国際特許分類[H01L33/22]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部[2,8,2010.01] (19,444) | 半導体素子本体に特徴のあるもの (1,835) | 特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板 (337) | 粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの (238)
国際特許分類[H01L33/22]に分類される特許
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窒化物半導体発光素子およびその製造方法
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発光デバイス
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半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法および発光装置
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GaNLEDデバイスの製造方法
【課題】レジスト層のパターニングを用いてGaNLED層を選択的に織地化する。
【解決手段】GaNLEDデバイスを製造する方法に関し、少なくともGaN層を含むスタック層が織地化される。該方法は、その表面に前記スタック層を備えた基板を用意するステップと、レジスト層を前記スタック層に直接に堆積させるステップと、前記レジスト層の1つ又はそれ以上の第1部分を覆い、前記レジスト層の1つ又はそれ以上の第2部分を覆っていないマスクを、前記レジスト層の上方に位置決めするステップと、前記レジスト層の第2部分を光源に露出するステップと、マスクを除去するステップと、レジスト層を、カリウム(potassium)を含む現像液に接触させるステップとを踏む。前記現像液は、露光された前記レジスト部分の下方に位置したエリアにおいて、表面に湿式エッチングを施すことによって、露光された前記レジスト部分を除去し、前記スタックの少なくとも上部層の表面を織地化する。
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半導体装置の製造方法
【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面12Aおよび上面12Aに配置された複数のバンプ30を備えた基板1であって、バンプ30の各々が、上面12Aに対して実質的に平行な頂面32および頂面32と上面12Aとの間の複数の壁面34を有するものである基板12、および基板12上に配置されたエピタキシャル層であって、基板12の上面12Aおよびバンプ30の壁面34に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板12上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板12の上面12Aおよびバンプ30の壁面34を被覆するものであってよい。
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半導体発光素子
【課題】実施形態は、半導体表面と、樹脂と、の間の接着力を高めて剥離を抑制し、信頼度を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子は、光を放射可能な第1半導体層と、前記第1半導体層に向き合う第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第2半導体層を備える。前記第2半導体層は、前記第2の主面において、複数の突起が設けられた第1領域と、前記突起が設けられていない第2領域と、を有する。さらに、前記突起の少なくとも先端に設けられた誘電体膜と、前記第2領域の上に設けられた電極と、を備える。
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半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
【課題】発光層内を伝搬して半導体膜の端面に至る光を効率的に外部に取り出すことができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置1は、III族窒化物半導体からなる発光層を含む半導体膜20と、半導体膜の光取り出し面とは反対側の面に設けられた反射電極40と、反射電極に接合層を介して接合された支持基板60と、を含む。半導体膜20は、光取り出し面に対して斜め方向に傾斜したテーパー状端面20aを有する。光取り出し面は、半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を有し、光取り出し面のエッジ部周辺の第1領域101における複数の突起の平均サイズが、第2領域102における複数の突起の平均サイズよりも小である。
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半導体発光素子
【課題】本発明の一目的は、光取出し効率をさらに向上した半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】本発明の一側面は、第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、発光構造物上に形成され、光透過性を有する透光性薄膜層、透光性薄膜層上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層、及びナノロッド層上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層を備える光取出し層と、を含む半導体発光素子を提供する。
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エッチング方法
【課題】被加工材とレジストのエッチングの選択比を高くすることのできるエッチング方法、、このエッチング方法により加工されたサファイア基板、及び、このサファイア基板を備える発光素子を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。
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発光装置及びこれを備えた発光装置
【課題】本発明は、新たな光抽出構造を有する発光素子を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、透光性の基板、前記基板の上面に複数の突起を有する第1パターン部、前記基板の上面に前記複数の突起の各々の幅より小さな幅を有する複数の凹部を含む第2パターン部、前記基板の下に配置され、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に配置された活性層を含む発光構造物、前記第1導電型半導体層の下に配置された第1電極、前記第2導電型半導体層の下に配置された反射電極層、前記反射電極層の下に配置された第2電極、前記第1電極の下に配置された第1連結電極、前記第2電極の下に配置された第2連結電極、及び前記第1電極及び第1連結電極と前記第2電極及び前記第2連結電極の周りに配置され、セラミック材質の熱拡散剤が添加された絶縁性の支持部材を含む。
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