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国際特許分類[H01L49/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 27/00〜47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (1,071)

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【課題】プロセス耐性が高く、高い性能を維持する不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1導電部と、第2導電部と、記憶層と、を含む不揮発性記憶装置が提供される。前記記憶層は、前記第1導電部と前記第2導電部との間に設けられる。前記記憶層は、前記第1導電部と前記第2導電部とを介して供給される電流により、抵抗が低い第1状態と前記第1状態よりも抵抗が高い第2状態との間を可逆的に遷移可能である。前記記憶層は、カルコパイライト構造を有する。 (もっと読む)


【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が10nm以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第1の保護膜と、第1の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第2の保護膜とを有する。 (もっと読む)


【課題】データ書き込みエラー発生と消費電力を低減させた半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、第1極性の電圧パルス印加によってメモリセルに第1動作及び第2動作をさせるユニポーラ方式、並びに、第1極性とは異なる第2極性の電圧パルス印加によってメモリセルに第1動作をさせ且つ第1極性の電圧パルス印加によってメモリセルに第2動作をさせるバイポーラ方式の動作モードを有するデータ書き込み部と、メモリセルの第1動作の回数をカウントする第1動作回数カウント回路と、第1動作回数カウント回路を参照し、ユニポーラ方式による第1動作回数が第1規定回数に達した場合にデータ書き込み部の動作モードをバイポーラ方式に切り替える動作モード切り替え部とを備える。 (もっと読む)


【課題】抵抗変化膜の抵抗変化を容易にする半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置の製造方法は、金属酸化物を含む抵抗変化膜との接触対象層にハロゲンを導入する工程と、前記ハロゲンを熱処理により前記接触対象層から前記抵抗変化膜に拡散させる工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 動作の高速化を図ることができ、可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性を有し、半導体製造プロセスと親和性の高い不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を備える不揮発性記憶装置および不揮発性半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極103と、第2電極105と、第1電極103と第2電極104との間に介在させ、両電極103,105間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層104とを備え、この抵抗変化層104は少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をTaOと表した場合に、0<x<2.5を満足するように抵抗変化層104が構成されている。 (もっと読む)


【課題】有機化合物を含む層を有する素子が設けられたフレキシブルな記憶装置及び半導
体装置を歩留まり高く作製する。また、信頼性の高いフレキシブルな記憶装置及び半導体
装置を歩留まり高く作製する。
【解決手段】剥離層を有する基板上に素子層及び素子層を封止する絶縁層を有する積層体
を形成し、剥離層から積層体を剥離してフレキシブルな記憶装置及び半導体装置を作製す
る方法であって、素子層において第1の電極層及び第2の電極層からなる一対の電極間に
有機化合物を含む層を有する記憶素子を含み、少なくとも一方の電極層はスズを含む合金
層で形成する。また、第1の電極層及び第2の電極層からなる一対の電極間に有機化合物
を含む層を有する記憶素子を含み、少なくとも一方の電極層はスズを含む合金層で形成さ
れるフレキシブルな記憶装置及び半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】メモリセルへのデータの書き込みと読出しの信頼性を高くした不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】2つのメモリセルを隣接させた基本ユニットを単位にするメモリセルアレイを有し、前記基本ユニットの2つのメモリセルのメモリセル選択用トランジスタのソース端子を共通のソース線に接続し、前記2つのメモリセルを2つのビット線に接続した抵抗変化型メモリであって、前記ソース線の配線パターンと前記ビット線の配線パターンを平行に走行させ、前記ソース線の配線パターンと前記ビット線の配線パターンの一部の領域を上下で重ねあわせて対向させる。 (もっと読む)


【課題】増加されたメモリ容量を具現できるメモリ装置を提供する。
【解決手段】メモリ装置は、水平な共通導電領域の上に配置され、前記共通導電領域に一端が電気的に連結され、互いに離隔水平な第1選択ラインの上で互いに平行に延長され前記水平な第1選択ラインと交差し前記垂直な半導体柱の側面に対向する側面を包含する水平な第1選択ラインと、前記水平な第1選択ラインと前記垂直な半導体柱との間に、そして前記水平な第2選択ラインと前記垂直な半導体柱との間に介在される少なくとも1つの誘電パターンを包含する選択構造体を含む。前記メモリ装置は、前記選択構造体の上に配置され前記垂直な半導体柱に電気的に連結されたメモリセルを含むメモリセルアレイをさらに含む。 (もっと読む)


【課題】素子駆動電圧、消費電力がともに低く、高安定性・高信頼性・高耐久性かつ、酸素ないしは金属欠損型の金属酸化物層を抵抗変化層に用いる抵抗変化素子形成時のフォーミング処理ないしは欠損への電子注入という動作(フィラメントの形成)を必要としない、金属―絶縁体(抵抗変化層)−金属(MIM)構造の抵抗変化型メモリ素子を提供する。
【解決手段】抵抗変化層に金属ないしは半導体、窒素を添加することにより、あらかじめ伝導パスの一部を形成する(プレフィラメント)ことにより、従来の高電圧フォーミングによるフィラメント形成プロセスを経ることなく、ON電圧と同等レベルの低電圧化することにより、素子駆動電圧、消費電力がともに低く、高安定性・高信頼性・高耐久性の抵抗変化素子。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高い記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る記憶装置は、下部電極層と、前記下部電極層上に設けられた絶縁性の芯材層と、前記芯材層上に設けられ、前記芯材層の側面上には設けられていない上部電極層と、前記芯材層の側面上に設けられ、前記下部電極層及び前記上部電極層に接し、複数の微小導電体が隙間を介して集合した抵抗変化層と、を備える。 (もっと読む)


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