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国際特許分類[H01S5/343]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 誘導放出を用いた装置 (18,077) | 半導体レーザ (12,571) | 活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料 (2,589) | 量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ (1,637) | A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ (1,558)

国際特許分類[H01S5/343]に分類される特許

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【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層12と、複数の量子ドット層12間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層12に含まれる量子ドット12aの組成が、InxGa1-xAsySb1-y(0<x≦1、0<y≦1)で表わされる。中間層には、組成がInaGa1-aAsb1-b(0<a<1、0<b<1)で表わされ、厚さが10nm以上40nm以下のInGaAsP層13、15と、InGaAsP層13、15の底面から10nm以上40nm未満の高さに位置し、厚さが0.3nm以上2nm以下のInP層14と、が含まれている。 (もっと読む)


【課題】光半導体装置及びその製造方法に関し、アクティブ素子部分の特性の向上とスポットサイズ変換器による結合効率の向上を両立させる。
【解決手段】少なくとも第2の積層構造からなるスポットサイズ変換器部6の両側に第2の積層構造と同じ積層構造の上に少なくとも第2上部クラッド層5を積層したテラス構造8を設け、スポットサイズ変換器とモノリシックに結合する導波路メサ部7の両側面のみを埋め込むとともに、スポットサイズ変換器部の両側面及び頂部を埋め込む埋込層9を設ける。 (もっと読む)


【課題】 半導体ナノデバイスに関し、基板上における臨界膜厚を超えた厚さの歪のある半導体薄膜を形成してデバイス領域とする。
【解決手段】 長径が1μm未満の半導体ナノワイヤコアと、前記半導体ナノワイヤコアの側壁に形成され、前記半導体ナノワイヤコアの構成材料との歪εが1%以上異なる半導体材料からなり、且つ、膜厚t〔nm〕と歪ε〔%〕とが、
−0.720+0.0988ε−1.2<t≦−0.705+0.227ε−1.2
の関係を満たす少なくとも一層の半導体薄膜との接合界面或いは前記半導体薄膜同士の接合界面を機能領域とする。 (もっと読む)


【課題】(202−1)、(202−1−)などの半極性面の窒化物半導体基板を用いた、窒化物半導体発光素子を高い精度で分割することができる半導体発光素子の製造方法を提供する
【解決手段】(202−1)面を成長主面とする窒化物半導体基板1の成長主面1aの分割予定位置Xa方向に伸び、窒化物半導体層2に埋め込まれず、一方の内面のみに窒化物半導体層2が成長するようにストライプ状の溝13を窒化物半導体層形成工程の前に形成する窒化物半導体発光素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】偏光角を小さくできると共に、偏光比を大きくすることができて、製造の自由度が高い半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上には、半導体層で構成されて赤外発振波長を有する第1半導体レーザ構造3と、半導体層で構成されて赤色振波長を有する第2半導体レーザ構造とを成長させている。この第1,第2半導体レーザ構造3,4は、活性層6,11と、この活性層6,11を下地結晶として活性層6,11上に成長させたクラッド層7,12とを有している。この活性層6,11とクラッド層7,12との格子不整合度が0.01119〜0.02611の範囲内である。 (もっと読む)


【課題】光出力の低減を抑制しつつ比較的に低い閾値電圧で駆動可能な半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の作製方法とを提供する。
【解決手段】端面発光型の半導体レーザ素子11であって、六方晶系半導体からなる支持基体1の主面1aの上に設けられた活性層3と、活性層3上に設けられたp型窒化物半導体領域4と、p型窒化物半導体領域4上に設けられたITO電極5aと、を備え、p型窒化物半導体領域4のp側クラッド層4cは、0.18μm以上0.22μm以下の範囲の膜厚を有し、ITO電極5aは、活性層3の発振波長の光に対し2.5×10cm−1以上3.0×10cm−1以下の光吸収係数を有する。 (もっと読む)


【課題】所望のスペクトル線幅および所望の光強度のレーザ光を出力できる集積型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をN、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれLdfb、Δν0とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれLsoa、A、Δνとし、Δν/Δν0をRとすると、所定の関係式が成り立つ。 (もっと読む)


【課題】半極性面上に設けられ発光に必要なバイアス電圧の上昇が抑制された窒化物半導体発光素子と、この窒化物半導体発光素子の作製方法とを提供すること。
【解決手段】半極性面の主面13aを有する六方晶系窒化物半導体からなる支持基体上に設けられた発光層17の多重量子井戸構造は、井戸層17a及び井戸層17cとバリア層17bとからなり、バリア層17bは、井戸層17a及び井戸層17cの間に設けられ、井戸層17a及び井戸層17cは、InGaNからなり、井戸層17a及び井戸層17cは、0.15以上0.50以下の範囲にあるインジウム組成を有し、六方晶系窒化物半導体のc面に対する主面13aの傾斜角αは、50度以上80度以下の範囲、及び、130度以上170度以下の範囲、の何れかの範囲にあり、バリア層17bの膜厚の値Lは、1.0nm以上4.5nm以下の範囲にある。 (もっと読む)


【課題】460nm以上の発振波長を有する窒化物半導体レーザ素子において、クラックの発生を抑制し、発光層内での光閉じ込め率を向上させ、InGaN光ガイド層が活性層の劣化の起点となることを防止し、電流注入量の増加に伴うInGaNガイド層の発光を防止すること。
【解決手段】460nm以上の発振波長を有する窒化物半導体レーザ素子では、第1の窒化物半導体層が第1のInGaN光ガイド層および井戸層のそれぞれに接するように第1のInGaN光ガイド層と井戸層との間に設けられている。第1の窒化物半導体層の層厚は1nm以上3nm以下であり、第1の窒化物半導体層はIn組成比が2.0%未満であるInGaNまたはGaNからなる。 (もっと読む)


【課題】広いゲイン幅と素子特性との両立を図ることが可能な量子カスケードレーザを提供する。
【解決手段】量子カスケードレーザ1は、半導体基板と、基板上に設けられ、発光層及び注入層からなる単位積層体16が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層15と、回折格子層20とを備える。単位積層体16は、そのサブバンド準位構造において、第1発光上準位Lup1と、第2発光上準位Lup2と、複数の発光下準位Llowとを有し、第1、第2上準位の一方は第1井戸層での基底準位に起因する準位であり、他方は第1井戸層を除く井戸層での励起準位に起因する準位である。また、第1上準位と第2上準位とのエネルギー間隔は、LOフォノンのエネルギーよりも小さく設定され、第2上準位と高エネルギー準位Lとのエネルギー間隔は、LOフォノンのエネルギーよりも大きく設定される。 (もっと読む)


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