【課題】 シーム溶接前後の周波数偏差が小さく、生産性及び信頼性を向上させる。
【解決手段】 平板状の基板部１１と、基板部１１の一方の主面に設けられて凹部を形成する枠部１２と、凹部内の基板部１１上に設けられる搭載部１３と、凹部内の基板部１１上に設けられる緩衝部１４ａと、を備えて構成される素子搭載部材１０と、搭載部１３上に設けられる表面弾性波素子３０と、素子搭載部材１０に搭載される集積回路素子２０と、凹部を塞ぐ蓋部材４０と、を備え、表面弾性波素子３０が片持ち支持され、凹部内の基板部１１上に設けられる。緩衝部１４ａは、搭載部１３の蓋部材側を向く主面の中心を通り凹部の基板部１１の主面上において１つの長辺と平行となる第１の中心線ＣＬ１と、凹部の基板部１１の主面上において２つの長辺の中心を通る第２の中心線ＣＬ２と、が交差する位置に設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 振動子の寄生抵抗や寄生容量による共振特性（Ｑ値やゲイン等）への影響を低減して、発振回路の安定した発振を実現し得ると共に、振動式センサの測定精度を向上させ得る発振回路およびそれを用いた振動式センサを提供する。
【解決手段】 静電駆動型振動子（固定電極１および振動子３）の出力電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を、演算増幅器１４並びに抵抗１１，１２および１３を備えた負性インピーダンス変換回路１０で構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３２、および支持部３２に支持されており第１電極２０の上方に配置された梁部３４を有する第２電極３０と、を含み、平面視において、梁部３４は、前記第１電極２０と重なる領域で支持部３２から梁部３４の先端３４ａに向かう方向において、幅Ｗが単調減少する形状である。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲内（−４０℃から＋８５℃）における周波数変動量を１０ｐｐｍ以内とすることのできる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数が−γ_１でありγ_１＞０である第１の共振子１４と、第１の共振子１４に接続され、３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数がγ_２でありγ_２＞０である第２の共振子１６とを備え、第１の共振子１４と第２の共振子１６との間における変曲点の差が１９℃以下であり、０＜｜γ_１｜≦｜２．４γ_２｜の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現するとともに、周波数のバラつきを抑制可能な弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を含み、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、を備え、平面視で、前記電極指の間の位置に、前記水晶基板の窪である電極指間溝を配置し、前記電極指間溝の間に配置されている前記水晶基板の凸部のライン占有率をηｇ、前記凸部上に配置されている前記電極指のライン占有率をηｅとし、前記ＩＤＴの実効ライン占有率ηｅｆｆを前記ライン占有率ηｇと前記ライン占有率ηｅとの相加平均とした場合、下記式の関係を満たす。


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【課題】ＭＥＭＳ構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の包囲壁２６及び第１封止層３３に覆われた空洞部３６内に位置する可動部７ｂと、可動部７ｂと対向する場所に位置する第１封止層３３と、を備え、可動部７ｂは基板２と第１封止層３３との間に位置し、可動部７ｂと第１封止層３３とは少なくとも一部が導電体である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、ＭＥＭＳ構造体２０が配置された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１を上方から覆い、空洞部１に連通する貫通孔３７を有する第１被覆層３６と、第１被覆層３６の上方に形成され、貫通孔３７を閉鎖する第２被覆層３８と、を有し、第１被覆層３６は、少なくともＭＥＭＳ構造体２０の上方に位置する第１領域１３６と、第１領域１３６の周囲に位置する第２領域２３６と、を有し、第１領域１３６の第１被覆層３６は、第２領域２３６の第１被覆層３６より薄く、第１領域１３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ１は、第２領域２３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ２より長い。 （もっと読む）

【課題】純度の高い正弦波を出力するようにして、位相雑音を低減できる発振器を提供すること。
【解決手段】トランジスタ３を増幅部として用いたコルピッ型発振回路において、発振ループの外または中に波形整形用の水晶振動子５を設ける。そして発振用の水晶振動子１と波形整形用の水晶振動子５とは、共通の水晶片１０に、電極対（１１、１２）及び電極対（５１、５２）を設けて構成する。水晶振動子１の電極１１（１２）と水晶振動子５の電極５１（５２）とは離間距離を大きくして互に弾性的に結合しないか、結合してもその程度が弱いようにすると共に、水晶振動子５の並列容量に対して並列共振を起こすインダクタを設ける。水晶振動子５と波形整形用の水晶振動子１とを、共通の圧電片を用いたＳＡＷ共振子として入れ替えた構成としてもよい。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３０ａ、および支持部３０ａから延出し第１電極２０と対向配置された梁部３０ｂを有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０は、平面視において第２電極３０の外縁の外側に形成された第１側面２２ａと、平面視において第２電極３０の外縁の内側に形成された第２側面２２ｂと、を有し、第１側面２２ａは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜し、第２側面２２ｂと第１電極２０の上面２２ｃとは、角部２３を構成している。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）