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国際特許分類[H02M3/10]の内容

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国際特許分類[H02M3/10]に分類される特許

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【課題】従来の昇圧回路は、低耐圧トランジスタにより構成することができなかった。
【解決手段】本発明は、第1の電源電圧を昇圧する昇圧回路であって、第1のノードに接続される第1のトランジスタと、一端が第1のノードに接続され、第1のトランジスタの活性化時に第1のノードの電圧で充電される第1の容量素子と、第1のトランジスタの制御端子に第1の制御信号を出力する第1の制御信号生成回路を有し、第1の容量素子は、第1のトランジスタの非活性化時に、他端に印加される第1の電源電圧の1/2以下の電圧により第1のノードの電位を、第2の電圧に昇圧し、第1の制御信号生成回路は、第1のトランジスタの非活性化時の第1の制御信号の電位を、第2の電位とし、第1のトランジスタの活性化時の第1の制御信号の電位を、第2の電位との差が第1の電源電圧以内となる電位とする昇圧回路である。 (もっと読む)


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