【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が１０ｎｍ以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第１の保護膜と、第１の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第２の保護膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】より小さい磁場で磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する。
【解決手段】磁気メモリ１０の磁場印加装置（製造装置）３０は、磁気メモリ１０の磁性層１５に磁場を印加し、磁性層１５の磁化方向を初期化する磁石３２Ａ及び３２Ｂと、磁性層１５に磁場（反転磁場）が印加されている間に、磁性層１５に高周波磁場（マイクロ波磁場）を印加する磁場発生器３３と、制御回路３４とを含む。磁性層１５に磁場を印加すると同時に、高周波磁場を印加することで、小さい反転磁場で磁性層１５の磁化方向を所定の方向に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗素子を利用した生体磁気センサーにおいて、トンネル磁気抵抗素子の高感度を達成し、高精度に生体磁気を計測する。
【解決手段】ゼロ磁界での強磁性金属磁化自由層４の容易磁化軸４ａは、強磁性金属磁化固定層６の容易磁化軸６ａに対してねじれの位置にある。好ましくはねじれの角が４５度から１３５度である。また、当該固定層が自由層より上層に積層され、固定層の面積は自由層の面積に対して小さくされる。当該固定層及び自由層がそれぞれ３層とされ、極薄非磁性体金属層を介して第１の強磁性体の磁化の向きと前記第２の強磁性体の磁化の向きとが反平行になる交換結合力を有する反平行結合膜構造体とされる。絶縁層としてはＭｇＯ、極薄非磁性体金属層としてはＲｕが適用される。 （もっと読む）

【課題】より小さい磁場で磁性層の磁化方向を所定の方向に設定する。
【解決手段】磁気メモリ２１の磁場印加装置３０は、磁気メモリ２１の磁性層に磁場を印加し、磁性層の磁化方向を初期化する磁石３２Ａ及び３２Ｂと、磁性層に磁場が印加されている間に、磁気メモリ２１の温度を上昇させる温度上昇機構３３と、制御回路３４とを含む。磁石３２Ａ及び３２Ｂはそれぞれ、設定する磁化方向に応じて、磁場を発生し、磁気メモリ２１の上から下へ向かう磁場、又は下から上へ向かう磁場が印加される。 （もっと読む）

【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材１０の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材１１に膜体１２を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、１又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの元素を含む膜体１２を被処理部材１１の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を１種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材１１に形成された膜体１２には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが含まれている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気抵抗材料と集積回路とを巧みに統合することのできる、磁気抵抗素子構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、上記基板の上に金属ダマシン構造を形成する工程と、該金属ダマシン構造に電気的に接続するように該金属ダマシン構造の上にパターン化磁気抵抗ユニットを形成する工程とを含む、磁気抵抗素子構造の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】この発明のさまざまな実施例は、第１の強磁性自由層１３８と第２の強磁性自由層１４０との間に配置されたスペーサ層１４２とともに構築されてもよい、磁気応答積層１３２に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比（ＭＲ）を向上させる結合サブ層１８６，１９６を有することができる。 （もっと読む）

【課題】装置、センサおよびセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】さまざまな実施の形態が、概して所定の第１の形態を有する減結合層で構築された磁気センサに向けられる。磁気自由層は、減結合層に接して隣り合うように蒸着可能であり、減結合層は、処置得の第２の形態を有する少なくとも第１のサブ層を有するように構成された磁気自由層を有する。 （もっと読む）