【課題】誘電体多層膜により上部ＤＢＲが形成されている面発光レーザ等において、高い歩留りで製造することのできる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記上部ＤＢＲは、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を交互に積層することにより形成されており、前記誘電体層の膜厚は、前記活性層における発振波長をλとし、前記誘電体膜における屈折率をｎとした場合、λ／４ｎよりも厚いことを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層を形成する工程において、電流狭窄層となる層の酸化反応が阻害されることを抑制できる面発光型半導体レーザーの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザー１００の製造方法は、共振器の少なくとも一部を含む柱状部２０を有する面発光型半導体レーザーの製造方法であって、ＳｉＣｌ_４を含むガスを用いたエッチングにより、柱状部２０を形成しつつ、柱状部２０の側面２１にシリコン含有膜を形成する工程と、フッ素系ガスを用いたエッチングにより、シリコン含有膜１１０を除去する工程と、柱状部２０を構成する層のうち少なくとも１層を側面から酸化することにより、電流狭窄層２８を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】長共振器構造のＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、ＡｌＧａＡｓ層から構成されるｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器１０４と、共振器１０４上に形成されたＡｌＧａＡｓ層から構成されるｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器１０４の光学的膜厚が発振波長よりも大きく、共振器１０４は、活性層１０６Ｂの上下に配された一対のスペーサ層１０６Ａ、１０６Ｃと、スペーサ層１０６Ｃの側に形成された共振器延長領域１０５とを含む。共振器延長領域１０５は、ｎ型のＧａＩｎＰから構成される。 （もっと読む）

【課題】発熱に起因する活性層の劣化を抑制することの可能な半導体レーザ素子、光電変換装置および光情報処理装置を提供する。
【解決手段】活性層を含むと共に上面に第１電極を有するメサ部と、前記メサ部を覆うと共に前記第１電極に達する第１接続孔を有する埋め込み部と、前記埋め込み部上に前記第１接続孔を跨がるよう設けられると共に前記第１接続孔を介して前記第１電極に電気的に接続された第１配線とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第１の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第２の段差構造とを備える。第１の段差構造の段差を形成する領域と、第２の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】長寿命で、高い発光効率及び優れた温度特性を有する面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、熱伝導率の大きい低屈折率層１０３ａとそれよりも熱伝導率の小さい高屈折率層１０３ｂをペアとし、３０．５ペアを含む第１の下部半導体ＤＢＲ１０３_１と、５ペアを含む第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２と、１ペアを含む第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３とを有している。第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２では、低屈折率層１０３ａは３λ／４の光学厚さとなるように設定され、高屈折率層１０３ｂは、λ／４の光学厚さとなるように設定されている。第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３は、共振器構造体と第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ／４の光学厚さとなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】発光ムラを抑制した面発光素子アレイを提供する。
【解決手段】面発光素子アレイ３０は、基板上に形成された複数の並列素子アレイＰＡ−１、ＰＡ−２、・・・ＰＡ−ｎを含み、各並列素子アレイは、接続手段により直列に接続される。並列アレイ素子は、並列に接続された複数の面発光素子Ｐ１、Ｐ２、・・・Ｐｍを含んで構成され、面発光素子は、好ましくは面発光型半導体レーザから構成される。さらに並列素子アレイの向きは、複数の面発光素子に接続される電極の位置から決定され、並列素子アレイは、互いに向きが異なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】第２ミラー層の電気抵抗の低減と反射率の向上とを両立する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型の下部ＤＢＲ層と、電流の供給によって光を発する共振部と、ｐ型の上部ＤＢＲ層とが半導体基板上に順に積層された半導体発光素子であって、上部ＤＢＲ層には、第１屈折率を有する第１半導体層１４１と、第１屈折率よりも大きい第２屈折率を有する第２半導体層１４２とが、中間層１４３を介在して積層方向に交互に配置され、中間層１４３および第１半導体層１４１はＡｌを含み、中間層１４３のＡｌ組成比は、第２半導体層１４２側の面から第１半導体層１４１側の面に向かって増加し、第１半導体層１４１のＡｌ組成比は、一方の中間層１４３Ｂ側の面および中間層１４３Ａ側の面から厚み方向の中心に向かって増加する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、正確な光量制御を行なうことのできる面発光レーザの制御方法を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１１０と、面発光レーザから出射されたレーザ光を検出する受光素子１２０と、面発光レーザからのレーザ光を反射するミラー１０７と、面発光レーザ素子、受光素子及びミラーが設置されるベース部１０１と、面発光レーザの光を透過する窓ガラス１０３を有するベース部１０１と接合されるキャップ部１０２と、ミラーの傾斜角度を変化させるミラー機構部１０６と、を有し、ミラーは、ミラー機構部により、面発光レーザからのレーザ光が窓ガラスより出射される第１の位置と、受光素子に入射する第２の位置と、に可動する面発光レーザモジュールにおける面発光レーザの制御方法において、面発光レーザからのレーザ光が、第２の位置となるミラーにより反射され受光素子に入射した際の出力信号に基づき、面発光レーザの出射光量を制御する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板１００上に形成された下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭとを含む。メサＭの頂部において、光出射部を覆う異方形状の出射保護膜１１２が形成され、さらにメサＭの側壁および少なくとも周縁を覆う層間絶縁膜１１４が形成される。層間絶縁膜１１４は、出射保護膜１１２の長軸側の両端部を覆う周縁被覆部１１４Ａと、出射保護膜１１２上に形成された基本横モード発振を制御するモード制御部１１４Ｂとを含む。 （もっと読む）