【課題】ＳＡＷ共振子を用いて確実に磁界検知ができる磁気センサを実現する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１０の水晶基板１１の表面１１１には、第１のくし形電極１２Ａ、第２のくし形電極１２Ｂが形成されている。第１のくし形電極１２Ａの電極指１２１Ａと第２のくし形電極１２Ｂの電極指１２１Ｂとは、配列方向に沿って交互に配置されており、全ての電極指１２１Ａ，１２１Ｂの長さおよび幅は同じである。電極指１２１Ａと電極指１２１Ｂの交叉幅も一定である。ＳＡＷ共振子１０を、磁界検出の一態様において、電極指１２１Ａ，１２１Ｂの配列方向すなわち共振信号の伝搬方向と磁石２０Ａ，２０Ｂで生じる磁界強度の中心軸とが平行になるように、設置する。より具体的には、交叉幅の中心を結んで得られるＳＡＷ共振子１０のＸ軸中心軸と、磁界強度の中心軸に対応する磁石２０Ａ，２０Ｂの中心軸とが略一致するように、ＳＡＷ共振子１０を設置する。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ共振器を用いた発振器において、ＴＩＡの雑音の影響を低減し、発振器出力の位相雑音特性を改善することができる発振器を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ共振器７と、ＴＩＡ５と、バッファアンプ９とを備えた発振器において、ＭＥＭＳ共振器７の出力をＴＩＡ５に入力する配線１５に、電磁誘導により結合して、当該配線１５を流れる電流を電圧に変換してバッファアンプ９に出力する電流／電圧変換器を備え、発振器出力を電流／電圧変換器から取り出すようにした発振器であり、また、当該電流／電圧変換器を、配線１５を非接触に取り囲むように形成され、一端が接地され他端がバッファアンプ９に接続する発振出力コイル１１とした発振器である。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲におけるＳＡＷデバイスの優れた周波数温度特性を維持しつつ、リフロー実装時の高温や使用時又は環境の温度変化による周波数シフトを抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有する。オイラー角ψが４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°のとき、ＩＤＴの電極指膜厚Ｈは、０．０５５μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍ、好ましくは０．０８０μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍの範囲内に設定する。オイラー角ψが｜ψ｜≠９０°×ｎ、（ｎ＝０，１，２，３）のとき、電極指膜厚Ｈは０．０５μｍ≦Ｈ≦０．２０μｍに設定する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３と、その両側に配置した一対の反射器１４と、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７と、反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８とを有し、ＳＡＷの波長λと電極指間溝の深さＧとが０．０１λ≦Ｇを満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと電極指間溝の深さＧとが所定の関係式を満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと反射器のライン占有率ηrとがη＜ηrの関係にある。 （もっと読む）

【課題】極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性を動作温度範囲に関して最適に調整する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、ＩＤＴライン占有率ηと電極指間溝深さＧとが波長λに関して所定の関係を満足することにより、動作温度範囲で極大値と極小値との間に変曲点を有する三次曲線の周波数温度特性を有し、かつ変曲点をＩＤＴライン占有率ηによって動作温度範囲内で所望の温度又は温度域に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲に極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、製造ばらつきにより個体間に生じ得る周波数温度特性のばらつき及び劣化を抑制する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λであり、電極指膜厚ＨとＩＤＴライン占有率ηとが所定の関係を満足することにより、周波数温度特性が常に動作温度範囲内で極大値と極小値との間に変曲点を有し、かつＩＤＴライン占有率ηの製造ばらつきによる変曲点温度の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】位相の可変範囲がより広い移相器を提供する。
【解決手段】移相器は、第１ポートに入力された信号の位相を、第３ポートおよび第４ポ
ートに接続されたリアクタンスに応じて変化させて、信号を第２ポートから出力する結合
器と、第１容量の一端が第３ポートに接続され、第１容量の他端が第１可変容量ダイオー
ドの一端に接続され、第２容量の一端が第４ポートに接続され、第２容量の他端が第２可
変容量ダイオードの一端に接続され、第１可変容量ダイオードの他端および第２可変容量
ダイオードの他端が共通電位線に接続された制御部と、第１容量の他端および共通電位線
の間で直列接続された第３容量および第１インダクターと、第２容量の他端および共通電
位線の間で直列接続された第４容量および第２インダクターとを有する。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイスは、パッケージ１２の底面に設けた接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の基端５０側とを接合させて、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載したものである。このとき、ＳＡＷ素子片４０は、接着剤２８が接合されている基端５０側に比べて先端５２を上方に傾けて、パッケージ１２に搭載されている。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止でき、またＳＡＷ素子片４０に応力が加わるのを防ぐことができるので、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えることができ、周波数精度の高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ，θ，ψ）で、φを−６０°〜＋６０°の範囲で変化させた際の二次温度係数が良好となる範囲のθ，ψとした水晶基板３０の主面に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励振する複数の電極指１８の基端部をバスバー１６で接続した櫛歯状電極１４ａ，１４ｂからなるＩＤＴ１２及び前記ＩＤＴを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝３２を有する。また、前記電極指間溝の深さをＧ、波長をλとした場合に、０．０２λ≦Ｇ≦０．０４λとしたことを、前記ＩＤＴの電極指の幅と電極指間の幅の割合であるライン占有率ηを０．４９≦η≦０．７０とする。 （もっと読む）