【課題】低コストで製造できて、高精細な表示が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、絶縁性フレキシブル基板１と、絶縁性フレキシブル基板１上に形成され、絶縁性フレキシブル基板１の横方向に沿って延びる複数の行配線２，２，…と、絶縁性フレキシブル基板１上に形成され、絶縁性フレキシブル基板１の縦方向に沿って延びる複数の列配線３，３，…と、絶縁性フレキシブル基板１上にマトリクス状に配置された棒状赤色ＬＥＤ素子６Ａ、棒状緑色ＬＥＤ素子６Ｂおよび棒状青色ＬＥＤ素子６Ｃとを備えている。棒状赤色ＬＥＤ素子６Ａ、棒状緑色ＬＥＤ素子６Ｂおよび棒状青色ＬＥＤ素子６Ｃは、それぞれ、幅に対する長さの比が５以上かつ４００以下であり、かつ、その長さが０．５μｍ以上２００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面１２Ａおよび上面１２Ａに配置された複数のバンプ３０を備えた基板１であって、バンプ３０の各々が、上面１２Ａに対して実質的に平行な頂面３２および頂面３２と上面１２Ａとの間の複数の壁面３４を有するものである基板１２、および基板１２上に配置されたエピタキシャル層であって、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板１２上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４を被覆するものであってよい。 （もっと読む）

【課題】転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、 一方主面１５Ａから一部が突出するとともに、上面１４ａ´を有する突起１４ａを複数備えた単結晶基板１４と、
一方主面１５Ａの突起１４ａが配置されていない領域に設けられ、上部１４ａ´が突起１４ａの上面１４ａ´の高さ位置より高い位置にあるとともに、単結晶基板１４と異なる材料からなる複数の構造体１６と、単結晶基板１４上に構造体１６を被覆するように設けられた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板１２であって、結晶成長面１２は複数の凸部１２ａと、複数の凸部１２ａ同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部１２ａから離隔する位置に設けられる凹部１２ｂと、を備える単結晶基板１２と、単結晶基板１２上に設けられ、複数の凸部１２ａのうち、一対の互いに隣接する凸部１２ａと、当該一対の凸部１２ａ同士の間に位置する凹部１２ｂにおいて、凹部１２ｂと一対の凸部１２ａとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部１２ａ同士の間に向かって延びる複数の転位１６を、一対の凸部１２ａ同士の間で結合させた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 （Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_ｘＩｎ_１−ｘＰ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で構成される半導体層であって、第１導電型の第１半導体層、障壁層及び歪を有する井戸層を備える多重量子井戸構造の活性層、第２導電型の第２半導体層、第２導電型の第３半導体層がこの順に形成され、全体として平坦な積層である半導体層と、第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、第３半導体層に電気的に接続された第２電極とを有し、活性層の第２半導体層側の一部は、活性層の面内方向から垂直方向に傾斜しており、第３半導体層は、Ｇａ_１−ｚＩｎ_ｚＰ（０≦ｚ≦０．３５）で形成されている半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】輝度およびライフ等の諸特性が優れた高品質の化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層及び（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルへテロ構造がこの順で形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓバッファ層の厚さが、０．５μｍより厚いものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の向上と、均一な電流拡散、つまり電流−輝度特性の飽和電流値の向上との両方の特性の向上を満足させる。
【解決手段】ｎ型AlGaInP層の光取り出し面側の凸部構造ＳはAlGaInP半導体層の面方位［１１０］方向に沿う平行四辺形セルＣよりなり、各平行四辺形セルＣのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線は、Ｖ字形溝、Ｕ字形溝をなしている。平行四辺形セルＣの各頂点は隣合う平行四辺形セルＣの頂点と一致せず、各平行四辺形セルＣで平行にずれている。平行四辺形セルＣのＶ字形溝が分断され、平行四辺形セルＣのエッジが連続した光取り出し面を形成する。［１１０］方向に対しては平行四辺形セルＣのエッジで連続しており、平行四辺形セルＣ単位で結合、分岐を繰返して電流拡散が促進され、実線矢印Ｊで示す［１１０］方向に流れる電流は阻害されない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの基板を接合する際の割れやクラックを抑制し、製造歩留りを向上させる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基板、半導体層及び第１の金属層を有する第１の積層体と、第２の基板及び第２の金属層を有する第２の積層体と、を貼り合わせる半導体発光素子の製造方法であって、前記第１の積層体の劈開方向と前記第２の積層体の劈開方向とをずらし、前記第１の金属層と前記第２の金属層とを接触させて重ね合わせる工程と、前記第１の積層体と前記第２の積層体との間に加重を加えた状態で所定の温度に昇温し、前記第１の積層体と前記第２の積層体とを貼り合わせる工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光光度を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられる第１半導体層５、活性層６、及び第２半導体層７からなる発光層１３と、基板２と発光層１３との間に設けられるＤＢＲ（Distribution Bragg Reflector）層４と、基板２の下面に設けられる下部電極１０と、発光層１３上に設けられる上部電極１１とを有し、発光層１３上にＤＢＲブロック１２を設け、ＤＢＲブロック１２を覆うように上部電極１１を設けたものである。 （もっと読む）