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国際特許分類[H01L51/05]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器 (6,100)

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【課題】性能向上を容易に実現することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、そのゲート電極から分離絶縁層を介して離間された半導体層と、その半導体層に接続されると共に互いに離間されたソース電極およびドレイン電極とを備える。ソース電極とドレイン電極との間においてゲート電極とソース電極およびドレイン電極とが重ならない第1領域における分離絶縁層の厚さは、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも一方とが重なる第2領域における分離絶縁層の厚さよりも小さい。 (もっと読む)


【課題】
塗布法により形成可能な絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】
エポキシ基を有する樹脂とヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選択される前記エポキシ基と反応する官能基を有する少なくとも一種の化合物との反応生成物であるポリマー又はオリゴマー、及び溶剤を含む絶縁膜形成用組成物。前記絶縁膜形成用組成物を基材上に塗布し、ベークすることによって、絶縁膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを含有する活性層を有する有機電界効果型トランジスタにおいて、熱プロセス、経時変化、外部環境に対して、移動度、Von、ヒステリシスの性能を安定化すること。
【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁層、カーボンナノチューブを含有する活性層、該活性層に対して前記ゲート絶縁層と反対側に形成された架橋構造を持つポリシロキサンを含む第2絶縁層、ソース電極およびドレイン電極を有する有機電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】輝度寿命(特に、輝度半減寿命)が十分に長い発光素子の作製に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物。


[式中、E〜Eは、アリール基、1価の複素環基または式(2)で表される基を表す。
(もっと読む)


【課題】両極性の有機トランジスタを簡便に製造しうる、p型とn型の両極性を示す高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式
【化0】


(1)
〔式中、Zは、−O−、−S−、−N(R)−、−N(COR)−又は−N(CO)−を表す。Zは、−S−、−N(R)−、−N(COR)−又は−N(CO)−を表す。R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。〕
で表される構成単位を含む高分子化合物。 (もっと読む)


【課題】厚さが35nm以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板11上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜12を35nm以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板11上にコバルト薄膜12を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜12のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板11の代わりに、少なくとも一主面がSiO2 からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板1、ゲート電極4、ゲート絶縁膜3、有機半導体層2、ソース電極5及びドレイン電極6を有する有機半導体素子100であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域20に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置または有機EL表示装置の画素TFTとしてアモルファスシリコンよりも電界効果移動度が大きい、アモルファスの金属酸化物系半導体或いは有機半導体を用いた場合の過剰充電効果の増大に起因する、フリッカーレベルの増大や画面輝度の均一性低下による表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】フリッカーや焼き付等の視認性が高い中間調表示における突き抜け電圧と、過剰充電効果の指標となる対向電極電位の面内格差との関係式を新たに導出し、これに基いて新たに導出した対向電極電位の面内格差を許容限界値以下に低減するための条件を満たすように設計する。 (もっと読む)


【課題】電界効果移動度が高い有機トランジスタ作製に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式(1−1)〜式(1−3)で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構造単位と、アリーレン基または2価の芳香族複素環基からなる構造単位とを含む高分子化合物とする。


式中、Rは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。Rは、炭素数が2以上のアルキル基を表す。Eは、−O−、−S−、−Se−または−N(R)−を表す。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基または1価の芳香族複素環基を表す。環Aは、芳香環または複素環を表す。nは0以上の整数を表し、nは1〜3の整数を表す。] (もっと読む)


【課題】基板上の任意の位置に任意の向きの有機半導体単結晶を形成する。
【解決手段】親液性であって、結晶成長の方向を規制する形状(長方形など)を有する領域内に置かれた有機半導体に対して溶媒蒸気アニールを行うことにより、当該領域内に所定の方向に整列した有機半導体単結晶を成長させる。 (もっと読む)


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