国際特許分類［H01L45/00］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 電位障壁または表面障壁をもたず，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される固体装置，例．誘電体三極素子；オブシンスキー効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (1,392)
国際特許分類［H01L45/00］の下位に属する分類
固体進行波装置
国際特許分類［H01L45/00］に分類される特許
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スイッチング素子
【課題】 転移確率を高くしてスイッチング特性を安定化した、双安定特性を持つスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 少なくとも２つの電極間に、印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つ有機双安定化合物を含む有機双安定材料層を配置してなるスイッチング素子であって、基板１０上に、第１電極層２０ａ、金属微粒子含有層４０、有機双安定材料層３０、第２電極層２０ｂの順に薄膜として形成され、金属微粒子含有層４０が、金属微粒子と有機双安定化合物とを含む層である。
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下地メモリ素子と接触するダマシン導線
ダマシン法を用いて、相変化メモリ内の底部導線に接続される電極が形成される。層変化メモリは、複数の分離されたメモリセルで構成されても良く、各メモリセルは、相変化メモリ閾値スイッチと、相変化メモリ記憶素子とを有する。 
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