【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】所望のチップサイズおよびチップ形状とすることが容易な発光素子および半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】発光素子は、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出する。 （もっと読む）

【課題】従来の化合物半導体基板に比べて反りが小さく、これによって割れにくく、またハンドリングが容易であるという化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板１１上に発光層１３をエピタキシャル成長させる工程と、該発光層の前記ＧａＡｓ基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰ窓層１４を気相成長させる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記ｐ型ＧａＰ窓層を気相成長させた後に、該ｐ型ＧａＰ窓層の表面上に厚さ１μｍ以上のＧａＡｓ層１５を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層をエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ｐ型ドーパントガスを前記ｐ型層のエピタキシャル成長時より多く流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】破壊耐性が高く、波長スペクトルの形状を制御することができ、高出力を得ることが可能となるスーパールミネッセントダイオードを提供する。
【解決手段】光導波路を構成する活性層を備え、該光導波路を伝播しながら増幅された自然放出光を、該光導波路の出射側より出力するスーパールミネッセントダイオードであって、
前記光導波路に外部からレーザ光を照射し、前記活性層を励起状態にするためのレーザ光照射手段と、
前記光導波路を伝播する自然放出光の形状を変化させるために構成された、それぞれが異なる波長の光を発光する複数のＬＥＤと、
前記光導波路の出射端面と反対方向の光導波路の端部側の領域に形成された戻り光を減衰するための光吸収領域と、を有している。 （もっと読む）

【課題】出射光の偏光比が高い半導体発光素子及びそれを用いた偏光表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子２００は、基板２０１上に形成され、少なくとも２種類以上の偏光を有する光を発生する光ガイド領域を含む積層構造体２０２と、積層構造体２０２の主面に設けられ、光を光ガイド領域内において所定の方向に導波させるストライプ形状の導波路とを備え、積層構造体２０２は、光の導波方向と垂直な積層構造体２０２の端面の一部において、少なくとも光ガイド領域の一部を含んで凹形状に形成されたスリット部２１７を備える。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ表面平坦度およびダイオードチップを製造する際の発光強度の歩留まりを向上できるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層４、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層５、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６、及びＧａＰからなる電流拡散層７を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ１において、電流拡散層７が、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６上に形成されたＶ／ＩＩＩ比が１以上１００以下の低Ｖ／ＩＩＩ比部分８と、低Ｖ／ＩＩＩ比部分上に形成されたＶ／ＩＩＩ比が１００以上５００以下の高Ｖ／ＩＩＩ比部分９とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率であって耐湿性に優れた発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有する活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_ＹＩｎ_１−ＹＰ；０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）