【課題】中間層の一部および支持基板の一部の少なくともいずれかが露出している複合基板であっても、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板の製造方法は、支持基板１０と、その主面の少なくとも一部上に配置された中間層２０と、その主面の少なくとも一部上に配置されたＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、ＩＩＩ族窒化物層３０ａの主面と、中間層２０の主面の一部および支持基板１０の主面の一部の少なくともいずれかと、が露出している第１の複合基板１を準備する工程と、第１の複合基板１の中間層２０の露出部分を選択的にエッチングにより除去することにより第２の複合基板２を得る工程と、第２の複合基板２の支持基板１０の主面の露出部分を所定の深さまで選択的にエッチングにより除去することにより第３の複合基板３を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Ｉｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０＜ｘ１≦１）の式で表わされる第１のバッファ層と、Ｉｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２＜１、ｘ２＜ｘ１）の式で表わされる第２のバッファ層と、を有しており、第１のバッファ層のＩｎ組成ｘ１は変化し、第１のバッファ層の少なくとも１層のＩｎ組成ｘ１が、活性層のＩｎ組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】レジスト層のパターニングを用いてＧａＮＬＥＤ層を選択的に織地化する。
【解決手段】ＧａＮＬＥＤデバイスを製造する方法に関し、少なくともＧａＮ層を含むスタック層が織地化される。該方法は、その表面に前記スタック層を備えた基板を用意するステップと、レジスト層を前記スタック層に直接に堆積させるステップと、前記レジスト層の１つ又はそれ以上の第１部分を覆い、前記レジスト層の１つ又はそれ以上の第２部分を覆っていないマスクを、前記レジスト層の上方に位置決めするステップと、前記レジスト層の第２部分を光源に露出するステップと、マスクを除去するステップと、レジスト層を、カリウム(potassium)を含む現像液に接触させるステップとを踏む。前記現像液は、露光された前記レジスト部分の下方に位置したエリアにおいて、表面に湿式エッチングを施すことによって、露光された前記レジスト部分を除去し、前記スタックの少なくとも上部層の表面を織地化する。 （もっと読む）