【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるための電極パターン１４としてのＩＤＴ１６を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス１０であって、ＩＤＴ１６を形成するための圧電基板１２として、（φ，θ，ψ）で示すオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）のカット角で切り出された水晶基板を採用し、ＩＤＴ１６を構成する櫛歯状電極１８（１８ａ，１８ｂ）の電極指間に電極指間溝（溝２８）を形成することで、溝２８で挟まれた水晶部分を電極指台座３０とし、電極指台座３０の上面に電極指２２が位置する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度補償の演算処理をデジタル化して小型化できるとともに、高精度な温度補正を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本発明の温度特性補償方法は、２次の温度特性を有し２次温度係数が同一で頂点温度が互いに異なる２つの電圧制御発振器２０，２２の初期周波数を設定し、電圧制御発振器２０，２２を起動してそれぞれの出力周波数を測定し、測定した電圧制御発振器２０，２２の出力周波数の差分を算出し、差分に対応した補正値を計算し、得られた補正値を前記２つの電圧制御発振器２０，２２に入力し周波数補正することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値が向上したＳＡＷ共振子及びこのＳＡＷ共振子を備えたＳＡＷ発振器の提供。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１は、水晶基板１０と、水晶基板１０の主面１１に設けられた、隣り合う２つのＩＤＴ電極２０，２１と、２つのＩＤＴ電極２０，２１の両側に設けられた反射器３０，３１とを備え、２つのＩＤＴ電極２０，２１間のギャップをＤとし、ＩＤＴ電極２０，２１の電極指２０ａ，２１ａ，２１ａ，２１ｂのピッチをＬｔとし、反射器３０，３１の電極指３０ａ，３１ａのピッチをＬｒとしたときに、（１）：ｎ×（Ｌｔ／２）＜Ｄ＜０．０４５×Ｌｔ＋ｎ×（Ｌｔ／２）（但し、ｎは０以上の整数）、（２）：−０．０２６６７×Ｄ＋０．９９９２≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−０．００６６７×Ｄ＋０．９９９６、の２つの関係式を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】妨害電波に強く、しかも回路の小型化、ＩＣ化を図ることができるマルチキャリ
ア送信機を提供する。
【解決手段】周波数ｆ１の発振信号が得られる第１のＳＡＷ発振回路１１と、周波数ｆ２
の発振信号が得られる第２のＳＡＷ発振回路１２と、これら第１及び第２のＳＡＷ発振回
路１１、１２の発振信号を合成するミキサ１５と、これらの発振信号の何れかを選択可能
な選択出力回路１７と、を設け、周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３（ｆ１＋ｆ２）の何れかを発振
信号を利用して送信可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】 基部を短くしてもＣＩ値の振動片素子間のバラツキが安定すると共に振動片全体も小型化できる振動片、該振動片を有する振動子、この振動子を備える発振器及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基部と、この基部から突出して形成されている振動腕部と、を有する振動片であって、前記基部には切り込み部が形成され、前記振動腕部の表面部及び裏面部には溝部が形成され、前記振動腕部の短辺である振動腕部幅は、５０μｍ以上１５０μｍ以下であり、前記表面部及び裏面部の少なくともいずれか一方の溝部の深さは、前記振動腕部の深さ方向の全長である前記振動腕部の厚みに対して３０％以上５０％未満であり、前記溝部の開口における短辺である溝幅であって、前記表面部及び裏面部の少なくともいずれか一方の溝幅は、前記振動腕部幅に対して４０％以上１００％未満であり、前記振動片のＣＩ値は１００ＫΩ以下である。 （もっと読む）

【課題】温度変化による特性変動の少ない振動子を提供する。
【解決手段】３以上の奇数本の弾性腕１１、１２、１３と、弾性腕１１、１２、１３のそれぞれの一端側に連結する基部１４とを有し、弾性腕１１、１２、１３を、隣り合う弾性腕どうしが互い違いになるようにして弾性腕１１、１２、１３の表裏方向に振動させる、音叉型振動子１である。弾性腕１１、１２、１３は、シリコン酸化膜からなる基材１８と、基材１８の一方の面側に設けられた、下部電極膜１５ａ、１６ａ、１７ａと圧電膜１５ｂ、１６ｂ、１７ｂと上部電極膜１５ｃ、１６ｃ、１７ｃとからなる圧電素子１５、１６、１７と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】振動子の構造寸法のばらつきに起因する共振周波数の変動を抑制することのできる共振回路及びその製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の共振回路３０は、基板と、該基板上に形成された固定電極１２、及び、該固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極１３を有するＭＥＭＳレゾネータ１０と、該ＭＥＭＳレゾネータにバイアス電圧を印加するための電圧印加手段２０と、を具備し、前記電圧印加手段は、前記可動部を構成する層と同じ層で構成され、該層の厚みで抵抗値が変化する補償用抵抗Ｒ１１と、該補償用抵抗に接続され、前記可動部を構成する層と異なる構造で構成される基準抵抗Ｒ１２とを分圧抵抗とし、前記補償用抵抗と前記基準抵抗の接続点電位を前記ＭＥＭＳレゾネータの少なくとも一方の端子１０ｂに出力し、前記抵抗値の変化により前記層の厚みと正の相関を有する前記バイアス電圧を前記振動子に与える分圧回路を有する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な高周波発振器を提供する。
【解決手段】第１ポート１３及び第２ポート１４を有する２ポート型のＳＡＷ共振子１２と、増幅器１５と、基板１６上に形成され、前記増幅器１５の入出力間に前記ＳＡＷ共振子１２を接続する信号線と、を備え、前記ＳＡＷ共振子１２、前記増幅器１５、及び前記信号線により帰還型発振回路が形成され、前記第１ポート１３から出力される信号と前記第２ポート１４から出力される信号とを合成し、高調波を出力する合成出力回路２１を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】オーバートーン技術を用いず、基本波及び高調波の少なくとも一つの周波数で共振することができ、しかも共振周波数を変更することができかつ従来技術に比較して小さい駆動電圧で励振できる共振器、それを用いた発振回路及びＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１０上に電気的に絶縁されかつ少なくとも一個の固定端で固定された可動主ビーム３と、可動主ビーム３から延在するように形成された少なくとも一本の可動副ビーム４と、可動副ビーム４に近接するように設けられた少なくとも一個の励振電極５とを備えたＭＥＭＳ共振器が提供される。励振電極５を交流信号を用いて励振することにより、可動副ビーム４を静電気力により励振して振動させ、基本共振周波数及びその高調波周波数のうちの少なくとも一つの周波数で共振する。 （もっと読む）