【課題】アライメント精度良く半導体層を形成し、かつ、プロセス数を増やすことなくトランジスタの素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ５０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、基板１とゲート電極２とにわたって、これらの上に形成されたゲート絶縁体層４と、ゲート絶縁体層４上に形成された半導体層５と、半導体層５上に形成された保護層６と、ゲート絶縁体層４と半導体層５と保護層６とにわたって、これらの上に形成された、ソース電極７及びドレイン電極８と、を有し、半導体層５における、ソース電極７とドレイン電極８との間のチャネル部を流れる電流の方向の一端５ａは、ソース電極７の一端７ａと一致し、半導体層５における他端５ｂは、ドレイン電極８の一端８ａと一致している。 （もっと読む）

【課題】有機電子デバイスにおいて、仕事関数を制御することにより、電極から有機半導体への電荷注入障壁をより小さくすることが可能となる銀ナノ粒子を適用した電極及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】平均粒径が３０ｎｍ以下であり、沸点が１００〜２５０℃の範囲内にある中短鎖アルキルアミンと沸点が１００〜２５０℃の範囲内にある中短鎖アルキルジアミンを主成分とする保護分子により覆われた銀ナノ粒子を有機電子デバイス用電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】比較的大きい溶解度等の好ましい特性を有する芳香族重合体を提供する。
【解決手段】式（ＩＶ）で表される縮合多環芳香族部分を２以上有する芳香族重合体：


（Ｇ_１、Ｇ_２、Ａ_１〜Ａ_４は、結合、水素原子、特定の置換基であり、Ｂは、ベンゼン環部分を有する縮合環であり、Ｙはカルコゲンである）。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【解決手段】化学センサは、第１のトランジスタと第２のトランジスタとを備える電子機器である。第１のトランジスタは、第１の半導体とカーボンナノチューブとから作られる半導体を備えている。第２のトランジスタは、第２の半導体から作られる半導体層を備えており、カーボンナノチューブは含んでいない。この２種類のトランジスタは、化学化合物への応答という点で異なっており、その応答の差を利用し、特定の化学化合物の属性を決定することができる。
【効果】この化学センサは、爆発性化合物、例えば、トリニトロトルエン（ＴＮＴ）の使い捨て可能なセンサとして有用であろう。この電子機器を分析器とともに使用し、分析器は、電子機器によって作られた情報を処理する。 （もっと読む）

【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカ
ードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供
することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装
置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるＴＦＴのソ
ース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導
電層とする。 （もっと読む）

【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 （もっと読む）

【課題】イオン化ポテンシャルが大きい高分子化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表わされる構成単位を含有する高分子化合物。


（Ｉ）
（式中、Ｘは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−ＮＨ−、又は、−Ｎ（Ｒ）−を表わす。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＳＯ_２−、−Ｓｉ（Ｒ）_２−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｂ（Ｒ）−、−Ｐ（Ｒ）−又は−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ）−を表す。２個あるＸは同一でも相異なってもよい。） （もっと読む）

【課題】印刷法を用いて薄膜トランジスタを製造する場合において、前処理などを必要とせずに微細パターンを形成可能であり、トランジスタ特性の面内均一性に優れるとともに、インキの利用効率に優れた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板上に形成されたゲート電極４１、ゲート絶縁膜、ソース電極４３、ドレイン電極４４、半導体層４５及び封止層４６を有する薄膜トランジスタ１を製造する薄膜トランジスタの製造方法であって、インキ供給手段を用いて凹凸パターンが形成された印刷用版にインキを供給するインキ供給工程と、インキの予備乾燥を経た後に凸版を用いて非画線部のインキ液膜を除去するインキ液膜除去工程と、印刷用版上に残った画線部のインキ液膜を基板４０に転写して、半導体層４５及び封止層４６のうち少なくとも一方を形成するインキ液膜転写工程を有する。 （もっと読む）

【課題】塗布開始場所以外の場所からの結晶成長を防止し、配向度の高い有機半導体薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】有機半導体材料を含むインク１１の塗布開始場所からインク１１を乾燥させ、インク１１中の有機半導体材料を結晶化させて有機半導体薄膜１５を形成する。このとき、ノズル部２として、基板１２の表面と対向する先端面２ｆを構成するオーバハング部を有したノズル胴体部２ａと、ノズル胴体部２ａの先端面２ｆから基板１２側に突出すると共に一方向を長手方向として延設された吐出口２ｇを有する溶液吐出部２ｃとを備えたものを用いる。そして、溶液吐出部２ｃの下端を基板１２から離間させた状態でインク１１を吐出し、吐出されたインク１１にて溶液吐出部２ｃと基板１２の間に液溜まりを形成しつつ、ノズル部２を吐出口２ｇの長手方向に対する垂直方向に移動させることによりインク１１をライン状に塗布する。 （もっと読む）