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国際特許分類[H02H9/04]の内容

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【課題】過電圧検出時におけるサイリスタの導通状態を簡単に解除することができる多出力電源回路を提供する。
【解決手段】入力電圧Viをスイッチングしたスイッチング電圧が入力される一次巻線N1および二次巻線N2、N3を有するトランスTと、二次巻線N3に誘起された交流電圧を直流化手段6で直流化して出力電圧Vo2を出力する直流出力回路5と、直流化手段の出力側に接続されたトランジスタQ2を、サイリスタSCRを導通状態にしてオフさせて過電圧保護動作する過電圧保護回路7と、過電圧保護回路の出力側に分離自在に設けられ、該過電圧保護回路から出力された直流電圧が入力されるDC−DCコンバータ9と、過電圧保護回路の出力側とDC−DCコンバータの入力側を分離可能にする接続手段8とが備えられ、接続手段で過電圧保護回路の出力側とDC−DCコンバータの入力側とが分離されるとき、サイリスタを通じて流れる電流経路が遮断される。 (もっと読む)


【課題】アース端子が設置されていない場合でも同軸ケーブルの雷対策を可能にすること。
【解決手段】通信機器の同軸ポート端に接続される同軸ケーブルの中心導体線に第1のコンデンサ13aを挿入し、その同軸ケーブルの外部導体線に第2のコンデンサ13bを挿入する。 (もっと読む)


【課題】保護素子部分でのロスを低減し、しかも受電側への電力伝送を中断せずにスイッチング素子の損傷を防止する。
【解決手段】非接触電力伝送装置の電源装置としての高周波電源11は、直流電源15と、直流電源15に第1のインダクタ16を介して接続されたスイッチング素子17を有する増幅部18とを備えている。増幅部18にはスイッチング素子17に切替手段22を介して並列に接続可能で、切替手段22を介してスイッチング素子17に並列に接続された状態ではスイッチング素子17に過大な電圧が印加されるのを防止する保護素子23が設けられている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電圧変換チップのフィードバックピンの静電気を除去することができる静電気放電保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の静電気放電保護回路は、入力電圧を出力電圧に変換する電圧変換チップを備え、前記電圧変換チップは、フィードバック信号を受信するフィードバックピン及び前記出力電圧を出力する出力ピンを備え、前記フィードバックピンは、前記出力ピンに接続され、前記電圧変換チップは、前記フィードバック信号に基づいて前記出力電圧を調節して、前記出力電圧の安定を確保し、前記フィードバックピンとグラウンドとの間に静電気放電素子が接続され、前記静電気放電素子は、前記フィードバックピンの静電気を除去する。 (もっと読む)


【課題】搭載される基板を小さくできる避雷管と雷保護装置を提供する。
【解決手段】避雷管1が搭載される基板2は、パターン3を介して避雷管1に対して電気的に接続される部品(図1では省略)を搭載するものである。避雷管1は、パターン3に対して本体11の外部で電気的に接続される複数の信号電極12を有する。複数の信号電極12のパターン3の位置でのピッチは、例えば、1.27mmであり、これは、部品のピンのピッチに等しい。 (もっと読む)


【課題】外部から供給される電圧が過大となった場合に負荷への給電を遮断するとともに効率よく給電を再開する。
【解決手段】外部から供給された電圧に基づき電源電圧を生成する電源回路であって、第1及び第2の受電部と、第1及び第2の受電部間に接続されたバリスタと、バリスタと並列に接続され第1及び第2の受電部間を開閉する開閉器と、第1の受電部からバリスタ及び開閉器へ向かう第1の電流経路に設けられ、予め定められた電流量以上の電流が流れた場合、第1の電流経路を遮断する第1の給電遮断器と、バリスタの異常に関する物理量を検出する物理量検出部と、検出された物理量が予め定められた基準値を超えたとき開閉器を閉じさせる開閉制御部とを備え、第1の給電遮断器は、遮断の解除を要求する解除指示を受け付ける第1の受付部を備え、解除指示が受け付けられたとき第1の電流経路を導通させる。 (もっと読む)


【課題】炭化シリコン過渡電圧抑制器(TVS)アセンブリを形成する方法および過渡電圧抑制器(TVS)アセンブリのためのシステムを提供する。
【解決手段】TVSアセンブリは、第1の極性の導電性を有する第1の広バンドギャップ半導体の第1の層306と、第1の層と電気的に接触して結合された第2の極性の導電性を有する第1または第2の広バンドギャップ半導体の第2の層308であって、第2の極性は第1の極性と異なる、第2の層とを含むメサ構造の半導体ダイ302を含む。TVSアセンブリはまた、第2の層と電気的に接触して結合された第1の極性の導電性を有する第1、第2、または第3の広バンドギャップ半導体の第3の層312も含む。第2の極性の導電性を有する層は、第1の極性の導電性を有する層に比して低濃度にドープされる。 (もっと読む)


【課題】車両に搭載されるECU等の負荷を、少ない半導体素子で過電流及びサージによる過電圧から保護し、暗電流を防止することも可能な電源保護回路を提供する。
【解決手段】本電源保護回路1は、電源2と負荷3との間に設けられ、通電信号SWにより負荷への通電を制御する第1トランジスタQ1と、これと電源との間に直列接続されている電流検出抵抗R1と、電源の電圧を検出する電圧検出回路11と、電流検出抵抗及び電圧検出回路にそのベースが接続され、その出力が第1トランジスタのベースに接続されている第2トランジスタQ2と、を備える。電流検出抵抗と電圧検出回路によりそれぞれ過電流と過電圧を検出して第2トランジスタをオンにし、更に第2トランジスタの出力が第1トランジスタのベースに逆バイアスをかけることにより、負荷への電源の供給を制御することによって、過電流と過電圧から負荷を保護することができる。 (もっと読む)


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