【課題】不揮発性メモリ部内蔵のＳＲＡＭの特性の向上を図る。
【解決手段】ＳＲＡＭを構成するアクセストランジスタＡｃｃ１とビット線ＢＬとの間に抵抗変化層Ｒを有するＲｅＲＡＭ部ＲＭ１を設け、アクセストランジスタＡｃｃ２とビット線／ＢＬとの間に抵抗変化層Ｒを有するＲｅＲＡＭ部ＲＭ２を設ける。ＳＲＡＭ通常動作期間の終了時において、例えば、蓄積ノードＡに低電位（Ｌ＝０Ｖ）、蓄積ノードＢに高電位（Ｈ＝１．５Ｖ）が保持されている場合、ＲｅＲＡＭ部ＲＭ１をオン状態（ＯＮ）とし、ＲｅＲＡＭ部ＲＭ２をオフ状態（ＯＦＦ）とすることで、ＳＲＡＭの保持データをＲｅＲＡＭ部へ書き込み、再び、ＳＲＡＭ通常動作となった場合には、蓄積ノードＡおよびＢに対応するデータ書き戻すとともに、ＲｅＲＡＭ部ＲＭ１、ＲＭ２の双方をオン状態に（リセット）する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メモリ用途のセレクタデバイスに関する。
【解決手段】本発明に係るセレクタデバイスは、ＭＩＴ素子およびこれに熱的に連動する分割ヒータを備えたメモリアレイ内のメモリ素子を選択するためのセレクタデバイスであって、ＭＩＴ素子は、ＭＩＴ材料構成要素とバリア構成要素とを有し、分割ヒータを用いて相転移温度より高い温度に加熱されることにより、高抵抗状態から低抵抗状態に切り換え可能であり、バリア構成要素は、高抵抗状態にあるＭＩＴ素子の抵抗値を大きくするように構成されたことを特徴とするものである。セレクタデバイス。 （もっと読む）

【課題】メモリ保持特性に優れた有機分子メモリを提供する。
【解決手段】実施の形態の有機分子メモリは、第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に設けられ、分子軸に沿ってπ電子系が拡がっている分子骨格を持つ分子系において、（I）分子の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）のうちいずれか一方が分子軸にそって非局在化し、他方が分子軸に対して局在化している、（II）分子の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）エネルギー準位が−５．７５ｅＶ以上の値を持つ、を同時に満たす分子群より選ばれる有機分子を含む有機分子層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の複数の半導体層のうちの１つを正確に選択する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、第１乃至第３の半導体層１２−１〜１２−３と、第１乃至第３の半導体層１２−１〜１２−３のうちの１つを選択するレイヤー選択トランジスタ１５（ＬＳＴ）とを備える。第１のノーマリーオン領域１７−１は、第１の半導体層１２−１内において第１乃至第３のゲート電極１６−１〜１６−３に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにし、第２のノーマリーオン領域１７−２は、第２の半導体層１２−２内において第２乃至第４のゲート電極１６−２〜１６−４に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにし、第３のノーマリーオン領域１７−３は、第３の半導体層１２−３内において第３乃至第５のゲート電極１６−３〜１６−５に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにする。 （もっと読む）

【課題】増加された集積度を有し且つ高密度で高速の３次元（抵抗性）半導体（メモリ）装置を、最小限のマスク工程数で提供する。
【解決手段】チャンネル領域によって分離された第１及び第２不純物領域を含む基板、前記第１不純物領域に接続するビットライン、前記第２不純物領域に接続する垂直電極、前記基板と前記ビットラインとの間に配置される水平電極の積層体、及び、前記積層体と前記基板との間に配置される選択ラインを含む。この時，前記選択ラインは平面形状及び平面位置において、前記水平電極の各々と実質的に同一であり得る。 （もっと読む）