【課題】クラッド層中に取り込まれるＡｓを低減し、発光出力の安定性を高めて信頼性を向上させる。
【解決手段】ｎ型基板１０の上に、Ａｌを含有するＰ系結晶からなるｎ型クラッド層３０と、Ａｓ系結晶からなる量子井戸構造を有する発光層４０と、Ａｌを含有するＰ系結晶からなるｐ型クラッド層７０とが、この順に積層され、発光層４０とｐ型クラッド層７０との間に、ｐ型クラッド層７０とはＡｌ組成比が異なる（Ａｌ_xＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙ
Ｐ（但し、０．０５≦ｘ≦０．２５，０．４７≦ｙ≦０．５２）からなる挿入層５０を備える。 （もっと読む）

【課題】耐薬品に優れた金属基板を用い、金属基板のレーザー切断時に生成するデブリの低減と金属基板に適したレーザー照射の位置決めの両方の目的を同時に果たす工程を含む発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属板と該複数の金属板の少なくとも上面及び下面を覆う金属保護膜とからなる金属基板と、化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、金属保護膜のうち化合物半導体層を備えた面とは反対側の面の少なくとも一つの膜の少なくとも一部を、エッチングによって除去して位置決めマークを形成する工程と、位置決めマークに基づいて、化合物半導体層を備えた面とは反対側の面にレーザーを照射して金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート層をピーク波長が単一の発光層で構成する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、Ａｌの組成が０．１２、ピーク波長λ＝７８８．０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ａ、及びＡｌの組成が０．１４、ピーク波長λ＝７７５．７ｎｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂの、ピーク波長が異なる２つの発光層で構成している。 （もっと読む）

【課題】ゲート層全体が発光層として機能する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８のうち、発光層をバンドギャップの小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂとし、一方、残りのゲート層１０８を発光層１０８Ｂよりもバンドギャップ（ＤＢＲ各層のバンドギャップの平均値）が大きいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ａとしている。 （もっと読む）

【課題】放出光のピーク波長範囲の外側の発光スペクトル強度が低減された半導体発光装置およびそれを用いた光結合装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。発光層は、第１の面および第２の面を有し、７４０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有する放出光を放出可能である。第１の層は、前記発光層の前記第１の面の側に設けられ、第１導電形を有し、前記発光層の反対の側に設けられた光取り出し面を有する。第２の層は、前記発光層の前記第２の面の側に設けられ、第２導電形を有する。分布ブラッグ反射層は、前記第２の層の前記発光層とは反対の側に設けられ、第２導電形を有する分布ブラッグ反射層であって、前記光取り出し面に向けて前記放出光を反射可能である。また、第３および第４の層は、前記ピーク波長よりも短いバンドギャップ波長をそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】電流−光出力特性の線形性が改善された半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、支持基板１０と、光反射層３０を介して支持基板上に設けられた半導体膜４０と、を含む。半導体膜は、光反射層側から電流拡散層４２、第１のｐクラッド層４４ａ、第２のｐクラッド層４４ｂ、活性層４６、第１のｎクラッド層４８ａ、第２のｎクラッド層４８ｂを積層して構成される。第１のｐクラッド層と第２のｐクラッド層からなるｐクラッド層全体の層厚のうち第１のｐクラッド層の層厚が占める割合は５０％以上８０％以下である。第１のｎクラッド層と第２のｎクラッド層からなるｎクラッド層全体の層厚は２μｍ以上である。ｎクラッド層全体の層厚のうち第１のｎクラッド層の層厚が占める割合は８０％以上であり且つ第２のｎクラッド層の層厚は１００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 ４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型ＧａＰ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、４元発光層の、ｎ型ＧａＰ基板側の主表面の反対側となる主表面上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、ｎ型ＧａＰ基板と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有し、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光の取出率を改善するために半導体発光素子の面に形成されたフレネルレンズ及びホログラフィックディフューザの一方又は両方を含む発光デバイス、このような発光デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の面に形成された光学エレメントは、反射損失及び全反射による損失を低減して、光の取出効率を改善する。フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。フレネルレンズ等の形成は、表面に削り加工等を行ってもできる。スタンピング工程を用いても、半導体発光素子の面にフレネルレンズやホログラフィックディフューザを形成できる。スタンピングは、所望の光学エレメントを逆にした形状及びパターンスタンピングブロックを発光ダイオードの面に対してプレスする工程を含む。 （もっと読む）