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国際特許分類[H01L51/05]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器 (6,100)

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【課題】開口部を形成されることにより、大きなバンドギャップを有するグラフェンシートを有する電子装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたグラフェンシート23と、前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極23Sと、前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極23Dと、前記グラフェンシート上ゲート絶縁膜を介して形成され、前記グラフェンシートにゲート電圧を印加するゲート電極と、前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向を横切って形成された複数の開口部23Aよりなる開口部列と、を備え、前記複数の開口部はいずれも、三つのジグザグ端により画成されて正三角形の形状を有し、前記ジグザグ端のうち二つは、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対し30°の角度をなし、もう一つのジグザグ端は90°の角度をなし、それぞれの正三角形の向きを揃えて形成されている。 (もっと読む)


【課題】マイクロコンタクト印刷の版を凹版として使用し、微細な電気回路と高生産性のCMOS半導体装置の製造方法を提供するものである。
【解決手段】Pチャネル型電界効果トランジスタのPチャネル領域101とNチャネル型電界効果トランジスタのNチャネル領域102とを、凹版601を用いた印刷によって形成するようにし、凹版601が、第1凹部602と第2凹部603とを備え、インクジェット法によって、第1凹部602にP型半導体インク111を供給し、第2凹部603にN型半導体インク112を供給する工程と、インク供給後に、凹版601を被印刷基板001に押しつけて、第1凹部602に供給したP型半導体インク111と第2凹部603に供給したN型半導体インク112とを一括して被印刷基板001に転写する工程と、を含むCMOS半導体装置の製造方法を提供する事により、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】開放端電圧が高い有機光電変換素子を製造しうる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位と式(2)で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。


(1)


(2) (もっと読む)


【課題】溶媒への溶解性に優れ、高キャリア移動度が期待できる新規なジチエノベンゾジチオフェン誘導体組成物及びこれを用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で示されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体99〜80重量%及び特定式で示されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体1〜20重量%からなることを特徴とするジチエノベンゾジチオフェン誘導体組成物。


(ここで、置換基R及びRは、同一又は異なって、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基及びn−オクチル基からなる群より選択される置換基を示す。) (もっと読む)


【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】分子内に、ベンジルチオカルバメート基(−Ph−CH−SCSNR)を含有する高分子化合物(A)と、分子内に2個以上の不飽和二重結合を含有する不飽和二重結合化合物(B)とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたpn接合素子を提供すること。
【解決手段】p型半導体材料およびn型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、p型半導体材料およびn型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、p型半導体層と、n型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記p型半導体材料と前記n型半導体材料とによって形成されているpn接合面の端部が前記p型半導体層および前記n型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記p型半導体層と前記n型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造pn接合素子。 (もっと読む)


【課題】半導体装置及び半導体装置の動作方法を提供する。
【解決手段】テスト電圧を生成する電圧生成器と、テスト電圧に基づいてゲート・ソース電圧を印加されるグラフェントランジスタと、ゲート・ソース電圧がグラフェントランジスタのディラック電圧であるかどうかを検出し、ゲート・ソース電圧がディラック電圧であるかどうかを示すフィードバック信号を出力する検出器と、を備え、フィードバック信号は、電圧生成器に印加される半導体装置。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を有するトランジスタおよびその製造方法、並びにそのトランジスタを備えた表示装置を提供する
【解決手段】制御電極と、制御電極に対向する能動層と、能動層に電気的に接続された第1電極および第2電極と、制御電極と第1電極および第2電極との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】分子内に第1の官能基を含有する繰り返し単位であって、該第1の官能基が、活性水素と反応しうる第2の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基である繰り返し単位を含有する高分子化合物(A)と、分子内に、オキシカルボニルオキシレン基にジ置換カルビレン基が結合した構造の二価の有機基と2個以上の活性水素とを含有する活性水素化合物(B)とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 (もっと読む)


【課題】輝度寿命(特に、輝度半減寿命)が十分に長い発光素子の作製に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物。


[式中、E〜Eは、アリール基、1価の複素環基または式(2)で表される基を表す。
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