【課題】発光光度を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられる第１半導体層５、活性層６、及び第２半導体層７からなる発光層１３と、基板２と発光層１３との間に設けられるＤＢＲ（Distribution Bragg Reflector）層４と、基板２の下面に設けられる下部電極１０と、発光層１３上に設けられる上部電極１１とを有し、発光層１３上にＤＢＲブロック１２を設け、ＤＢＲブロック１２を覆うように上部電極１１を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、コストが低いＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るＬＥＤパッケージは、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、ＬＥＤチップと、樹脂体と、を備える。前記ＬＥＤチップは、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられており、少なくともインジウム、ガリウム及びアルミニウムを含有する半導体層を有する。前記ＬＥＤチップの一方の端子は前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子は前記第２のリードフレームに接続されている。前記樹脂体は、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記ＬＥＤチップを覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させている。そして、前記樹脂体の外形が前記ＬＥＤパッケージの外形をなす。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率であって耐湿性に優れる６６０〜７２０ｎｍ帯発光に適した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０．２０≦Ｘ１≦０．３６）からなる井戸層と、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０＜Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるものとし、前記井戸層の厚さを３〜３０ｎｍとし、発光波長を６６０〜７２０ｎｍに設定されてなることを特徴とする発光ダイオードことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。
【解決手段】複数の半導体薄膜（２０）が基板（１１）上にあるときに、複数の半導体薄膜（２０）を互いに連結して支持するための、感光性のシート状部分（１０１）を有する連結支持体（１００）を設ける。連結支持体（１００）のシート状部分（１０１）を半導体薄膜（２０）の上に設けた後、シート状部分（１０１）に貫通孔（１０３）を形成する。貫通孔（１０３）が、エッチング液を少なくとも基板（１１）の面に垂直な方向に通過させる。これにより、複数の半導体薄膜（２０）を基板（１１）から剥離する。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率に優れる７６０〜８５０ｎｍ帯発光に適した発光ダイオードおよびランプを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦０．２）からなる井戸層と、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０＜Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるものとし、前記井戸層の厚さを３〜３０ｎｍとし、発光波長を７６０〜８５０ｎｍに設定されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学系部品を追加することなく、導光板との十分な結合効率を得ることが可能な発光素子用基板及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用基板は、発光層を含む半導体層（ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、基板）と、発光層から間隔を隔てて配置された２次元回折格子（フォトニック結晶構造層３）とを備える。フォトニック結晶構造層３では、フォトニック結晶構造層３が延在する平面において、フォトニック結晶を構成する格子点の集合（個々の格子点の形状を無視した、格子点の並びのみを考慮した集合）が２回の回転対称性のみを有し、３回以上の回転対称性を有さないようになっている。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ；０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１及び第２のガイドと、該第１及び第２のガイドのそれぞれを介して活性層を挟む第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有する発光部と、発光部上に形成された電流拡散層と、電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、第１及び第２のクラッド層が組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_Ｙ３Ｉｎ_１−Ｙ３Ｐ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ３≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）Ａｓ（０≦Ｘ３≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して前記活性層を挟む第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第１及び第２のクラッド層が組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率及び高い降伏電圧Ｖｒを備えるとともに、降伏電圧Ｖｒのロット間ばらつきが低減された半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１のクラッド層と、平均ドーパント濃度が第１のクラッド層よりも低い第２のクラッド層と、平均ドーパント濃度が２×１０^１６ｃｍ^−３〜４×１０^１６ｃｍ^−３であって（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_ｘＩｎ_１−ｘＰ（0＜ｘ≦1、0≦ｙ≦1）からなる活性層と、第３のクラッド層と、Ｇａ_１−ｘＩｎ_ｘＰ（0≦ｘ＜1）からなる第２導電型半導体層と、有し、第２のクラッド層の層厚をｄ（ｎｍ）とし、第２のクラッド層の平均ドーパント濃度をＮ_ｄ１（ｃｍ^−３）とした場合に、ｄ≧１．２×Ｎ_ｄ１×１０^−１５＋１５０の関係式を満たすこと。 （もっと読む）

【課題】高輝度発光ダイオードの製造工程で実施される熱処理による輝度特性の低下を抑制可能な発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光層１０を含むｐｎ接合構造の発光部７を有する化合物半導体層２と、基板３とが接合され、化合物半導体層２の光取り出し面２ａ側に設けられた第１の電極４と、光取り出し面２ａと反対側の面に設けられた透明導電膜からなる第２の電極５とを備え、化合物半導体層２と透明導電膜との間に半導体コンタクト層６が設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を選択する。 （もっと読む）