【課題】発振回路内で構成要素を接続するオプションコンダクタの使用を可能とする技術の提供。
【解決手段】発振回路２００は、第１の伝導層内でルーティングコンダクタを介して相互結合されるトランジスタを含む。発振回路はまた、第２の伝導層内に、バラクタ２０３〜２０６、コンデンサ２２１〜２２６、及びオプションコンダクタ２０７、２０８，２１２〜２１６も含む。オプションコンダクタは、トランジスタのうちの１つとコンデンサまたはバラクタとの間の接続の少なくとも一部を形成する。上記発振回路は、第１の伝導層内のルーティングコンダクタを介して前記複数の第１のトランジスタのうちの１つに結合されるインダクタと、該インダクタの第１の部分を形成する、前記第２の伝導層内の第２のオプションコンダクタとをさらに備え得る。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＬの低減を実現可能なディジタル制御発振装置を提供する。
【解決手段】例えば、発振出力ノードＯｓｃＰ，ＯｓｃＭ間に並列に結合されるアンプ回路ブロックＡＭＰＢＫ、コイル素子ＬＰ，ＬＭ、複数の単位容量ユニットＣＩＵ等を備え、各ＣＩＵは、容量素子ＣＩｐ，ＣＩｍと、当該ＣＩｐ，ＣＩｍを発振周波数の設定パラメータとして寄与させるか否かを選択するスイッチＳＷＩを備える。ここで、ＳＷＩは、デコーダ回路ＤＥＣからのオン・オフ制御線ＢＩＴ＿ＣＩによって駆動され、当該ＢＩＴ＿ＣＩは、シールド部ＧＳによってＯｓｃＰ，ＯｓｃＭとの間でシールドされる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数遠方の雑音を低減することが可能なディジタル制御発振装置、ならびに高周波信号処理装置を提供する。
【解決手段】例えば、複数の単位容量ユニットＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］を用いて分数容量を実現する。ＣＩＵ［１］では、容量素子ＣＦＸｐ［１］，ＣＦＸｍ［１］の一端がそれぞれ発振出力ノードＯｓｃＰ，ＯｓｃＭに接続される。一方、ＣＩＵ［２］〜ＣＩＵ［ｋ］では、容量素子ＣＦＸｐ（［２］〜［ｋ］），ＣＦＸｍ（［２］〜［ｋ］）の一端が固定電圧Ｖ６に接続される。ＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］の一方の容量素子の他端は共通接続され（ＳＷＦＤ）、他方の容量素子の他端も共通接続される（ＳＷＦＳ）。そして、ＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］内の各スイッチ（ＳＷＦ１〜ＳＷＦ３）のオン・オフは共通に制御される。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、ＶＣＯの発振周波数を広い範囲で変化させることができるＰＬＬ回路及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＰＬＬ回路１は、ＶＣＯ１１と、制御ロジック１４と、位相比較器１３と、を備える。ＶＣＯ１１は、両端の電位差に応じて容量値が変化する可変容量素子を有し、電位差に応じた発振周波数の出力信号を出力する。制御ロジック１４は、可変容量素子の一端に所定の電圧を印加した状態で、基準信号と出力信号との周波数差に基づいて、当該可変容量素子の他端に印加する制御電圧Ｖｔｃを決定する。位相比較器１３は、可変容量素子の他端の電圧を制御ロジック１４により決定された制御電圧Ｖｔｃに固定した状態で、基準信号と出力信号との位相差に基づいて、可変容量素子の一端に印加する制御電圧Ｖｔａを決定する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を小型化する注入同期発振器を得る。
【解決手段】発振周波数ｆｏの注入同期信号を発生する基準発振器１と、注入同期信号を検波し、注入同期信号の高周波電力に応じた直流電圧を発生すると共に発振周波数ｆｏの高調波を発生する検波回路２とを備え、検波回路２は、注入同期信号の高周波電力に応じた直流電圧および発振周波数ｆｏの高調波を、発振器３を構成するＦＥＴ８のドレインに供給するので、ＦＥＴ８に注入同期信号を注入する回路と、ＦＥＴ８に直流バイアスを印加するバイアス回路とを検波回路２で共用することができ、注入同期発振器の回路規模を小型化することができる。
また、発振周波数ｆｏの高調波をＦＥＴ８のドレインに供給するので、注入同期発振器として同期を容易にすることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な位相雑音特性を有し、かつ広帯域な発振周波数範囲を有する電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電圧制御発振器１は、電源と、少なくとも３つのポート１０ａ〜１０ｄを備えるインダクタ１１と、少なくとも３つのポートから選択される異なるポート対にそれぞれ接続される少なくとも２つの負性抵抗回路１２及び１４と、を有し、インダクタは、少なくとも２つの負性抵抗回路に接続されるポート対の間でそれぞれインダクタとして動作可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位相誤差を補償しながら設定可能な位相オフセットで多相信号を生成するための方法等を提供する。
【解決手段】一実施形態において、回路は、第１の周波数及び第１の位相を有する第１の周期信号を生成する第１のＬＣ型電圧制御発振器（ＬＣＶＣＯ）と、第２の周波数及び第２の位相を有する第２の周期信号を生成する第２のＬＣＶＣＯとを有し、第２の位相は、９０度オフセットで第１の位相に対してオフセットされる。 （もっと読む）

【課題】増幅用のトランジスタに帰還容量成分Ｃ１及び結合容量成分Ｃ２の直列回路を接続したコルピッツ発振回路を用いた電圧制御発振器において、部品点数の削減に寄与できる技術を提供すること。
【解決手段】トランジスタ２１のベースに接続された第１の伝送線路４１とトランジスタ２１のエミッタとアースとの間に接続された第２の伝送線路４２と、を備え、第１の伝送線路４１及び第２の伝送線路４２を互いに接近させて両者の間に線路間容量成分を形成する。この線路間容量成分を前記帰還容量成分Ｃ１として利用すると共に第２の伝送線路４２とアースとの間に形成される寄生容量成分を前記結合容量成分Ｃ２として利用する （もっと読む）

【課題】電圧制御発振器の制御利得を発振周波数に対して比較的一定に維持し、位相ノイズを低減したプログラマブルバラクタ装置を提供する。
【解決手段】プログラマブルバラクタ装置１００は、複数のデジタルバラクタビットＢ０、Ｂ１、Ｂ２によって制御される複数のバイナリ重み付けバラクタ１０４，１０６，１０８を含み得る。プログラマブルバラクタ装置は、複数のバイナリ重み付けバラクタと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとする制御とを含み得る。プログラマブルバラクタ装置の実効容量を変化させる方法は、複数のバイナリ重み付けバラクタを設けることと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとすることとを含み得る。 （もっと読む）

【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Ｃparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Ｌと、容量素子Ｃと、増幅器３０と、をそれぞれ第１の端子と第２の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第１の端子と第２の端子とから出力する発振器であって、第１の端子と第２の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Ｒ_Ｌより抵抗値の大きな第１の抵抗素子Ｒｃが第１の端子と第２の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 （もっと読む）