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国際特許分類[H01L47/02]の内容

国際特許分類[H01L47/02]に分類される特許

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【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板10と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子140と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Rと、抵抗Rに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスLとキャパシタンスCからなるタンク回路とからなる安定化回路120とを備え、安定化回路120は、発振周波数に、インダクタンスLとキャパシタンスCからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Rによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。
【解決手段】
誘電体基板2の上面に金属層から成る共振器(信号電極3および接地電極4)が形成された共振器基板上に、薄膜半導体の第1のn+型層,n型層および第2のn+型層を順次積層して成る薄膜ガンダイオード素子1を搭載して成るミリ波発振器である。ガンダイオードから熱伝導性の低い半導体基板を分離したことによって、薄膜ガンダイオード素子1のガンダイオード活性層で発生した熱を容易にミリ波共振器基板側へ放熱することが可能であり、ガンダイオードの温度上昇を抑制してミリ波出力強度を安定化することができる。 (もっと読む)


【課題】 良好な線形特性を保った変調幅が広いガンダイオード電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 オープンスタブ線路を2つ以上に分岐させ、その分岐部から分岐した一方のオープンスタブ線路と他方のオープンスタブ線路それぞれに、バラクタダイオード変調回路を備える構成とする。バラクタダイオード変調回路は、それぞれ独立に、かつ同時に変調電圧を印加することにより、発振周波数を変調することができる。 (もっと読む)


【課題】 ガンダイオードやマイクロストリップ線路等を密閉する遮蔽用容器を備えることにより、水蒸気等の浸入を防止することができると共に、小型のガンダイオード発振器を提供する。
【解決手段】 平板基板表面から裏面に貫通する第1のヴィアホールを通して表面信号電極と裏面信号電極が接続され、第2のヴィアホールを通して第1の表面バイアス電極と第1の裏面バイアス電極が接続され、第3のヴィアホールを通して表面接地電極と裏面接地電極が接続され、裏面信号電極と第1の裏面バイアス電極はバンプ電極で構成する。そして、平板基板表面は、遮蔽用容器で密閉されている。 (もっと読む)


活性層(2)の上面および下面が、各々活性層(2)と比較して高ドープされた同一材料の隣接コンタクト層(4)に接しているガンダイオード(1)に関し、接触抵抗を低くし、雑音等の障害が発生するのを防止することを目的とする。このため本発明によれば、コンタクト層(4)の少なくとも1つの外側領域(12)が、各コンタクト層(4)と比較してなお一層高ドープされた同一材料の外側コンタクト層(14)で構成されている。 (もっと読む)


【課題】ガンダイオードを平板回路基板に実装した場合、発振周波数のばらつきがない平板回路基板およびそれを用いたガンダイオード発振器を提供する。
【解決手段】表面に第1の信号伝送線路と表面接地電極7を、裏面に裏面接地電極8を、側面に表面接地電極7と裏面接地電極8を接続する導電性膜18を備え、ガンダイオード1を実装した第1の平板回路基板2と、表面に第2の信号伝送線路を、裏面に裏面接地電極8を備えた1または2以上の第2の平板回路基板2とを組み合わせることによって、ガンダイオード発振器を構成する。 (もっと読む)


【課題】 発振周波数の周波数変動率の小さいガンダイオード発振器を提供する。
【解決手段】 マイクロストリップ信号電極からWR12導波管線路に変換して信号を伝送する変換部の導波管接合部の開口寸法を所定の大きさとする。即ち、短辺寸法がWR12導波管線路の短辺寸法と同一で、長辺寸法が短辺寸法に対して1.549〜1.743の長さのとする。 (もっと読む)


【課題】外部環境の変化に左右されることなく安定して駆動する電子素子を備えた電子機器及び高周波発振装置を提供する。
【解決手段】発振器31、レギュレータ32を備えた発振ユニット11を、カバー14とケース本体15とからなるケース16に収容した。そして、ケース本体15の左側板部15bの略中央部にペルチェユニット50を設け、カバー14とケース本体15の各板部14a〜14c,15a〜15cを加熱または冷却することによってケース16内の雰囲気の温度を、発振素子が安定したパワーの電磁波を出力するときの温度になるように制御した。 (もっと読む)


【課題】 組立が原因となる発振周波数のバラツキの少ないガンダイオード発振器を提供する。
【解決手段】 半絶縁性又は絶縁性の平板基板表面に、フリップチップ型のガンダイオードを接続搭載するガンダイオード発振器において、ガンダイオードは、中央にアノード電極を配置し、その両側にカソード電極を配置する。アノード電極が表面接地電極に接続し、カソード電極の一方の電極が信号電極に接続し、他方のカソード電極がオープンスタブに接続する構造とすることで、表面接地電極がオープンスタブとして機能せず、発振周波数のバラツキが少なくなる。 (もっと読む)


【課題】 外部負荷の影響を低減し、さらに発振出力の大きいガンダイオード発振器を提供する。
【解決手段】 半絶縁性の平板基板に形成された信号電極、信号電極に連続するバイアス電極、オープンスタブ、表面接地電極を備えたマイクロストリップ線路と、表面実装型のガンダイオードと、変換部とを備え、ガンダイオードのカソード電極を信号電極に接着し、アノード電極を表面接地電極にそれぞれ接着したガンダイオード発振器であって、ガンダイオードからみた信号電極先端の出力部からの反射係数が、−13dBから−23dBとなるようにする。 (もっと読む)


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