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国際特許分類[H01L33/44]の内容

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【課題】透明導電膜の透過率を低下させることなく、絶縁保護膜を形成することができる絶縁保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】透明基板に形成された透明導電膜上にプラズマ処理により絶縁保護膜を形成する絶縁保護膜形成方法において、基板の単位面積当たりのプラズマのRFパワーを1.84W/cm2以下とし、加熱時間を60秒以下として、プラズマにより透明基板を加熱し(S1)、RFパワーを1.84W/cm2以下として、透明導電膜上に第1の絶縁保護膜を形成し(S2)、RFパワーを1.84W/cm2より大きくして、第1の絶縁保護膜上に第2の絶縁保護膜を形成する(S3)。 (もっと読む)


【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1導電型半導体層、活性層および第2導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第2導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 (もっと読む)


【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第2の絶縁膜に被覆された第1領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第1の絶縁膜および第2の絶縁膜に被覆された第2領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第2領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 (もっと読む)


【課題】LEDダイ底面にマザー基板との接続電極を備えるLED素子では、ゴミやバリなどに対する実装制限を緩和するため接続電極を突起させることが好ましい。このLED素子を簡単に効率よく製造できるようにする。
【解決手段】突起電極12,13を備えるLEDダイ16と粘着シート31を準備し、この粘着シート31の粘着層31aにLEDダイ16の底面が接触するように突起電極12,13を沈み込ませながら、粘着シート31上にLEDダイを配列し、粘着シート31とともにLEDダイ16を蛍光体層で覆ってから蛍光体層11を切断し、個片化したLED素子10を得る。 (もっと読む)


【課題】高輝度で、かつ劣化を抑制し、信頼性の向上を図ることができる半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と第2の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第1の半導体層の上に設けられた第1の電極と、前記第2の半導体層の上に設けられ銀または銀合金の少なくともいずれかを含む第1の金属膜と、前記第1の金属膜の上に設けられ銀を実質的に含まない金属からなる第2の金属膜と、を有する第2の電極と、前記第2の半導体層の上において前記第1の金属膜から離間して設けられた誘電体膜と、を備え、前記第2の金属膜は、前記第1の金属膜と、前記誘電体膜の少なくとも一部と、前記第1の金属膜と前記誘電体膜との間に露出した前記第2の半導体層の表面と、を被覆してなることを特徴とする半導体発光素子が提供される。 (もっと読む)


【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性基板と、半導体素子部と、導電性基板の一方主面の少なくとも一部を覆う第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に配置されたパッド電極と、パッド電極の上面に接合したボンディングボールを備えるボンディングワイヤとを有する半導体装置であって、パッド電極の周辺領域で第1絶縁膜を被覆する第2絶縁膜をさらに備え、第2絶縁膜は、第1絶縁膜の周辺領域からパッド電極の側面のうち第1絶縁膜側の一部領域にかけて連続して被覆している被覆部分と、被覆部分に連なってパッド電極の側面から内部に入り込んで延在している延在部分とを備え、延在部分の少なくとも一部が、ボンディングボールの下方に位置していることを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】保護膜及びその上の電極膜が均一な膜厚で形成された発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、上部に平坦部と傾斜側面及び頂面を有するメサ型構造部とを有し、平坦部及びメサ型構造部はそれぞれ、少なくとも一部は保護膜、電極膜によって順に覆われ、傾斜側面はウェットエッチングによって形成されてなると共に頂面に向かって水平方向の断面積が連続的に小さく形成され、保護膜は、平坦部の少なくとも一部と、傾斜側面と、頂面の周縁領域とを覆うとともに、平面視して周縁領域の内側に化合物半導体層の表面の一部を露出する通電窓を有し、電極層は、前記通電窓から露出された化合物半導体層の表面に直接接触すると共に、前記平坦部上に形成された保護膜の一部を少なくとも覆い、前記メサ型構造部の頂面上に光射出孔を有するように形成された連続膜である、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光半導体素子の表面上にコーティング層を形成するために用いられ、光半導体装置から発せられる光の色の安定性を高めることができる光半導体装置用コーティング材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用コーティング材料は、光半導体素子3の表面上にコーティング層4を形成するために用いられる。本発明に係る光半導体装置用コーティング材料は、アルケニル基を有する第1のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子を有する第2のオルガノポリシロキサンと、酸化珪素粒子と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。本発明に係る光半導体装置1は、光半導体素子3と、光半導体素子3の表面3a上に配置されたコーティング層4とを備える。コーティング層4は、上記光半導体装置用コーティング材料により形成されている。 (もっと読む)


【課題】支持基板上に絶縁膜を介して半導体素子を搭載した半導体装置において、絶縁膜の絶縁性能が改善された半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた金属層と、金属層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に金属層を介して設けられ半導体膜と、を含む。絶縁膜は、第1の絶縁体層と、第2の絶縁体層と、第1および第2絶縁体層の間に設けられた金属酸化物導電体層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】透光性導電膜と、その上に形成されたパッド電極および絶縁保護膜を有する、信頼性の高いGaN系発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】GaN系発光ダイオード素子10は、透光性導電膜14上に形成されたパッド電極15が、透光性導電膜14に接する第1パッド電極膜15−1と、該第1パッド電極膜上に形成された第2パッド電極膜15−2とを有しており、導電性酸化物膜14上から第1パッド電極膜15−1上にかけて連続するように形成された絶縁保護膜16の一部が、第1パッド電極膜15−1と第2パッド電極膜15−2との間に挟まれていることから、絶縁保護膜16の剥離が発生し難い、信頼性の高いものとなる。 (もっと読む)


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