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国際特許分類[H03B5/30]の内容

国際特許分類[H03B5/30]の下位に属する分類

圧電気振動子であるもの (2,069)
磁わい振動子であるもの (1)
周波数決定素子がブリッジ回路を経て,信号が伝送される閉リングに結合されているもの

国際特許分類[H03B5/30]に分類される特許

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【課題】小型で且つ広い温度範囲に亘って安定した周波数信号が得られる発振器及びこの発振器用の弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】共通の圧電基板1上に第1の共振子2及び第2の共振子3を配置すると共に、第2の共振子3から出力される信号を温度補償用の信号として用いるために、これら第1の共振子2及び第2の共振子3の夫々の共振周波数f1、f2を互いに異なる値に設定する。具体的には、第1の共振子2におけるIDT電極12の周期長λ1と、第2の共振子3におけるIDT電極12の周期長λ2とを互いに異なる値に設定すると共に、これらIDT電極12の膜厚t1、t2を互いに異なる寸法に設定する。 (もっと読む)


【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置された第1電極20と、第1電極20との間に空隙を有した状態で配置され、第1電極20との間の静電力によって基板10の厚み方向に振動可能となる梁部32、および梁部32を支持する支持部34を有する第2電極と、を含み、第2電極30は、梁部32を複数有する。 (もっと読む)


【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、シリコン基板10と、シリコン基板10の上方に配置された窒化シリコン層30と、窒化シリコン層30の上方に配置された第1電極40と、第1電極40との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部54、および窒化シリコン層30の上方に配置され、梁部54を支持する支持部56を有する第2電極50と、を含み、第1電極40および第2電極50の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 (もっと読む)


【課題】CMOS回路の横に配置されたMEMS振動子の温度を上記CMOS回路内で容易に検出する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置(1)は、MEMS振動子(11)と、CMOS回路(12)とを含む。上記CMOS回路は、温度検出のための温度センサ(16)と、上記CMOS回路で消費する電流を検出可能な電流センサ(19)と、上記電流センサでの検出結果に基づいて上記CMOS回路の温度上昇分を求め、それに基づいて、上記温度センサで得られた温度情報を補正する温度情報補正回路(17)と、上記温度情報補正回路で補正された温度情報に基づいて、上記クロック信号の周波数を補正するための回路(15)とを含む。CMOS回路の横にMEMS振動子が配置されることで、MEMS振動子とCMOS回路との間に温度差を生じている場合でも、上記温度情報補正回路での補正によって、MEMS振動子の温度情報を容易に得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ディスク状の振動板がワイングラスモードで振動するように構成された輪郭振動型のディスク振動子において、当該ディスク振動子の小型化を図ること。
【解決手段】平面で見た時に第1の電極21、21を結ぶと共に振動板10の中心を通る直線をLとすると、この直線とのなす角度θが45°となる位置において振動板10に貫通孔11を形成し、即ち振動板10の振動の節となる位置(振動板10の振動を阻害しない位置)に貫通孔11を形成し、この貫通孔11の内壁面とベース基板1(導電膜5)との間を接続するように支持部30を設ける。 (もっと読む)


【課題】Q値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するIDTが設けられた弾性表面波共振子において、IDTは、中央部に配置された第1領域と、第1領域の両側に配置された第2領域および第3領域とを備え、第1領域では周波数が一定であり、第2領域および第3領域ではIDTの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第1領域における周波数をFa、第2領域における端部の周波数をFbM、第3領域における端部の周波数をFcN、としたとき、0.9815<FbM/Fa<0.9953、かつ、0.9815<FcN/Fa<0.9953、である。 (もっと読む)


【課題】インダクタンス素子に起因して発生する起動時の異常発振を効率的に抑えることが可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路1は、共振子(SAW共振子10)と、増幅回路20と、スイッチング素子(NMOSスイッチ30)と、を含む。増幅回路20は、共振子の一端から他端への帰還経路、当該帰還経路に設けられている第1のインダクタンス素子(伸長コイル200)、当該帰還経路に設けられ、第1のインダクタンス素子と直列に設けられている可変容量素子(可変容量ダイオード202)、を有している。スイッチング素子は、第1のインダクタンス素子と可変容量素子とを含む回路部に対して並列に設けられている。 (もっと読む)


【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ICチップ40とSAW共振子10とがパッケージ29内に気密に収容されたSAW発振器1であって、SAW共振子10は、圧電基板11及び圧電基板11の表面に形成されたIDT電極12を有し、ICチップ40は、SAW共振子10を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面43側に突部46が形成され、突部46の上面46aにSAW共振子10が接着剤97を介して固定され、突部46は、ICチップ40の一方の主面43側に形成された第1の絶縁膜42と、第1の絶縁膜42上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル60と、第1の絶縁膜42上に形成され、伸張コイル60を覆う第2の絶縁膜50と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】装置を大型化、高コスト化することなく、共振周波数の変動を低減したMEMS共振器を提供する。
【解決手段】静電力が印加されると機械的に振動する梁状の振動子101と、前記振動子101を振動可能に支持する支持部と、空隙103を介して前記振動子101と対向する面を有する少なくとも1つの電極102とを有し、前記振動子101の振動により発生する電流を前記振動子101又は前記少なくとも1つの電極102に接続された出力端子を介して出力するMEMS共振器200であって、前記振動子は前記梁の長手軸を中心としたねじり共振モードで振動を行い、前記振動子101および前記電極102の互いに対向する面は、互いに異なる導電型の半導体からなり、前記振動子101において、前記電極102に対向する面を含む表面部分111は、他の部分より高い密度で不純物がドープされている。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置100は、基板10と、基板10の上方に配置された機能素子20と、機能素子20が収容された空洞部1を画成する被覆構造体30と、を含み、被覆構造体30は、空洞部1に連通する第1貫通孔52および第1貫通孔52よりも大きい第2貫通孔54を有し、かつ空洞部1の上方に配置される第1被覆層50と、第1被覆層50の上方に配置され、第1貫通孔52および第2貫通孔54を塞ぐ第2被覆層58と、を有する。 (もっと読む)


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