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国際特許分類[H01L33/40]の内容

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国際特許分類[H01L33/40]に分類される特許

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【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するITO膜を有する半導体発光装置において、ITO膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置1は、発光層を含む半導体膜20と、半導体膜上に設けられたITO膜30と、ITO膜30の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部80と、ITO膜30の上面に設けられた光反射性を有する反射電極40と、ITO膜30、酸素吸着部80および反射電極40からなる積層体を覆うキャップ層50と、キャップ層50上に接合層61を介して接合された支持基板60と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 半導体層と電極層との間に設けられた下地層および下地層と半導体層の界面の腐食の発生を防止した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子において、n伝導型の半導体からなる半導体層(2)と、該半導体層(2)に設けられNi、Alから選ばれる金属を含む下地層(4)と、該下地層(4)の上面および側面を覆うように設けられAuからなる電極層(5)と、を備え、腐食を受け易いNiやAl等の金属から構成される下地層(4)を腐食を受け難いAu等から構成される電極層(5)により覆い、下地層(4)がむき出しにならないようにして腐食の発生を防止する。 (もっと読む)


【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1、第2電極層、第1、第2半導体層、発光層及び第1中間層を含む半導体発光素子が提供される。第1電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が10nm以上5μm以下の複数の貫通孔が設けられている。第2電極層は光反射性である。第1半導体層は、第1電極層と第2電極層との間に設けられ第1導電形である。第2半導体層は第1半導体層と第2電極層との間に設けられ第2導電形である。発光層は、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられる。第1中間層は、第2半導体層と第2電極層との間に設けられ、光透過性である。第1中間層は、複数の第1コンタクト部と、第1非コンタクト部と、を含む。第1非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第1コンタクト部と並置される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、互いに対向する第1及び第2面とを有し、上記第1及び第2面を夫々提供する第1及び第2導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝によって第1及び第2領域に分割された半導体積層体と、上記第1領域の第2面から上記活性層を経て上記第1導電型半導体層の一領域に連結された少なくとも一つのコンタクトホールと、上記半導体積層体の第2面上に形成され、上記少なくとも一つのコンタクトホールを介して、上記第1領域の第1導電型半導体層に連結され、上記第2領域の第2導電型半導体層に連結された第1電極と、上記第1領域の第2面上に形成され、上記第1領域の第2導電型半導体層に連結された第2電極と、上記第2電極と上記第2領域の第1導電型半導体層とを連結する電極連結部と、を含む半導体発光装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒素物系発光素子は、基板110、n型クラッド層130、活性層140、
p型クラッド層150、格子セル層160及びオーミック接触層が順次に積層された構造
よりなっている。また格子セル層160は導電性を有する素材で30μm以下の大きさを
有する粒子型セルがオーミック接触層内に埋め込まれて、相互離隔されて形成されている
発光素子である。このような窒素物系発光素子とその製造方法は、p型クラッド層とのオ
ーミック接触特性が改善されているため発光効率及び素子寿命を向上させ、かつウェーハ
成長後の活性化工程を省略できて、製造工程を単純化させうる。 (もっと読む)


【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記p電極が前記p型半導体層上に少なくとも一部が網目状に形成されたNiO層と、このNiO層に接して形成されたAg層とを含む。 (もっと読む)


【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体からなる活性層に積層されたn型またはp型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも2層の第1メタル層と、該第1メタル層と交互に積層された第2メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第2メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第2メタル層以外の第2メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第2メタル層を構成する第2メタル材料は該第1メタル層を構成する第1メタル材料よりも導電率は低いが該第1メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。 (もっと読む)


【課題】接合下向き実装を改良するLED接着構造及びLED接着構造の製造方法を提供する。
【解決手段】LEDチップ30は、Sn、AuSn又はその他の金属のような、熱超音波接着又は熱圧着に適したボンド・パッド31を含む。ボンド・パッド31の物理的寸法は、鑞を用いる又は用いない熱圧着又は熱超音波接着の間に、ハンダの押し出しを発生し難くする又は防止するように選択する。実施形態によっては、押し出しを生ずることなく、30g〜70g又はそれ以上の力を受け入れるように、AuSnボンド・パッドを設計する。 (もっと読む)


【課題】Top Emitting型の深紫外発光ダイオードの効率を改善し、高効率で安価な深紫外発光ダイオードを提供する。
【解決手段】p型電極7の主成分をAgとし、膜厚を6nmとする。発光層4の発光波長を320±5nmに調整する。発光層4としては、InAlGaNなどの窒化物半導体層、MgZnOなどの酸化物半導体層を利用する。 (もっと読む)


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