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国際特許分類[H01L33/26]の内容

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国際特許分類[H01L33/26]に分類される特許

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【課題】長い時間と多大な電力を要する後工程が不要であり、かつ窒化物半導体のpn接合界面が大気開放されても発光素子を製造可能な方法を提供する。
【解決手段】p型窒化物半導体層上に、主成分元素として亜鉛と酸素、ならびに副成分元素としてアルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、組成物または混合物を用いて、スパッタリング法または真空蒸着法により、n型酸化亜鉛層を製膜する工程を有するヘテロ接合型発光素子の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】放熱効果に優れた発光ダイオード素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオード素子は、基板と、前記基板の上面に順次に形成される第一半導体層と、アクティブ層及び第二半導体層と、を備え、前記基板は透明インジウム錫酸化物材料からなり、前記基板の内部にはナノ水素含有炭化ケイ素顆粒が分布している。 (もっと読む)


【課題】WSを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がWSおよび不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】Ga系化合物を半導体として用い、これに適合したショットキー特性が得られる電極を有するGa系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明のGa系半導体素子は、n型導電性を有するβ−Ga化合物半導体からなるn型層と、前記n型層上に形成されたショットキー特性を有する電極とを備え、前記電極は、Au、Pt、あるいはNi及びAuの積層体のいずれかによって構成される。 (もっと読む)


【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】両極性発光電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長を規定する長さLによって分離される電子注入電極及び正孔注入電極と接触する有機半導体層を備え、発光元の有機半導体層の領域は、電子注入電極及び正孔注入電極の両方からL/10より離れている両極性発光トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】新規のII−III−V化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Zn−(II)−III−Nにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記IIIは、周期表のIII族に属する1つ以上の元素であり、上記(II)は、任意の元素であって、周期表のII族に属する1つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN、および、ZnAlGaInNを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ga単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ga単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ga単結晶において、Si濃度を1×10−5〜1mol%に変化させることにより、抵抗率が2.0×10−3〜8×10Ωcm、キャリア濃度が5.5×1015〜2.0×1019/cmの範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 (もっと読む)


【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が10乃至100nmの微細多結晶からなる第1のβ−FeSi層2を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第1のβ−FeSi層2上に粒径が10乃至100μmの第2のβ−FeSi層3を形成する。 (もっと読む)


【課題】 ダイオードベースのデバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板、前記基板の一部を露出する、少なくとも1のアスペクト比を有する開口を含む誘電材料、前記開口内の少なくとも一部に設置された下領域と前記開口上に延伸した上領域を含み、前記基板と格子不整合の半導体材料を含む下ダイオード材料、前記下ダイオード材料の前記上領域に隣接した上ダイオード材料、及び前記上ダイオード材料と下ダイオード材料の間にあり、前記基板の上表面から離れて延伸した表面を含む活性ダイオード領域を含むダイオード。 (もっと読む)


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