複数の辺状部材の接合により構成されたものであっても、そのコアの光結合部位における光結合損失の変動が小さく、枠内の検知空間における高い検出精度を安定して維持することのできる入力デバイスを提供する。
【解決手段】複数の辺状部材（１０Ａ〜１０Ｄ）を突き合わせて構成された枠状の光導波路１０における発光側の二分岐状の光導波路コアＣ１は、枠の角部１０ｚに位置する共通部１と、共通部１から二股状に分岐する連絡路（２ａ，３ａ）と、枠の２辺に配置される主路（２ｂ，３ｂ）とからなり、上記の１つの主路２ｂと連絡路２ａの光結合が、上記辺状部材どうしの端面の突き合わせにより形成されている。これら主路２ｂと連絡路２ａの光結合部位における光入射側の結合端面２ｄのコア幅（Ｗ_A）は、対向する光出射側の結合端面２ｅのコア幅（Ｗ_B）以上に広く（Ｗ_A≧Ｗ_B）形成されている。 （もっと読む）

【課題】部品点数が増大せず、新たな実装面積の確保も不要で、反射成分を低減できる近接センサ、及び近接センサを実装するための回路基板を提供する。
【解決手段】回路基板は、近接センサ１０が実装され、回路基板の本体４９と、回路基板の本体４９に設けられ、カバー１８に当接するカバー当接面４７と、近接センサ１０と回路基板とを導通接続させる伸縮自在なスプリングコネクタ２６と、を有する。スプリングコネクタ２６は、カバー当接面４７をカバー１８に押し当てる。 （もっと読む）

【課題】発光素子からの光をできるだけ効率的に受光素子に伝える形状を有し、それにより発光素子の消費電力を抑制できるとともに、光結合素子の大きさを小型化できる光結合素子を提供する。
【解決手段】発光素子の周囲を囲むように、内側を凹状に湾曲させた第１の光反射体が形成され、受光素子の周囲を囲むように、内側を凹状に湾曲させた第２の光反射体が形成され、第１の光反射体に囲まれた発光素子と、第２の光反射体に囲まれた受光素子とが対向して配置され、発光素子と受光素子との間に光透過性絶縁材料が配置されてなる光結合素子。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ安価な構成であるにも拘わらず、スナバ回路及び制御回路のいずれの損傷に対しても、他の電子部品の焼損を適切に防止する。
【解決手段】入力端子の間に接続される発光素子８からの光を光電変換する受光素子９と、交流電源３と負荷４とが接続される出力端子６と、受光素子９の一端と出力端子６の一方とを結ぶ第１接続ライン１１と、受光素子９の他端と出力端子６の他方とを結ぶ第２接続ライン１２と、第１接続ライン１１と第２接続ライン１２の間に接続される、受光素子９からの出力に基づいて導通するスイッチング素子１２と、コンデンサと抵抗とを直列接続してなるスナバ回路１４とを備える。スナバ回路１４の抵抗は、第１接続ライン１１の、受光素子９の一端と、スイッチング素子１２の一端との間に接続し、抵抗とスイッチング素子１２の一端との間に過電流防護素子２１を接続する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減しパルス幅歪みを抑制した光結合型絶縁回路を提供する。
【解決手段】第１発光素子３と、第２発光素子５と、第１発光素子３および第２発光素子５の発光を制御する発光制御部１１と、第１発光素子３の発光を検出する第１受光素子７と、第１受光素子７に直列に接続され、第２発光素子５の発光を検出する第２受光素子９と、を備える。さらに、第１受光素子７と第２受光素子９との接続点に電気的に接続され、ハイおよびローの電圧を交互に出力する出力部２１を備える。出力部２１は、第１発光素子３の発光を検知した第１受光素子７から電荷が充電されることにより、前記ハイおよび前記ローのいずれか一方から他方に出力を反転し、第２発光素子５の発光を検知した第２受光素子９を介して電荷を放電することにより出力を再反転する。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板１０と、サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａに第１素子機能部２２を備え、他方主面１０Ｂに第２素子機能部３２を備え、第１素子機能部２２が光を発光し、第２素子機能部３２がサファイア単結晶基板１０を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 （もっと読む）