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国際特許分類[H03B5/30]の内容

国際特許分類[H03B5/30]の下位に属する分類

圧電気振動子であるもの (2,069)
磁わい振動子であるもの (1)
周波数決定素子がブリッジ回路を経て,信号が伝送される閉リングに結合されているもの

国際特許分類[H03B5/30]に分類される特許

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【課題】高い周波数精度を有するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置され、開口部22が形成された第1絶縁層20と、開口部22を覆って、第1絶縁層20の上方に配置された第2絶縁層30と、第2絶縁層30の上方に配置された第1電極40と、第1電極40との間に空隙を有した状態で配置され、基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部52、梁部52の一端を支持し第2絶縁層30の上方に配置された第1支持部54、および梁部52の他端を支持し第2絶縁層30の上方に配置された第2支持部56を有する第2電極50と、を含み、基板10の厚み方向からの平面視において、開口部22の少なくとも一部は、第1支持部54と第2支持部56との間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置100は、基板10と、基板10の上方に形成された機能素子20と、機能素子20が配置された空洞部1を画成する包囲壁40と、基板10の上方に形成され、機能素子20に接続された配線層30,32と、を含み、配線層30,32は、基板10と包囲壁40との間を通って、包囲壁40の外側まで延出され、包囲壁40は、窒化シリコン層42と、金属層およびシリコン層の少なくとも1層である導電層と、を有し、配線層30,32と導電層44との間には、窒化シリコン層42が配置されている。 (もっと読む)


【課題】周波数精度の高いMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置された第1電極20と、少なくとも一部が前記第1電極20との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部34、梁部34の一端34aを支持し基板10の上方に配置された支持部32を有する第2電極30と、を含み、支持部32の一端34aを支持する支持側面32aは、基板10の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有し、一端34aは、屈曲部を含む支持側面32aにより支持されている。 (もっと読む)


【課題】エージング特性、接合強度および平行度の各要素をそれぞれ高いレベルで実現することのできるSAWデバイス、SAW発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】SAWデバイス1は、圧電基板21にIDT22を形成したSAWチップ2と、SAWチップ2を支持するベース基板311と、SAWチップ2をベース基板311に固定する固定部材4と、を有する。SAWチップ2は、その平面視にて、IDT22と重ならない位置で固定部材4を介してベース基板311に片持ち支持されている。y軸方向におけるSAWチップ2の長さをWとし、y軸方向における固定部材4の長さをDとしたとき、1<D/W≦1.6なる関係を満足する。また、固定部材4は、SAWチップ2の固定端28の下面281および側面282a、282bとベース基板311とを接合するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】温度変化に対し安定した周波数特性を有するMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】基板100と、基板100の表面に形成された第1ベース層30と、第1ベース層30の表面に固定された固定電極80と、基板100の表面に形成された第2ベース層40と、固定電極80と対向する梁部91を備え、梁部91を支持し第2ベース層40の表面に固定されたアンカー部92とを備えた可動電極と、を含み、第2ベース層40は第1ベース層30よりも熱膨張係数の大きい材料で形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路上に小面積で形成でき、かつ、適切な周波数の発振信号を生成できる発振器と、これを用いたPLL回路を提供する。
【解決手段】発振器は、第1のノードと第2のノードと間に並列接続される抵抗と、反転増幅器と、半導体素子とを備える。前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、長辺および短辺を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記第1のノードと電気的に接続される第1のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第1のコンタクトとは離れて形成され、前記第2のノードと電気的に接続される第2のコンタクトと、を有する。前記第1のノードまたは前記第2のノードから発振信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】第1、第2伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第1、第2伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なSAWデバイスを提供する。
【解決手段】基板11の上面11aの一部に形成された結晶配向調整膜13と、基板11の上面11aにおける結晶配向調整膜13の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜12と、圧電薄膜12の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第1、第2伝搬路とを備え、圧電薄膜12のうち、結晶配向調整膜13の形成領域上に位置する第1領域12cと、結晶配向調整膜13の非形成領域上に位置する第2領域12dとは、結晶配向が異なっており、第1、第2伝搬路は、それぞれを占める第1、第2領域12c、12dの面積比が異なる構成とする。 (もっと読む)


【課題】簡易に半導体基板上に形成でき、差動型で動作する半導体装置ならびにこれを用いた発振器、アンテナシステムおよび送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、複数の音響波伝播層と、分離層と、音響波反射層と、第1のコンタクトと、第2のコンタクトとを備える。前記複数の音響波伝播層は、前記半導体基板に、互いに離間して形成される。前記分離層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層を互いに電気的に分離するが、音響波は通過させる。前記音響波反射層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層内に前記音響波を閉じ込めるように形成される。前記第1のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の1つに形成され、第1の差動信号が入力または出力される。前記第2のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の他の1つに形成され、前記第1の差動信号とは位相が異なる第2の差動信号が入力または出力される。 (もっと読む)


【課題】発振子と発振回路とのインピーダンス整合を容易にとることができる発振回路及び発振器を提供する。
【解決手段】発振回路100が、第1の入力端子4と、第1の出力端子5と、第1の入力端子4に接続される信号調整部10と、第1の入力端子4及び第1の出力端子5に接続される信号形成部20と、を含み、該信号調整部は、第1の素子13、第1の抵抗11、第2の抵抗12及び第1のコンデンサー14を有し、第1の素子13は、一方端が第1の入力端子4に接続され、他の一方端が第1の抵抗11の一方端、第2の抵抗の一方端及び第1のコンデンサーの一方端に接続され、第1の抵抗は、他の一方端が第1の電源2に接続され、第2の抵抗は、他の一方端が第2の電源3に接続され、第1のコンデンサーは、他の一方端が第2の電源に接続され、該信号形成部において、第1の出力端子から出力される信号は、第1の入力端子から入力された信号を基に形成される。 (もっと読む)


【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのMEMSにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにMEMS発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてMEMS発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、MEMS発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、MEMS発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、MEMS発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 (もっと読む)


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