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国際特許分類[H01S5/20]の内容

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【課題】ハイブリッド型エバネッセント・レーザーを電気的にポンピングする装置および方法を提供する。
【解決手段】能動半導体材料が、光導波路と能動半導体材料との間のエバネッセント結合界面を画定する光導波路の上に配置され、それにより、光導波路によって案内されるべき光モードは光導波路および能動半導体材料両方に重なる。電流注入経路が能動半導体材料を通じて画定され、光モードに少なくとも部分的に重なる。それにより、光モードに少なくとも部分的に重なる電流注入経路に沿った電流注入に応答した能動半導体材料の電気的ポンピングに応答して光が生成される。 (もっと読む)


【課題】AlN(窒化アルミニウム)基板上に作られた発光ダイオードにおいて、AlN基板による光吸収を低減する。
【解決手段】1層以上の層150をバルク結晶AlN基板140上にエピタキシャル成長させる。これらのエピタキシャル層は同層のエピタキシャル成長の初期表面である表面101を含む。AlN基板はエピタキシャル成長の大部分の初期表面を覆って実質的に除去される。 (もっと読む)


【課題】活性層内において「電流を閉じ込め、且つ、光を閉じ込めない」ことが可能な半導体レーザ構造を提供する。
【解決手段】半導体レーザ構造10では、n型クラッド層2、n型光ガイド層4、多重量子井戸発光層5、p型光ガイド層6、及びp型クラッド層8を積層して構成された構造であって、n型クラッド層2内におけるn型光ガイド層4と当接する領域、及び、p型クラッド層8内におけるp型光ガイド層6と当接する領域のうち、少なくとも一方の領域の両端部にだけ、n型クラッド層2およびp型クラッド層4よりも絶縁性の高い材質からなる電流狭窄部3,7を設けるようにした。この構成では、駆動電流が無駄なく活性層に供給され、且つ、活性層内において、光が電流狭窄部3,7に遮られずに増幅される。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザ装置の高温特性を向上させる。
【解決手段】活性層3の上部には、光を活性層3に閉じ込めるための光ガイド層4が形成されており、光ガイド層4の上部には、MgやZnをドーパントとして含むp型クラッド層5が形成されている。光ガイド層4は、アンドープAlGaInPからなる第1光ガイド層4aと、SiドープAlGaInPからなるSiドープ層4bと、アンドープAlGaInPからなる第2光ガイド層4cとをこの順に積層した3層構造で構成されている。Siドープ層4bは、p型クラッド層5内のp型ドーパント(Mg、Zn)が活性層3に拡散するのを抑える拡散防止層であり、その膜厚は2nm〜20nm、Si濃度は2×1017cm−3〜1×1018cm−3である。 (もっと読む)


【課題】透明電極をクラッドとして機能させ、かつ活性層に発光ピークを整合させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子101は、n型クラッド層14、n型クラッド層14上に形成されたn型ガイド層15、n型ガイド層15上に形成された発光層10、および発光層10上に形成されたp型半導体層12を備えた窒化物半導体積層構造2と、p型半導体層12上に形成された透明電極5とを含む。n型ガイド層15は、InGaN層とAlGa1−XN層(0≦X<1)とを周期的に積層した超格子層を有し、この超格子層の平均屈折率が2.6以下である。前記超格子層を構成するInGaN層のIn組成が発光層10のInGaN量子井戸層のIn組成よりも小さい。前記超格子層が発光層10に接している。 (もっと読む)


【課題】吸収係数の小さい光吸収部を制御性良く作製することができ、垂直放射角を精度良く制御できる素子を安定的に作製可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上にn型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記n型クラッド層の少なくとも一部に、n型ドーパントとp型ドーパントが共ドープされている窒化物系半導体レーザ素子とした。 (もっと読む)


【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にGaAsキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板2上にnクラッド層3と、活性層4と、第1pクラッド層5と、エッチングストップ層6と、第2pクラッド層7と、キャップ層9とを順次積層して形成する工程と、キャップ層9の一部を除去した開口部10AにZnO層11を形成して窓領域を形成する工程と、開口部10Aからキャップ層9上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン16を形成し、絶縁膜マスクパターン16から露出したキャップ層9をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン16から露出しているキャップ層9の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層6に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】水平電流注入型のシリコンレーザおよびゲルマニウムレーザにおいて、光出力を向上させることを目的とする。更に、活性層の元素にかかわらず、水平電流注入型レーザの光出力向上を図る。
【解決手段】水平電流注入型半導体レーザにおいて、活性層がシリコン薄膜またはゲルマニウム薄膜であり、コア層近傍に設けられているか、または、少なくとも一部がコア層内にあり、第一の端面の反射率が第二の端面の反射率以上であり、第一の端面でのコア層幅が0次モードのみしか存在し得ない最大コア幅より大きく、第二の端面でのコア層幅が0次モードのみしか存在し得ない最大コア幅以下であり、コア層の少なくとも一部に幅が光の伝搬方向に沿って変化する部位があり、当該コア層幅が変化する部位では0次モードの強度分布を有する光のみが放射することなく伝搬し、高次モードの強度分布を有する光は放射させる。 (もっと読む)


【課題】ドーパント濃度が高精度に制御された半導体領域を有する半導体レーザを得ることが可能な半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザの製造方法は、半導体レーザを製造するための半導体領域80と、中間層90と、半導体レーザを製造するための半導体領域100とをこの順に半導体基板5上に形成する半導体領域形成工程と、半導体領域100のドーパント濃度を測定する測定工程と、測定工程の後、半導体領域100及び中間層90を除去する除去工程と、半導体領域80を用いて半導体レーザを製造することの要否をドーパント濃度の測定結果に基づき判定する判定工程と、判定工程において半導体領域80を用いて半導体レーザの製造を要すると判定された場合、半導体領域80を用いて半導体レーザを製造する工程と、を備える。 (もっと読む)


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