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国際特許分類[H01L33/10]の内容

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【課題】量子効率を向上することができる紫外線半導体発光素子を提供する。
【解決手段】紫外線発光素子は、第1の導電型半導体層15の下に配置された活性層19と、活性層19の下に配置される反射層21と、反射層21の下に配置された第2の導電型半導体層23とを含む。反射層21は、多数の化合物半導体層を含み、化合物半導体層のそれぞれは、少なくとも2以上の半導体材料を含む。少なくとも2以上の半導体材料の各含量が、化合物半導体層のそれぞれで異なる。 (もっと読む)


【課題】発光層内を伝搬して半導体膜の端面に至る光を効率的に外部に取り出すことができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置1は、III族窒化物半導体からなる発光層を含む半導体膜20と、半導体膜の光取り出し面とは反対側の面に設けられた反射電極40と、反射電極に接合層を介して接合された支持基板60と、を含む。半導体膜20は、光取り出し面に対して斜め方向に傾斜したテーパー状端面20aを有する。光取り出し面は、半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を有し、光取り出し面のエッジ部周辺の第1領域101における複数の突起の平均サイズが、第2領域102における複数の突起の平均サイズよりも小である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、新たな光抽出構造を有する発光素子を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、透光性の基板、前記基板の上面に複数の突起を有する第1パターン部、前記基板の上面に前記複数の突起の各々の幅より小さな幅を有する複数の凹部を含む第2パターン部、前記基板の下に配置され、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に配置された活性層を含む発光構造物、前記第1導電型半導体層の下に配置された第1電極、前記第2導電型半導体層の下に配置された反射電極層、前記反射電極層の下に配置された第2電極、前記第1電極の下に配置された第1連結電極、前記第2電極の下に配置された第2連結電極、及び前記第1電極及び第1連結電極と前記第2電極及び前記第2連結電極の周りに配置され、セラミック材質の熱拡散剤が添加された絶縁性の支持部材を含む。 (もっと読む)


【課題】向上した発光効率を有し、電極が剥離したり損傷することを防止できる発光素子及び発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】発光素子100は、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域P1〜Pn(n>1である自然数)を有する発光構造物と、複数の発光領域上に配置される第1分散ブラッグ反射層と、複数の発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部150と、複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層上に配置される第2電極部170と、複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第2半導体層上に配置される中間パッド182,184と、複数の発光領域を直列連結するように第1分散ブラッグ反射層上に配置される連結電極160−1〜160−m(m≧1である自然数)とを含む。 (もっと読む)


【課題】光抽出効率を向上させ反射層の熱的信頼性を改善させた半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、発光構造物上に形成され、複数のナノロッド及び複数のナノロッド間の空間を満たす空気を含むナノロッド層とナノロッド層上に形成される反射金属層とを備える反射構造物と、を有する。 (もっと読む)


【課題】多様な明るさの発光を具現するように調節可能であり、発光面積を向上できる発光素子の提供。
【解決手段】発光素子100は、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域P1〜P9と、前記発光領域の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、複数の発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部150と、複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層上に配置される第2電極部170と、隣接する発光領域のいずれか一方の第1半導体層と、残りの他方の第2半導体層とを電気的に連結する連結電極160−1〜160−8と、発光領域のうち少なくとも一つの第2半導体層上に配置される中間パッド184と、を含み、発光領域は、連結電極により直列連結される。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法で電極面の周辺部から漏れ出す光を減少させたフリップチップ実装用の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板17の周囲に存在し、LED素子10をウェハー31から切り出す際の切りしろとなったストリートライン23の上に、遮光部材として金属膜11,12を配置した。金属膜11,12はスリット18で4分割している。また金属膜11,12は、p側及びn側の突起電極13,14のアンダーバンプメタル層である金属膜22と等しい材料からなっている。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に成長した発光セルのクラック形成を最小化でき、発光素子の光放出量を効果的に増加させうる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板210と、基板210上に相互に離隔して設けられ、半導体物質の積層により形成される少なくとも二つの発光セル240と、発光セル240の間に順次に積層された反射層220及び透明絶縁層230と、発光セル240を覆う透明電極250と、を備える。 (もっと読む)


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