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国際特許分類[H01L43/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (4,179)

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複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、p型ドーピングナノワイヤおよびn型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
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【課題】励磁コイル内でMI素子に生じる出力電圧特異値を信号処理することにより、非磁性導体からなる対象物の位置、変位、ずれ、距離、厚さ、面ぶれ、振動表面の凹凸、回転数、速度、等を高感度検出できるセンサを提供する。
【解決手段】 非磁性導体対象物の検出センサであって、該非磁性導体対象物が励磁コイルと磁気的に相互作用のない距離に離した場合および該非磁性導体対象物と励磁コイルが近接している場合、励磁コイル内及び励磁コイルの周縁外部のMIセンサの出力値に現れる最小値および最大値、および最大値から最小値への過渡曲線の任意の位置近辺で励磁コイルとMIセンサを固定してそれぞれ目的に合った高感度センサの提供を可能とする。 (もっと読む)


【課題】 小型の磁電変換素子に対する磁束の収束効率を向上させることができる磁気検出装置、及びこれを用いた地磁気センサを提供する。
【解決手段】 SOI基板5の一方面からその厚み方向に形成された凹部7と、凹部7内の表面に形成された磁性体部8と、SOI基板5の一方面に対向する面に形成された磁性体部10と、磁性体部8及び10の間に形成された磁電変換素子6とを有する磁気検出装置であって、凹部7は、その周壁がSOI基板5の一方面に対し略垂直に形成され、磁電変換素子6の感度領域を、凹部7の周壁の延長線と交わる位置に形成した。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、電極配線の本数および電極配線の抵抗を低下させることによって、画素が高密度でかつ消費電力の少ない空間光変調器を提供することにある。さらには、当該空間光変調器に用いる駆動回路、並びに当該駆動回路を用いた空間光変調器の駆動方法を提供することに関する。
【解決手段】 本発明にかかる空間光変調器50は、マトリックス状に配設された複数の光磁気効果素子1と、隣接する前記光磁気効果素子1の間に配設される下部電極配線2と上部電極配線3と、前記下部電極配線2と上部電極配線3各々に流れる電流の向きを設定する駆動回路とを備えた空間光変調器50において、下部電極配線2と上部電極配線3が前記各光磁気効果素子の間に1本となるように配設されている。また下部電極配線2と上部電極配線3の一端は各々共通配線4に接続され、かつ他端が前記駆動回路に接続されている。 (もっと読む)


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