【課題】 熱起電力の大きさが異なる２種類の導体を接続した従来から示されている熱電対による熱起電力は小さいので、温度が低い太陽熱を利用して実用的な太陽熱発電をするには適さない。
【解決手段】 熱起電力の大きさが異なる２種類の導体のうち、図１のように一方をフェライト導体（導電性フェライト）を用いた熱電対（フェライト熱電対と呼称）を作り、この両導体の接続面を熱すると、従来の熱電対の約１００倍の熱起電力が得られるので、太陽熱発電の実用化への道が拓けた。 （もっと読む）

【課題】赤外線を受光又は放出することで発生する熱によって特性が変化するデバイスからなる赤外線センサーを備えた半導体集積回路において、赤外線センサーの直流電圧出力成分が周囲温度に依存しないようにする。
【解決手段】第１トランジスタＭ６５は赤外線センサーＳ６１と接地電位間に配置され、抵抗Ｒ６２を介して電源Ｖｄｄに接続された第２トランジスタＭ６４は第１トランジスタＭ６５に流れる電流に比例した電流を流す。第３トランジスタＭ６６はダミーセンサーＳ６２と接地電位間に配置され、抵抗Ｒ６３を介して電源Ｖｄｄに接続された第４トランジスタＭ６７は第３トランジスタＭ６６に流れる電流に比例した電流を流す。トランジスタＭ６４と抵抗Ｒ６２の間の端子を赤外線センサー出力端子Ｖｏｕｔ６１とし、トランジスタＭ６７と抵抗Ｒ６３の間の端子をダミーセンサー出力端子Ｖｏｕｔ６２とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＴＲ素子を構成するために有利に用いられる、ＡサイトにおいてＲとＢａとが整列した構造を有する酸化物導電体を能率的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】ＣＴＲ素子１に備える素子本体２を構成する、Ａサイト整列構造を有する、酸化物導電体を製造するため、Ｒ（ＲはＮｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹの少なくとも１種）、ＢａおよびＭｎを含み、これらを化学式ＲＢａＭｎ_２Ｏ_６で示される主成分組成が得られるように秤量して、出発原料を用意し、出発原料を仮焼することによって、仮焼粉を得、仮焼粉を所定の形状に成形することによって、成形体を得、成形体を本焼成することによって、焼結体を得、焼結体を再酸化処理する。そして、本焼成を、酸素分圧１×１０^−６ＭＰａ〜５×１０^−１２ＭＰａの条件下で実施する。 （もっと読む）

【課題】従来の技術では、支持脚の熱コンダクタンスの低減を図る際に、支持脚配線の微細化に対して、マスクの精度で支持脚配線の微細化が決定され、それ以下のサイズで安定した微細化を図ることが困難であった。
【解決手段】本発明では、支持脚配線の微細化において、支持脚３の断面積を小さくするため、周囲の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ１０及びＴＥＯＳ１１に対し、支持脚３に相当する領域のみをエッチングすることにより、支持脚３を低背化することができ、マスクで決定するサイズ立則にとらわれない微細化された支持脚構造を有する赤外線撮像素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 （もっと読む）

【課題】太陽光をさらに有効活用し、より多くの電力を得ることのできる太陽電池を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子と熱電変換素子を備え、前記光電変換素子が表面保護基板と裏面保護基板と枠体により囲まれており、且つ、前記熱電変換素子が前記裏面保護基板部分もしくは前記枠体部分に設置されていることを特徴とする太陽電池とした。また、光電変換素子と熱電変換素子を備え、前記光電変換素子が表面保護基板と裏面保護基板と枠体により囲まれており、且つ、前記熱電変換素子が前記裏面保護基板部分に設置されており、且つ、前記熱電変換素子が上部に光電変換素子が設けられておらず太陽光が通過する箇所に設置されていることを特徴とする太陽電池とした。 （もっと読む）

【課題】近年の半導体の高集積化、また画像装置の高精細化に伴ない、基板上の絶対温度を正確に測れることが要請されている。本発明は、基板全面に亘る複数点で、絶対温度を正確に測れる温度測定素子、温度測定装置、基板処理装置及び電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、該基板の一方の側の一の面に位置する前記基板より大きな熱伝導率を有する電気的絶縁物である第一の膜、上記第一の膜の基板と反対側に位置する第一の熱電対金属及び前記第一の熱電対金属と接触する部分を有する第二の熱電対金属を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】赤外線検出素子は、Ｎ型のＩｎＡｓからなる半導体基板１と、半導体基板１上に形成されたＩｎＡｓ_Ｘ１Ｓｂ_１−Ｘ１を含むバッファ層２，３，４と、バッファ層２，３，４上に形成されたＩｎＡｓ_Ｘ２Ｓｂ_１−Ｘ２からなる光吸収層５と、光吸収層５上に形成されたＩｎＰＳｂからなるキャップ層６とを備えている。組成比Ｘ１は、組成比Ｘ２よりも大きく、組成比Ｘ１は、半導体基板１から光吸収層５に近づくに従って段階的に減少しており、キャップ層６の表面から光吸収層５内にＰ型不純物が添加されてなる。なお、半導体基板１としてＩｎＳｂを用いた場合には、組成比の関係は逆となる。 （もっと読む）

【課題】効率よく短時間で熱することが可能な素材を加熱して熱源として用い、当該素材を熱する処理の有無を発電のスイッチとすることが可能な熱電モジュールの提供。
【解決手段】熱電素子及び当該素子の接続電極を一対の支持基板間に有する熱電モジュール本体を備え、カーボンナノチューブを含むゲル状組成物を一方の支持基板の表面に接触させた、熱電モジュール。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化処理に用いる薬液により、半導体基板と保護膜との剥離を抑制する多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】拡散層１２が形成された半導体基板１０に酸化膜１４を形成する工程と、酸化膜１４の所定の位置に複数の接続孔を設け、該接続孔に配線２２を形成した後、配線２２で挟まれた領域に拡散層１２の表面が露出するような開口部２４を設ける工程と、開口部２４の外周縁部に溝２６を形成し、溝２６を埋め込むように半導体基板１０の拡散層１２が形成された面の全面に保護層２８を堆積する工程と、開口部２４の外周縁部に保護層２８が残存するように開口部２４の保護層２８を除去し、拡散層１２を露出する工程と、開口部２４に残存した保護層２８を保護膜３２として、露出した拡散層１２を陽極酸化処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 梁部の幅を狭くすることによって素子特性を向上させ得る赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】 赤外線検出素子は、半導体基板上に空隙を介して形成された熱電変換部を有する赤外線検出部と、半導体基板上に空隙を介して形成されかつ赤外線検出部を支持しかつ赤外線検出部および半導体基板間の電気的接続をなす梁部と、を有する赤外線検出素子であって、梁部は絶縁材料膜を有しかつ絶縁材料膜から梁部の側面に露出した導電性材料層を有する。 （もっと読む）