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国際特許分類[H01L43/08]の内容

国際特許分類[H01L43/08]に分類される特許

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【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Co−Fe−B磁性層と、少なくとも1つの非磁性層を有し、酸化物層、Co−Fe−B磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 (もっと読む)


【課題】電力検知を精度良く行う。
【解決手段】磁気抵抗素子11を備えた電力検知センサ10であって、測定対象となる負荷Aに印加される電圧を、磁気抵抗素子11の抵抗成分に基づいて検知し、負荷Aに流れる電流を、磁気抵抗素子11の近傍に配置される電気配線waより発生する磁界に基づく磁気抵抗素子の出力変化、および磁気抵抗素子11の磁気抵抗変化に基づいて検知し、電力検知を行う。 (もっと読む)


【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。 (もっと読む)


【課題】少ない電流で高速に動作させることが可能な記憶素子・記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶層14と磁化固定層12とこれらの間に配された非磁性体による中間層13とキャップ層15とを少なくとも含み、上記記憶層として、第1の強磁性層14iと第2の強磁性層14pとが結合層14cを介して磁気的に結合され、上記第1の強磁性層が上記中間層に接し、上記第2の強磁性層が上記キャップ層に接しており、上記第1の強磁性層と上記第2の強磁性層のうち一方が膜面内磁化が優位な面内磁化層とされ、他方が垂直磁化が優位な垂直磁化層とされ、上記第1の強磁性層及び上記第2の強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜しているものを用いる。記憶層の磁化の向きが傾斜しているので、記憶素子に対し膜面に垂直な方向の電流を流すと速やかに強磁性層の磁化の歳差運動の振幅増加が始り、短い時間の反転動作が可能になる。 (もっと読む)


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