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国際特許分類[H01L33/16]の内容

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【課題】パッケージから出射される光のチップ配置面の面内の方位角の違いによる強度の差を低減することが可能な発光ダイオード装置を提供する。
【解決手段】この発光ダイオード装置は、主面12aを有する発光層12を含む発光ダイオードチップ10と、発光ダイオードチップ10が配置されるチップ配置面21aを有するパッケージ20とを備え、発光層12の主面12aから出射される光は、発光層12の主面12aの面内の方位角に依存して複数の異なる発光強度を有し、発光ダイオードチップ10およびパッケージ20の少なくとも一方は、パッケージ20から出射される光のチップ配置面21aの面内の方位角の違いによる強度の差を低減する構造を有し、パッケージ20は、パッケージ20から出射される光のチップ配置面21aの面内の方位角の違いによる強度の差を低減する構造に形成されている。 (もっと読む)


【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】N面III族窒化物膜を成長させるための方法であって、(a)ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、(b)前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される1つ以上の後続の層に対するN極性配向を設定すること、および、(c)前記層上でN面III族窒化物膜を成長させることであって、前記N面III族窒化物膜は、前記層によって設定されるN極性配向を有することを含む。 (もっと読む)


【課題】フォワード電圧に不利に影響を与えることなく、GaP系のLEDの光抽出効率を増加させる技術が必要とされている。
【解決手段】一つの実施例において、AlInGaPのLEDは、底部n型層、活性層、上部p型層、及び上部p型層の上に厚いn型GaP層を含む。この場合、厚いn型GaP層は、電気化学的エッチング処理を受け、これにより、n型GaP層は、多孔質且つ光拡散的になるようにされる。多孔質n型GaP層の下に位置するp型GaP層への電気的接触は、多孔質層を通ずる金属充填ビアを設けることによって行われる、又は、多孔質領域間におけるGaP層の非多孔質領域を通じて電気的接触が行われる。LEDチップは、補助装着具に装着され得、多孔質n型GaP層層は補助装着具の表面に面する。空孔及び金属層は、光を反射及び拡散し、このことは、LEDの光出力を大いに増加させる。LED構造の他の実施例も記載されている。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたpn接合素子を提供すること。
【解決手段】p型半導体材料およびn型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、p型半導体材料およびn型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、p型半導体層と、n型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記p型半導体材料と前記n型半導体材料とによって形成されているpn接合面の端部が前記p型半導体層および前記n型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記p型半導体層と前記n型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造pn接合素子。 (もっと読む)


【課題】本発明は、m面GaN基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】m面GaN基板の表面処理方法は、m面GaN基板の表面を、酸性のCMPスラリーを用いて0.5μm/h以下のポリッシングレートでポリッシングする第1工程と、該第1工程に続いて該m面GaN基板の該表面を水洗する第2工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】安全性及び信頼性を高めた発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、基板100と、基板のR面上に配置され、岩塩構造(Rock Salt Structure)を有する窒化物を含むバッファー層210と、バッファー層上に配置され、a面に成長した発光構造物120とを備える。バッファー層210は、LaN、ThN、PrN、NdNまたはSmNの少なくとも一つを含んで形成され、基板100と発光構造物120との格子不整合及び熱膨張係数の差を緩和する。 (もっと読む)


【課題】発光デバイスからの光抽出を向上させること。
【解決手段】発光デバイスは、n型領域とp型領域の間に配置された発光層を有する半導体構造体を含む。多孔質領域は、発光層とn型領域及びp型領域のうちの1つに電気的に接続したコンタクトとの間に配置される。多孔質領域は、吸収性のコンタクトから離れる方向に光を散乱させ、これによりデバイスからの光抽出を向上させることができる。幾つかの実施形態において、多孔質領域は、GaN又はGaPのようなn型半導体材料である。 (もっと読む)


【課題】 光デバイスを提供する。
【解決手段】 基板と前記基板の上面に隣接した第1領域と、前記第1領域に隣接した第2領域と、前記第1と第2領域の間の活性領域を含む光ダイオードを有し、前記第2領域は、前記活性領域に隣接した表面を含み、前記表面は、前記基板の上面にほぼ平行し、且つ前記第2領域は、前記活性領域から間隔を開けられた少なくとも1つの欠陥トラッピング領域を含み、前記欠陥トラッピング領域は、前記基板の上面から延伸された表面を含む光デバイス。 (もっと読む)


【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第1層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第1層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 (もっと読む)


【課題】格子欠陥が発生することを防止した光取り出し効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第一半導体層120と、第二半導体層140と、活性層130と、第一電極150及び第二電極160と、を含む。第一半導体層、活性層及び第二半導体層が、第一電極から離れる方向に沿って、基板に順に積層して設置され、第一半導体層が、第一電極に接続され、第二電極が、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の第一電極と隣接する表面が、複数の溝を含むパターン化表面122であり、第一半導体層のパターン化表面が、第一電極に接続される。 (もっと読む)


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