【課題】ＳｉあるいはＧａＰ技術をベースとする集積回路にモノリシックに集積化される、新しいＩＩＩ／Ｖ半導体を用いた、発光ダイオードおよびレーザダイオードの半導体構造及び製造方法、あるいはまた、モジュレータ構造および検出器構造への使用法を提供する。
【解決手段】ドープされたＳｉあるいはドープされたＧａＰをベースとするキャリア層Ａ、およびそこに配設されたＩＩＩ／Ｖ半導体Ｄを備え、組成Ｇａ_ｘＩｎ_ｙＮ_ａＡｓ_ｂＰ_ｃＳｂ_ｄを有するモノリシック集積回路構造であって、ここで、ｘ＝７０−１００モル−％、ｙ＝０−３０モル−％、ａ＝０．５−１５モル−％、ｂ＝６７．５−９９．５モル−％、ｃ＝０−３２．０モル−％およびｄ＝０−１５モル−％、ｘとｙの合計は、常に１００モル−％であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの合計は、常に１００モル−％であり、そして、一方のｘとｙの合計と他方のａないしｄの合計の比率は、実質的に１：１である。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、第１クラッド層１０４と、第１クラッド層１０４の上方に形成された活性層１０６と、活性層１０６の上方に形成された第２クラッド層１０８と、を含み、活性層１０６のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域１６０，１６２を構成し、複数の利得領域１６０，１６２に生じる光の波長帯において、活性層１０６の第１側面１０５の反射率は、第１側面１０５に対向する活性層１０６の第２側面１０７の反射率よりも高く、第１利得領域１６０と、第２利得領域１６２とは、重なり面において重なっており、第１利得領域１６０の第２側面１０７側の端面１７２から出射される光２０と、第２利得領域１６２の第２側面１０７側の端面１７６から出射される光２２とは、同一の方向または集束する方向に進む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族物質を含む半導体素子及びその製造方法に係り、該半導体素子は、溝を含むシリコン基板３０と、溝周囲の基板上に形成されたハードマスク３２と、溝を充填する、ハードマスク上に形成された第１物質層３４と、第１物質層上に形成された上部物質層３６、及び上部物質層上に形成された素子層と、を含み、該第１物質層は、ＩＩＩ−Ｖ族物質層であり、該上部物質層は、第１物質層の一部でもあり、該上部物質層は、第１物質層と同一物質または異なる物質であってもよい。 （もっと読む）

【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた発光層２４を含む化合物半導体層１０と、基板１と化合物半導体層１０との間に設けられたオーミックコンタクト電極７と、化合物半導体層１０の基板１の反対側に設けられたオーミック電極１１と、オーミック電極１１の表面を覆うように設けられた枝部１２ｂと枝部１２ｂに連結されたパッド部１２ａとを含む表面電極１２と、発光層２４のうちパッド部１２ａと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層２４ａと、パッド部１２ａと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層２４との間に設けられ、パッド下発光層２４ａに供給される電流を妨げる電流遮断部１３とを備える発光ダイオード１００とする。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、光出力の駆動電流に対する線形性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態は、ＧａＡｓ系化合物半導体を材料とし発光波長のピークが９５０ｎｍ〜９８０ｎｍの範囲にある発光素子であって、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、を備える。さらに、前記第２半導体層の上に設けられた第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記第２半導体層の平面視におけるチップ面積が、０．１５ｍｍ×０.１５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＩ−Ｌ特性のばらつきを低減し、高輝度及び高出力で、歩留まり及び信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、表面の二乗平均粗さが０．８ナノメートル以下のＧａＡｓ基板１１上に、第１導電型ＧａＡｓバッファ層１２、第１導電型クラッド層１３、第１導電型クラッド層上に、単一構造（バルク構造）又は量子井戸を有する構造の活性層１４を形成し、さらに、第２導電型クラッド層を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】高輝度化に適した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード５０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２と、半導体積層構造２の表面に形成された透明電極膜３とを含む。半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１５に対して活性層１０とは反対側に配置されたｐ型ＧａＰウインドウ層１７と、ｐ型ＧａＰウインドウ層１７におけるｐ型クラッド層１５とは反対側に形成されたｐ型コンタクト層１８とを含む。ｐ型コンタクト層１８は、炭素がドープされたＧａＰからなる。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る自己走査型発光素子アレイを提供する。
【解決手段】自己走査型発光素子アレイは、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTｎ、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】接合層１８０，２２０を介して支持構造体２０と接合される発光構造体１０は、接合層１８０，２２０の上に配置され、金属材料からなる反射層を備える第１反射部と、第１反射部の上に配置される発光層１４２を備える半導体積層部１０ｓと、第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、半導体積層部１０ｓは、電極と第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備え、第２反射部の側面には、金属材料からなる第３反射部が設けられている。 （もっと読む）