【課題】中間層の一部および支持基板の一部の少なくともいずれかが露出している複合基板であっても、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板の製造方法は、支持基板１０と、その主面の少なくとも一部上に配置された中間層２０と、その主面の少なくとも一部上に配置されたＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、ＩＩＩ族窒化物層３０ａの主面と、中間層２０の主面の一部および支持基板１０の主面の一部の少なくともいずれかと、が露出している第１の複合基板１を準備する工程と、第１の複合基板１の中間層２０の露出部分を選択的にエッチングにより除去することにより第２の複合基板２を得る工程と、第２の複合基板２の支持基板１０の主面の露出部分を所定の深さまで選択的にエッチングにより除去することにより第３の複合基板３を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を確実に剥離することができる光デバイス層の移替装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合して複合基板を形成し、エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を剥離することにより光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層の移替装置であって、複合基板の移設基板側を保持する第1の保持面を備えた第１の保持手段と、第１の保持面と対向し複合基板のエピタキシー基板側を保持する第２の保持面を備えた第２の保持手段と、第1の保持手段と第２の保持手段とを相対的に近接および離反する方向に移動せしめる分離手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】色度ばらつきを低減した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の面とその反対側に形成された第２の面と発光層とを含む半導体層と、第２の面における発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、第２の面における発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極とをそれぞれが含む３つ以上のチップと、第１の面上に設けられた同種類の蛍光体層とを備えている。チップは、平面視で中央に位置する中央チップと、中央チップを挟んで対称配置された少なくとも２つの周辺チップとを有する。周辺チップ間で第１の面上の蛍光体層の厚さは同じであり、中央チップの第１の面上の蛍光体層と、周辺チップの第１の面上の蛍光体層とは、厚さが異なる。 （もっと読む）

【課題】保護膜及び電極膜が均一な膜厚で形成され、安定で高輝度の発光が担保され、側面の劣化が防止され、高信頼性及び長寿命化が図られている発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、支持構造部６は反射層２の一部を含み、その側面６ｂがウェットエッチングで形成され、傾斜部６ｂａを含み、傾斜部６ｂａを含む水平方向の断面積が上面６ａに向かって連続的に小さく形成され、メサ型構造部７はその傾斜側面７ａがウェットエッチングで形成され、水平方向の断面積が頂面７ｂに向かって連続的に小さく形成され、保護膜８は上面６ａと、傾斜部６ｂａと、傾斜側面７ａと、頂面７ｂの周縁領域７ｂａとを覆うとともに、周縁領域７ｂａの内側に半導体層５の表面の一部を露出する通電窓８ｂを有し、電極層９は通電窓８ｂから露出された表面と直接接触すると共に上面６ａ上に形成された保護膜８を覆い、光射出孔９ｂを有する連続膜である。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記半導体発光層の平面形状が、前記第１の方向に平行な上辺及び下辺と、該上辺及び下辺に垂直な線に対して傾斜する部分を含む２つの短辺を有する形状であり、前記斜辺の頂点から垂直に引いた直線が隣接する半導体発光素子の下辺と交差する形状である半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】高品質で低コストの発光ダイオード用基板の製造方法、発光ダイオードの製造方法及びモールドの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光ダイオード用基板は、基板上に、レジスト材料を配置する工程と、主面に複数の第１の凸部が形成され、少なくとも前記第１の凸部の上面に、その幅及び間隔が前記第１の凸部の幅及び間隔よりも小さい複数の第２の凸部が形成されたモールドを、前記基板に押し付けることにより、前記第１の凸部間及び前記第２の凸部間に前記レジスト材料を進入させる工程と、前記モールドを押し付けた状態で、前記レジスト材料を固化させることにより、前記基板上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンから前記モールドを剥離する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記基板に対してエッチングを施す工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表示する画像の精細度を高めると共に、視域および奥行き再現範囲を拡大できるＩＰ立体ディスプレイを提供する。
【解決手段】インテグラル・フォトグラフィー（ＩＰ）方式により、撮像側にて被写体を光学レンズが並置されたレンズ板を介して撮像した各要素画像から被写体の立体像を再生するＩＰ立体ディスプレイ１は、各要素画像から被写体の立体像を再生するための撮像側に対応した光学レンズを並置したレンズ板を設けることなく、基板２上に要素画像を構成する要素画素５としての光線指向型発光素子１０を設けて、光線指向型発光素子１０から射出する光線の方向を、各要素画像から被写体の立体像を再生するための光学レンズのレンズ中心を通過する光軸によって規定される方向と同様になるように画素毎に設定したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなり、ｍ面である表面を有する下地結晶１０の前記表面上に、前記下地結晶１０のｃ軸に沿って延びる複数のストライプ２２を含むマスク２０を形成する工程と、前記マスク２２が形成された前記表面の上にＧａＮ系半導体結晶３０をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の製造方法において、ＧａＮ系半導体結晶３０は下地結晶１０の露出面１５から成長し始め、マスク２０と略同じ厚さのＧａＮ系半導体結晶膜４０がまず形成される。更にＧａＮ系半導体結晶３０を成長させ続けると、ＧａＮ系半導体結晶膜４０の上に六角棒状ＧａＮ系半導体結晶３０が形成される。 （もっと読む）