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国際特許分類[H01L33/30]の内容

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【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第1導電形の第1半導体層と、第1電極層と、発光層と、第2導電形の第1部分を含む第2半導体層と、第1半導体層に接続された第2電極層と、を備える。第1電極層は、金属部と、第1半導体層から第1電極層に向かう方向に沿って金属部を貫通し、前記方向に沿ってみたときの形状の円相当直径が10ナノメートル以上、50マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。発光層は、第1半導体層と第1電極層との間に設けられる。第2半導体層の第1部分は、発光層と第1電極層との間に設けられ、不純物濃度が1×1019/立方センチメートル以上、1×1021/立方センチメートル以下である。 (もっと読む)


【課題】簡便な製造方法により発光波長を多様化させ、特に高精細な画像表示装置に用いて好適な半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、所定の光を放出させる第1の半導体発光層17と、前記第1の半導体発光層17とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され前記第1の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第2の半導体発光層11を有し、前記第1の半導体発光層17を有する半導体構造部に前記第2の半導体発光層11が貼り合わされることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
光の三原色を再現できる発光ダイオードが単色なので三原色以外の色は複数の発光ダイオードを組み合わせて彩色させている。
【解決手段】
光の三原色併設型発光ダイオードを作成して課題を解決した。 (もっと読む)


【課題】 半導体の結晶性を向上させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶基板2の上に単結晶基板2を覆うように半導体層を結晶成長させた半導体基板の製造方法であって、平坦な上面4Aを有する複数の突起4が第1主面2Aに設けられた単結晶基板2を準備する工程と、複数の突起4のうち、上面4Aから半導体層3を結晶成長させるものを第1突起4aとし、第1突起4a同士の間に位置する、上面4Aに半導体層3を結晶成長させないものを第2突起4bとして、第2突起4bの上面4Aを被覆するように実質的に半導体層3が結晶成長しないマスク層5を形成する工程と、第1突起4aの上面4Aからそれぞれ第2突起4bの上面4Aのマスク層5を越えて単結晶基板2を覆うように半導体層3を結晶成長させる工程とを有する。そのため、単結晶基板2上に成長させる半導体層3の単結晶基板2に対する平坦性を向上させることができ、半導体層3の結晶性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】655nm以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高輝度・高効率であって応答速度が速く、光取り出し面放射される光のうち、光取り出し面に対して直交する方向における光の強度が強い指向性を持ち、かつ外部に効率良く熱を放出可能な発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】pn接合型の発光部3と、発光部3に積層された歪調整層13と、を少なくとも含む化合物半導体層11を備え、発光部3は、組成式(AlGa1−XIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)よりなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、歪調整層13は、発光部3の光を透過可能であると共に、歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、光取り出し面11aの反対側に位置する化合物半導体層11の面11bに、反射構造体4を介して接合された機能性基板5を有する。 (もっと読む)


【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】n型基板2上に、少なくともAlGaInP系材料からなるn型クラッド層4、活性層5、p型クラッド層6、及びp型p型電流分散層7を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ1であって、p型p型電流分散層7中の水素濃度の平均値を1.0×1017atoms/cm3以下にしたものである。 (もっと読む)


【課題】半導体膜内部における電流拡散を阻害することなく半導体膜内部を伝搬する光の自己吸収を抑制することができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】支持体上の反射電極と、反射電極上の第1クラッド層と、第1クラッド層上の発光層と、発光層の上に設けられ、凹部及び凸部からなるテラス構造を有し、凸部の頂面及び凹部の底面に凹凸形状の光取り出し構造が形成された第2クラッド層と、凸部の頂面上の表面電極と、を有し、第2クラッド層は、発光層上に、第1電流拡散層、第1電流拡散層上に設けられ凹部の底面の光取り出し構造を備える第1光取り出し層、第1光取り出し層上に設けられた第2電流拡散層、及び第2電流拡散層上に設けられ凸部の頂面の光取り出し構造を備える第2光取り出し層を含む積層構造を有し、第1光取り出し層及び第2光取出し層は、第1電流拡散層及び第2電流拡散層よりも小なる光吸収率と、第1電流拡散層及び第2電流拡散層よりも大なる抵抗値と、を有すること。 (もっと読む)


【課題】光出力を高めつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】放出光を放出可能な発光層と、第1電極と、前記発光層と前記第1電極との間に設けられた第1の層と、前記第1の層と前記第1電極との間に設けられた第2の層と、前記第1の層と前記発光層との間に設けられたクラッド層と、を備えた発光素子が提供される。第1の層は、第1導電形の第1の不純物濃度を有し、前記第1電極から注入されたキャリアを前記発光層の面内方向に拡散可能とする。第2の層は、前記第1の不純物濃度よりも高い第1導電形の第2の不純物濃度を有し、第1の面が前記第1の層と接触し、前記第1の面とは反対側の第2の面が前記第1電極の形成領域と非形成領域とを有し、平均ピッチが前記放出光の波長以下とされた網状または複数の島状の凸部が前記非形成領域に設けられている。前記クラッド層は、第1導電形を有する。 (もっと読む)


【課題】ピーク発光波長が655nm以上で、かつ信頼性を向上させることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】GaAs基板1と、GaAs基板1上に設けられたpn接合型の発光部2と、を備えた発光ダイオード用エピタキシャルウェーハであって、発光部2は、歪発光層と、バリア層とが交互に積層された積層構造とされており、バリア層の組成式を(AlGa1−XIn1−YP(0.3≦X≦0.7、0.51≦Y≦0.54)とする。 (もっと読む)


【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつGaAs基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】GaAs基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ10において、GaAs基板1とデバイス層3の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層2を備えたものである。 (もっと読む)


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