【課題】大型のガラス基板等の体積固有抵抗値が大きい基板であっても、十分な冷却効果を有し、且つ、コストに見合った基板の冷却効果を得ることができる基板載置システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置１０の基板冷却システムにおいて、サセプタ１２は基板Ｇを載置し、静電チャック１４はサセプタ１２の上部に設けられて基板Ｇを静電吸着し、ガス流路１８及び温度調整ガス供給装置１９は静電吸着された基板Ｇ及び静電チャック１４の間の伝熱空間Ｔに温度調整ガスを供給し、伝熱空間Ｔの厚さが５０μｍ以下に設定され、ガス流路１８及び温度調整ガス供給装置１９は、温度調整ガスとして窒素ガス又は酸素ガスを３Ｔｏｒｒ（４００Ｐａ）以下で伝熱空間Ｔに供給する。 （もっと読む）

【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー１３は、一端部が基板支持面４５に導通する接地軸５３の他端部に接続され、接地軸５３を接地電位に切替えるリレー回路６１と、接地軸５３の一端部のキャップを基板支持面４５に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね５９と、接地軸５３の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね５９の付勢方向に伸縮するベローズ５７と、圧縮コイルばね５９の付勢方向で狭持されるＯリング６３とを備えている。この構成により、接地軸５３が熱膨張しても基板支持面４５との導通を確保できる。 （もっと読む）

【課題】内部の電極と接続部との確実な導通によって高い信頼性を得ることができる静電チャックを提供することを目的とする。
【解決手段】被吸着物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面とのあいだに介設された電極と、前記セラミック誘電体基板の前記電極よりも前記第２主面側において前記電極と接続され、前記電極と接する第１領域を有する接続部と、を備え、前記第１主面から前記第２主面に向かう方向を第１方向、前記第１方向と直交する方向を第２方向としたとき、前記第１領域は、前記電極及び前記接続部の前記第２方向にみた断面において、前記電極の前記第２主面側の外形に沿った延長線と、前記接続部の外形の接線と、のなす角度のうち前記接続部側の角度が前記第１方向に徐々に大きくなることを特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を用いた板状試料の温度測定の際に生じる温度測定誤差を小さくすることができ、しかも、発熱体の温度の安定性及び応答性に優れた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】一主面を板状試料を載置する載置面１１ａとするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵してなる静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、静電チャック部２の載置面１１ａと反対側の面にヒータエレメント４を設け、このヒータエレメント４の一部に、石英ガラス３１のヒータエレメント４側の面に蛍光体層３２を備えた温度測定子５を設け、静電チャック部２と温度調整用ベース部３とを、絶縁性の有機系接着剤層７を介して接着一体化した。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置において物品サポートに対して物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを提供する。
【解決手段】静電クランプはスタックを含む。スタックは、電極の第１の面６が第１の誘電体または半誘電体層１９に接触し、電極の第２の面８が第２の誘電体または半誘電体層２１に接触しているように配置された電極７、９を含む。誘電体または半誘電体層１９、２１は、少なくとも第１の部分７上に与えられた電荷を維持するために与えられている。電極は、クランプ１の外面上に配置されているわけではなく、電圧供給源とアースへの電気的接続も、静電クランプ１のスタック構造内に与えられていている。 （もっと読む）

【課題】基板を搬入する動作、基板を保持する動作、及び基板を搬出する動作等の少なくとも一つの動作を高速に実行することが可能でデバイスの生産性の向上に寄与できる保持装置を提供する。
【解決手段】パターンが形成される基板を保持する保持面を有する保持部材と、電圧の印加に応じて、基板を保持面に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材と、印加する電圧を調整可能な電源装置と、を備え、パターンの形成動作が進行中の基板上の第１ショット領域に対応する一つの第１電極部材に第１電圧を印加し、パターンの形成動作が終了した基板上の第１ショット領域に対応する一つの第１電極部材に、第１電圧よりも低い電圧を印加し、基板上の第１ショット領域とは異なる領域にパターンの形成動作を進行している間、基板上の第１ショット領域に対応する第１電極部材を第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置。 （もっと読む）

【課題】高温でのウェハプロセスに使用されたときに静電チャック本体とベースとの間の熱膨張差を吸収し、熱応力による静電チャック本体の破損、反り、歪みなどの発生を防止できる構造を提供する。
【解決手段】静電チャック本体１１が、その静電吸着面１２の外側周縁部の固定地点においてベース（水冷プレート２０）に移動不能に固定されると共に、固定地点から離れた可動地点においてベースに対してスライド移動可能に連結されるので、この静電チャック装置１０を高温のウェハプロセスに使用した際の静電チャック本体の熱膨張が吸収され、破損や反り、歪みなどを発生させない。一例として、静電チャック本体に固定される可動ポスト２６がベースの長穴（貫通穴２３）をスライド移動可能に挿通する。静電チャック本体とベースとの間に所定の高さ間隔が保持され、これらの間にリフレクタなどの中間部品を配置可能である。 （もっと読む）

【課題】複数のチャック領域を備え、その外側領域に設けられた凹面部にウェハを搬送するためのトレイが配置される静電チャックにおいて、信頼性を向上させること。
【解決手段】ウェハ２が載置される複数のチャック領域Ｒと、チャック領域Ｒの外側領域に設けられた凹面部Ｃとを備えたチャック機能部１０と、チャック領域Ｒに対応するチャック機能部１０の内部と、凹面部Ｃに対応するチャック機能部１０の内部とにそれぞれ配置された電極４０，４０ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと半導体製造装置において、ウェハの温度を均一にすること。
【解決手段】表面に、ガス孔２０と、該ガス孔２０に連通する溝３０とが形成され、溝３０の開口端の幅Ｗ１が、前記開口端よりも下の前記溝３０の幅ＷＸよりも狭いことを特徴とする静電チャックによる。 （もっと読む）

【課題】短時間で確実に誘電体層と基板との吸着を解除する。
【解決手段】被処理基板１３を吸着する誘電体層１４ａと、断熱プレート１４ｂとが積層されてなる静電チャック１４であって、断熱プレートの誘電体層側上面１４ｆと側面１４ｇとが帯電電荷逃避用導体膜１４ｃで覆われてなる。真空処理装置１０は、静電チャックが内部に設けられ気密性を有するチャンバ１２と、電気的にフローティング状態とされて導体からなるステージ１５と、を有し、ステージに静電チャックが載置されて、帯電電荷逃避用導体膜の下端がその全周でステージに接続され、
ステージの電気的容量を増大するために、ステージの面積および厚さが静電チャックより大きく設定されている。 （もっと読む）