【課題】所望の特性を有し、しかもパッケージサイズが十分に小型化したＳＡＷ発振器と、このような小型化を可能にするインダクタ部品と、を提供する。
【解決手段】基板２上に渦巻状のスパイラル配線５を有してなる薄膜コイルインダクタ部品１である。スパイラル配線５が、基板２の中心から偏って配置され、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。また、この薄膜コイルインダクタ部品１と、これをマウントした半導体チップ２３と、薄膜コイルインダクタ部品１の非配置領域９に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子２５と、を備えてなる発振器２０。 （もっと読む）

【課題】 透明ベースの外部端子側から切断可能である電気回路素子の接続電極の配線の一部を形成した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス（１００）は、励振電極が形成された圧電振動片（２１）と圧電振動片を囲む外枠部（２２）とを有する水晶フレーム（２０）と、圧電振動片を発振させる電気回路素子（ＩＣ）と、一方の面に形成され電気回路素子と接続される接続電極と、一方の面とは反対面に形成された外部端子とを有し外枠部の一方の面に接合する透明ベース（３０）と、外枠部の他方の面に接合するリッド（１０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】実装が容易であり、且つ、極めて小さな表面積を占める、例えばオシレータ型の共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、可動素子（３）と固定素子（４）とを備えるナノメータサイズ又はマイクロメータサイズの電気機械共振器（１）を備える。検出手段は、共振器（１）の励振入力（Ｅ）に接続されるフィードバックループに、固定素子（４）に対する可動素子（３）の動きを表す検出信号を供給する。共振器（１）は、検出手段及びフィードバックループと同じ基板上に形成される。フィードバックループは、多くとも、基準電圧（ＧＮＤ）と励振入力（Ｅ）との間に直列に接続される第１トランジスタ（６）及び第２トランジスタ（７）を備える。容量性負荷（５）は、励振入力（Ｅ）と基準電圧（ＧＮＤ）との間に接続される。検出信号は、第１トランジスタ（６）の導電率を制御する。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、寄生容量および寄生インダクタンスが大きく異なることによる発生する、周波数特性の歪み、スプリアス周波数などの異常発振を抑制することを目的とする。
【解決手段】高周波側のＳＡＷ素子６を第１幅員の第１電極指と、第１電極指から第１間隙をおいて配置された第２幅員の第２電極指と、第２電極指から第２間隙をおいて配置された第３幅員の第３電極指と、第１電極指と第３電極指との隣にそれぞれ配置された第３間隙の半分のスペースとを備えた単位区間を複数区間繰返して構成され、第１電極指と第３電極指とを同相とし、第２電極指と第１電極指および第３電極指とを逆相とし、第１幅員と第３幅員とを同値とし、第１間隙と第２間隙とを同値とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するためのＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、
【数３５】


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが
【数３６】


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】劣化が少なく目的とする周波数のクロックパルスを出力することのできる発振器を提供すること。
【解決手段】発振器１は、固定電極２１２と空隙を隔てて配置された可動電極２１４とを有する振動子２１を用いた発振器であって、基準電圧を供給する基準電圧供給回路３と、
クロックパルスの入力によって作動する昇圧回路４１を備え、基準電圧を所定の大きさの電圧に変換して出力する電圧調整回路４とを有し、前記振動子２１は、電圧調整回路４から出力された前記所定の大きさの電圧が固定電極２１２と可動電極２１４との間に印加されるように構成されており、昇圧回路４１に入力される前記クロックパルスは、振動子２１を発信源として得られたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動子の構造寸法のばらつきに起因する共振周波数の変動を抑制することのできる共振回路及びその製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の共振回路３０は、基板と、該基板上に形成された固定電極１２、及び、該固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極１３を有するＭＥＭＳレゾネータ１０と、該ＭＥＭＳレゾネータにバイアス電圧を印加する電圧印加手段２０と、を具備し、前記電圧印加手段は、前記可動部と同じ層で構成され該層の厚みで抵抗値が変化する補償用抵抗Ｒ１１と、該補償用抵抗に接続され前記可動部と異なる層で構成される基準抵抗Ｒ１２とを備え、前記補償用抵抗と前記基準抵抗の接続点電位を前記ＭＥＭＳレゾネータの第１の端子と第２の端子のうちの少なくとも一方の端子１０ｂに出力する分圧回路を有する。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、電極指片２１ａ〜２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、前記複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、ラム波の波長をλとすると、水晶基板の厚さｔが、０＜ｔ／λ≦３であり、電極指片の交差領域の電極指片の線幅比η＿ＩＤＴ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ＩＤＴ／λ、ギャップ部の電極指片の線幅比η＿ｇ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ｇ／λ、とすると、η＿ＩＤＴ＝η＿ｇ＝０のときの周波数Ｆを基準とした場合の前記交差領域での周波数変化ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆと、前記ギャップ部での周波数変化ΔＦ＿ｇ／Ｆと、の関係が、ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆ＜ΔＦ＿ｇ／Ｆ、を満たす。 （もっと読む）

【課題】実装基板に対するパッケージの所定位置からのずれを防止または抑制し、信頼性の高い圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電振動片２を収容したパッケージ３と、実装基板４と、パッケージ３と実装基板４との間に隙間を形成するスペーサ５１〜５４と、電子部品６とを有している。スペーサ５１〜５４のうちのスペーサ５１、５２は、金属ろう７によりパッケージ３に固定され、スペーサ５３、５４は、熱硬化性接着剤８によりパッケージ３に固定される。熱硬化性接着剤８によるスペーサ５３、５４とパッケージ３の固定は、金属ろう７によるスペーサ５１、５２とパッケージ３の固定に先立って行われる。 （もっと読む）

【課題】スペーサの構成を簡単なものとするとともに、パッケージを実装基板に実装した後においても、パッケージの支持高さ（すなわち、スペーサの高さ）を調節することができることにより小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電体素子２を収容したパッケージ３と、スペーサ５１〜５３を介してパッケージ３を支持する実装基板４と、スペーサ５１〜５３により形成されたパッケージ３および実装基板４間の隙間に位置するように実装基板４に設けられ、圧電体素子２を駆動するための電子部品６とを有している。スペーサ５１は、アーチ状に湾曲させた金属ワイヤで構成されている。 （もっと読む）