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国際特許分類[H01L51/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607)

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【課題】 ニューロン素子の出力部が簡単な回路で構成され、かつ、アナログ型の出力特性を有するニューロン素子、及びそれを用いたニューラルネットワーク情報処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の入力信号xiを受け取り、各入力信号に対し、入力信号とその入力信号に対する結合荷重wiとの積である重み付け信号xiwiを作り出す入力部10と、複数の重み付け信号xiwi(i=1〜n)の総和Xを求める加算部20と、総和Xの関数として出力信号Y(X)を出力する出力部30とを有するニューロン素子1において、出力信号Y(X)を定める素子として、その素子を流れる電流が、印加電圧に対し、変曲点を有する関数として表される電流電圧特性を有する機能性分子素子31を用い、この素子の前記変曲点を含む領域の電流電圧特性に基づいて、出力信号Yを総和Xの関数として定める。 (もっと読む)


【課題】微弱磁場、低磁場に対する高い感度と早い応答性を備えた磁場応答性の分子性素子と、それを利用した磁場測定技術を提供する。
【解決手段】光励起により伝導性を示し、電荷再結合蛍光や電気抵抗が磁場の印加によっても変化する素子であって、任意に設定した強度の照射光の下で印加磁場の強さ:Bを下げていくとゼロでない有限の強さの磁場Baで次式で表わされる対磁場蛍光強度変化率:Rが極小値あるいは極大値Rmとなり、さらに下げると逆にRが上昇あるいは減少してゼロ磁場でゼロとなる性質を有することを特徴とする磁場応答性の分子性素子。
R=〔Φ(B)−Φ(0)〕/Φ(0)
〔Φ(B)は、予め設定した強度の照射光の下で、磁場の強さ:Bの時の蛍光発光強度あるいは抵抗を示し、Φ(0)は、同じ照射光の下で、ゼロ磁場の時の蛍光発光強度あるいは抵抗を示す。〕 (もっと読む)


基板上に1つまたは複数の有機層を堆積する方法であって、前記層をコーティングしたスタンプ堆積面を前記基板と接触させることにより、前記1つの層または複数の層を前記スタンプの前記堆積面から前記基板に転写させるステップと、(i)ポリマーを可塑剤と接触させるステップおよび(ii)前記基板およびまたはスタンプを加熱して共形接触および均一な層転写に好都合な条件を創出するステップのいずれかまたは両方のステップと、を備えることを特徴とする方法。 (もっと読む)


化学式(I)のモノマーユニットを有する高分子カルバゾール化合物が開示され、
-(C1)-(C2x-(C3y-(P)n- (I)
式中、xおよびyは0または1であり、nは以上0または0よりも大きい整数であり、Pはフェニル基を示し、C1、C2およびC3はカルバゾール基を示す。ビフェニル構造上で三重項波動関数が局在化する。二つのカルバゾールユニットが結合しているポリマー骨格中にねじれを導入することで、三重項エネルギーは増加する。置換基、例えばメトキシまたは3、7−ジメチルオクチルオキシ、によってねじれが導入された。高分子カルバゾール化合物は半導体材料として使用してもよい。半導体材料はルミネッセント発光材に対するホストマトリックスとして使用してもよい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、簡易な製造工程で高精細なパターン状に導電性パターン等の機能性部を形成可能であり、形成される機能性部との密着性が良好なパターン形成体を提供することを主目的としている。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、樹脂製基材の表面にパターン状に凹部が形成されており、前記凹部表面に存在するOH基の数が、凹部以外の領域の前記樹脂製基材の表面のOH基の数と比較して多いことを特徴とするパターン形成体を提供する。 (もっと読む)


有機ダイオードデバイス(1)は、アノード層(12)、カソード層(13)及び有機層(14)を有する有機ダイオード構造(2)を含んでいる。アノード層(12)及びカソード層(13)の一方は、構造(2)の面(15)の全域に分布された一組のコンタクト領域(19、20)を有している。バリア層(16)は構造(2)を密閉するように覆っており、一組のコンタクト領域(19、20)に位置整合された一組の開口(23、24)を備えている。金属導体(5)はバリア層(16)の上に電気めっきされており、一組の開口(23、24)を介して一組のコンタクト領域(19、20)に接触している。このデバイスを形成する方法は、構造(2)を形成する工程、一組の開口(23、24)を有するバリア層(16)を形成する工程、及び金属導体(5)を形成するために構造(2)を電気めっきプロセスにかける工程を有する。
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【課題】導電性粒子の精密パターニングに使われうるドナー基材を提供すること。
【解決手段】ベース基材と、ナノ導電性粒子及び有機半導体を含む前記ベース基材上の転写層と、を有することを特徴とするナノ導電性膜形成用のドナー基材。 (もっと読む)


【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパターン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留まり高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低反射率層を備えた電子装置を提供すること。
【解決手段】本発明の電子装置は、光透過性の低反射率層14を有する基板12と、この基板12上の第1の導電体16と、この第1の導電体16上の活性材料20と、この活性材料20上の第2の導電体18とを備えている。光透過性の低反射率層14は水分を浸透してもよい。また、基板12は可撓性であってもよいし、剛体であってもよい。 (もっと読む)


【課題】 電子特性及び信頼性の優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】
ペンタセン薄膜と、このペンタセン薄膜を覆って保護する保護層とを、シリコン基板上に形成して、トランジスタを形成した。この保護層は、プラズマ重合法によりナフタレンを重合して得られる絶縁性のナフタレン重合体薄膜である。 (もっと読む)


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