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国際特許分類[H01L51/42]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607) | 赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの (1,484)

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装置の細部
材料の選択
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置

国際特許分類[H01L51/42]に分類される特許

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【課題】トリフルオロエトキシ置換フタロシアニン化合物を光電変換層に用いた有機薄膜太陽電池
【解決手段】発明者らは、一般的に真空蒸着法で薄膜を作成するフタロシアニンを、とりフルオロエトキシ置換基を付加することで溶解性を向上させたフタロシアニン化合物を用いることでウェットプロセスによる有機薄膜太陽電池の光電変換層の作成を可能とした。また、導電性ポリマーと組み合わせることで変換効率を向上させることに成功した。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の光電変換効率の向上を図るとともに、光電変換素子の大型化やプラスチック基板への対応を可能とする。
【解決手段】光電変換素子10は、第1の電極30と第2の電極70との間に、電子輸送層40、光電変換層50および正孔輸送層60が狭持された構造を有する。電子輸送層40は、式M(X)aの物質およびその反応物を含有する。式において、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属、2B、3B族の金属、遷移金属から成る群より選ばれ、Xはハロゲン、カルボキシラート基、アルコキシ基、アルキル基および特定式で表されるアセトナート基から選ばれ、aはMの価数に応じて決まる、正の整数である。 (もっと読む)


【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板1、ゲート電極4、ゲート絶縁膜3、有機半導体層2、ソース電極5及びドレイン電極6を有する有機半導体素子100であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域20に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 (もっと読む)


【課題】窓層における光吸収損失の少ない光電変換装置を提供する。
【解決手段】第1の電極と、第1の電極上に形成された第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と、第2の半導体層上に形成された第3の半導体層と、第3の半導体層上に形成された第2の電極と、を有し、第1の半導体層は、有機化合物および無機化合物で形成された透光性半導体層であり、第2の半導体層および第3の半導体層は、有機化合物で形成された半導体層とする。 (もっと読む)


【課題】 量子ドット層製造方法及び量子ドット層を含む量子ドット光電子素子を提供する。
【解決手段】 ソース基板上に自己組織化単層、犠牲層及び量子ドット層を順次に積層し、量子ドット層上にスタンプを位置させてスタンプで犠牲層及び量子ドット層をピックアップし、犠牲層を溶解させる液体で、前記量子ドット層から前記犠牲層を除去する量子ドット層製造方法。 (もっと読む)


【課題】大気下で有機薄膜光電変換素子を作製し、その光電変換素子の光電変換効率を上げ、また、耐久性を向上させる。
【解決手段】光電変換層と電極の間に、湿式法により作製されたTiO2ホールブロック層を設ける。TiO2ホールブロック層作製の際、大気中で乾燥させることにより、TiO2ホールブロック層をアモルファス化する。また、PCBM:P3HT層とTiO2ホールブロック層の間に、TiO2ホールブロック層の近くにおいてPCBMの濃度を高めたPCBM/P3HTの傾斜濃度層を設けるようにしてもよい。これにより、その部分の電気抵抗が減少し、光電変換素子としての電流損が最小限に抑えられる。また、TiO2ホールブロック層の近くにおいて導電性材料であるPCBMの濃度が高いため、電子がTiO2層に流入しやすくなる。これらにより、本実施例の傾斜構造有機薄膜光電変換素子は高い光電変換効率を有し、また、高い耐久性を有する。 (もっと読む)


【課題】低分子系で、高い電荷移動度が得られ、かつ、長波長吸収特性を有するナローバンドギャップ材料として、アズレンを有する化合物からなる新規の有機半導体材料及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】アズレンを有する下記一般式(1)で表される化合物からなる有機半導体材料を用いる。


(式(1)中、置換基R1〜R14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Arは、ビチオフェン環、チエノ[3,2−b]チオフェン環、2,1,3−ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ[1,2−c:4,5−c’]ビス([1,2,5])チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。) (もっと読む)


【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極5、6。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率など基本特性に優れつつ、基材が樹脂系材料を含む場合であっても適用可能なホールブロック層の製造方法を提供する。
【解決手段】 ビス(アセチルアセトナト)亜鉛を含む亜鉛源、アセチルアセトンを含む錯化剤、および極性溶媒を含有する液状組成物と前記ホールブロック層を形成すべき部材の表面とを接触させて、当該ホールブロック層を形成すべき部材の表面上に前記液状組成物からなる液層を形成する液層形成工程と、前記液層形成工程により形成された前記液層を加熱して、前記錯化剤および前記極性溶媒を前記液層から蒸発させて、前記ホールブロック層を形成すべき部材の表面上に酸化亜鉛を含んでなるホールブロック層を形成する乾燥工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】より性能が高く、より容易に作製可能な、光電変換素子を提供する。
【解決手段】少なくとも活性層103と一対の電極101,105とを含む光電変換素子107であって、該活性層103が1.0eV以上1.7eV以下の光学バンドギャップを有するp型半導体化合物と、下記一般式(n1)で表されるフラーレン化合物とを含む光電変換素子。
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