【課題】デバイス品質の良好なＩｎＮ／ＧａＮヘテロ構造の半導体光素子を提供する。
【解決手段】基板１、ｎ型コンタクト層２、ｎ型クラッド層３、ｎ型ガイド層４、活性層５、ｐ型ガイド層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型コンタクト層８を順に積層して構成されている。またｎ型コンタクト層３上には第一の電極９が、ｐ型コンタクト層９上には第二の電極１０が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層５に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】欠陥を抑制した高効率の半導体発光素子及び半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、４４０ナノメートル以上のピーク波長の光を放出する発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層には、引っ張り歪が印加されている。前記第１半導体層における刃状転位密度は、５×１０^９／ｃｍ^２以下である。前記第１半導体層と前記発光層との間の格子不整合率は、０．１１パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層及びｐ形半導体層と、発光層と、を備える。発光層は、III族元素を含む障壁層と、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向けた方向に障壁層と積層されIII族元素を含む井戸層と、を有する。障壁層を、ｎ形半導体層側の第１部分と、ｐ形半導体層側の第２部分と、に分けた場合、第２部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、第１部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも低い。井戸層を、ｎ形半導体層側の第３部分と、ｐ形半導体層側の第４部分と、に分けた場合、第４部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、第３部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い。障壁層及び井戸層のＩｎ組成比は、発光層に電圧を印加した状態において井戸層及び障壁層の価電子帯のエネルギーバンド図が矩形状になるような組成比である。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形の第１層と、ｐ形の第２層と、発光部と、第１積層体と、第２積層体と、を含む半導体素子が提供される。発光部は、第１層と第２層との間に設けられる。第１積層体は、第１層と発光部との間に設けられ、交互に積層された、ＡｌＧａＩｎＮの第３層と、ＧａＩｎＮの第４層と、を含む。第２積層体は、第１層と第１積層体との間に設けられ、交互に積層された複数の第５層と、ＧａＩｎＮの第６層と、を含む。第１積層体は、第１積層体の発光部側の面に設けられた凹部を有する。凹部の少なくとも一部に発光部の一部が埋め込まれている。凹部の側面は、第１積層体を貫通する転位の周りを取り囲む。転位周辺におけるＩｎの組成比は、他の部分よりも低い。 （もっと読む）

【課題】活性領域内のウェル層とバリア層の格子不整合による結晶欠陥の発生を減少させることができる発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とＰ型の窒化ガリウム系化合物半導体層との間に活性領域を有する発光ダイオードにおいて、前記活性領域が超格子構造のウェル層及び／又はバリア層を有する。超格子構造のウェル層及び／又は超格子構造のバリア層を採用することにより、ウェル層とバリア層との間の格子不整合による欠陥の発生を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】低駆動電圧で高発光効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体からなるｎ型層と、窒化物半導体からなるｐ型層と、ｎ型層とｐ型層との間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の障壁層と、複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、障壁層におけるバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、窒化物半導体からなる井戸層と、を含み、少なくとも一部が発光する積層体と、を備え、複数の障壁層の少なくともいずれかは、ｎ型層の側に設けられた第１層と、ｐ型層の側に設けられ、第１層よりも高い濃度でｎ型不純物を含む第２層と、を含み、井戸層の少なくともいずれかは、ｎ型層の側に設けられ第３層と、ｐ型層の側に設けられ、第３層よりも高い濃度でｎ型不純物を含む第４層と、を含む半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる流動ガスを交互に注入して工程温度を変化させる化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法は、第１工程温度で、サテライトディスクに載置された基板上に量子ウェル層を形成する段階と、第２工程温度で、量子ウェル層上に量子障壁層を形成する段階と、を有し、量子ウェル層と量子障壁層とを形成する段階を少なくとも一回遂行する。 （もっと読む）