【課題】水平方向への電流の拡散（分散）が改善されて発光効率が向上できる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、上記ｎ型窒化物半導体層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層と、上記ｎ型窒化物半導体層の内部及び表面のうち少なくとも一つの位置に形成され、上記ｎ型窒化物半導体層をなす物質との界面に２次元電子ガス層が形成されるように上記ｎ型窒化物半導体層をなす物質よりバンドギャップエネルギーが大きい物質からなる複数の電流拡散層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高輝度の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の成長基板１３０上に形成された第１型の窒化物系クラッド層３０と、第１型の窒化物系クラッド層上に形成された多重量子井戸窒化物系活性層４０及び多重量子井戸窒化物系活性層上に形成された第１型と異なる第２型の窒化物系クラッド層５０と、を含む半導体装置において、第１型の窒化物系クラッド層の下部及び前記第２型の窒化物系クラッド層の上部のうち、少なくとも一つには、トンネルジャンクション層６０、７０が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置、例えば高出力の端面出射型スーパールミネッセントダイオードを効率良く得られるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、基板１０１と、基板１０１の上に形成され、光ガイド層１２０を含む複数の半導体層からなる積層構造体とを備えている。積層構造体は、上部に選択的に形成されたストライプ状の光導波路１１３と、積層構造体の端面からなる光出射端面１１５とを有している。光ガイド層１２０における積層面と光出射端面１１５とがなす角度θは、θ≠９０°である。 （もっと読む）

【課題】効率が改善されたオプトエレクトロニクス半導体チップを提供する。
【解決手段】半導体チップの成長方向において、以下の順序で複数の領域を有する、すなわち、アクティブ領域に対するｐドープされたバリア層と、電磁放射の生成に適しており、六方晶系の化合物半導体をベースとするアクティブ領域と、アクティブ領域に対するｎドープされたバリア層とを有し、前記アクティブ領域は放射生成のために設けられている量子井戸構造を含み、成長方向において、前記放射生成のために設けられている量子井戸構造の前段には、放射生成のためには設けられていない少なくとも１つの量子井戸構造が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 光半導体層の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層３と、ｎ型窒化ガリウム系半導体層３上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層４と、発光層４上に設けられた、発光層４と接するブロック層５を持つｐ型窒化ガリウム系半導体層６とを有し、ブロック層５は、マグネシウムを含有した電子ブロック層５ａと、電子ブロック層５ａよりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが３ｎｍ以下の正孔トンネル層５ｂとが積層されている。このような正孔トンネル層５ｂをブロック層５が有していることから、光半導体層７の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることができる。 （もっと読む）

【課題】互いに対向する導電体層のエッジ同士の間に量子ドットなどのナノ要素を正確にかつ容易に挟むことができる量子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第１の薄片の一導電体層のエッジ上に複数のナノ要素を導入した後、この面に対し、導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第２の薄片の一方の面を、第１の薄片の導電体層と第２の薄片の導電体層とが互いに交差するように、かつ第１の薄片の面に対して平行に保って接近させる。第１の薄片の導電体層１７と第２の薄片の導電体層１７との間に電圧を印加することで発生する電場により、交差部で互いに対向する第１の薄片の導電体層１７のエッジと第２の薄片の導電体層１７のエッジとの間にナノ要素を引き込む。第１の薄片と第２の薄片との間隔を狭めて交差部における第１の薄片の導電体層のエッジと第２の薄片の導電体層のエッジとの間にナノ要素１９を挟む。 （もっと読む）

【課題】バイアス方向によって発光波長を変えることができる半導体発光素子において、波長分離性を向上させること。
【解決手段】半導体発光素子はサファイア基板１０を有し、サファイア基板１０上に、ｎ−ＧａＮ層１１、ｎ⁺ −ＧａＮ層１２、ｐ⁺ −ＧａＮ層１３、第１発光層１４、第２発光層１５、ｐ⁺ −ＧａＮ層１６、ｎ⁺ −ＧａＮ層１７、ｎ−ＧａＮ層１８が順に積層されている。ｎ−ＧａＮ層１８上には第１電極１９が形成されている。また、ｎ−ＧａＮ層１８表面の一部領域はｎ−ＧａＮ層１１に達する深さの溝が形成されていて、その溝により露出したｎ−ＧａＮ層１１上に第２電極２０が形成されている。さらに、第１発光層１４と第２発光層１５との間には、第１発光層１４および第２発光層１５よりもバンドギャップの大きな波長分離層２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制しつつ厚膜化され、且つ導電性を有する窒化物半導体層を有する半導体ウェハ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ノンドープの第１の窒化物半導体層とその第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きいノンドープの第２の窒化物半導体層とが交互に積層された構造を有する多層膜と、多層膜上に配置された、第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きいノンドープの第３の窒化物半導体層とを備え、膜厚方向に導電性を有する。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率が高く、光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ型半導体層１０と、窒化物半導体を含むｐ型半導体層２０と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ、交互に積層された、複数の障壁層３１と、複数の井戸層３２と、を有する発光部３０と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｗｎ及びｗｐは、ｂｎ及びｂｐよりも大きい。ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造によって、局在プラズモン共鳴現象により所望のスペクトル特性を得ることが可能となる半導体発光素子等を提供する。
【解決手段】基板上に、電流注入により発光する活性層を含む複数の半導体層が積層された半導体発光素子であって、
前記活性層の近傍に、金属ドット層を備え、
前記金属ドット層は、所定の波長に対して局在プラズモン共鳴する大きさのドット径を有する複数の金属ドットが、前記基板と平行に配列されて構成されている。 （もっと読む）