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国際特許分類[H01L33/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部[2,8,2010.01] (19,444)

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基板50上に密集して配置された半導体光源52、例えばLED、レーザダイオード、またはVCSELのマイクロアレイによって高強度光源46が形成され、少なくとも50mW/cm2の出力濃度の電力出力が実現する。半導体装置は通常、基板上の導電性パターンに対する接合処理によって接着され、マイクロプロセッサ制御電源によって駆動される。光学系要素58をマイクロアレイを覆うように配置し、出力ビームの指向性、強度、及び/または、スペクトル純度を高めることができる。光モジュールは、例えば、蛍光発光、検査及び測定、光重合、イオン化、殺菌、屑除去及び他の光化学作用による処理に使用できる。 (もっと読む)


集積回路ダイ(322)を含む一体状にパッケージ実装された光電子工学的集積回路デバイス(310)であって、前記ダイは、放射エミッタと放射レシーバの少なくとも一方を含み、かつ、電気絶縁性の物理的保護材料で形成された上部表面と下部表面とを有し、この上部表面と下部表面との少なくとも一方(317)は放射に対して透過性であり、電気絶縁性の端縁表面(314)がパッドを有する。 (もっと読む)


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