【課題】小型で且つ広い温度範囲に亘って安定した周波数信号が得られる発振器及びこの発振器用の弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】共通の圧電基板１上に第１の共振子２及び第２の共振子３を配置すると共に、第２の共振子３から出力される信号を温度補償用の信号として用いるために、これら第１の共振子２及び第２の共振子３の夫々の共振周波数ｆ１、ｆ２を互いに異なる値に設定する。具体的には、第１の共振子２におけるＩＤＴ電極１２の周期長λ１と、第２の共振子３におけるＩＤＴ電極１２の周期長λ２とを互いに異なる値に設定すると共に、これらＩＤＴ電極１２の膜厚ｔ１、ｔ２を互いに異なる寸法に設定する。 （もっと読む）

【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、第１電極２０との間の静電力によって基板１０の厚み方向に振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極と、を含み、第２電極３０は、梁部３２を複数有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ回路の横に配置されたＭＥＭＳ振動子の温度を上記ＣＭＯＳ回路内で容易に検出する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置（１）は、ＭＥＭＳ振動子（１１）と、ＣＭＯＳ回路（１２）とを含む。上記ＣＭＯＳ回路は、温度検出のための温度センサ（１６）と、上記ＣＭＯＳ回路で消費する電流を検出可能な電流センサ（１９）と、上記電流センサでの検出結果に基づいて上記ＣＭＯＳ回路の温度上昇分を求め、それに基づいて、上記温度センサで得られた温度情報を補正する温度情報補正回路（１７）と、上記温度情報補正回路で補正された温度情報に基づいて、上記クロック信号の周波数を補正するための回路（１５）とを含む。ＣＭＯＳ回路の横にＭＥＭＳ振動子が配置されることで、ＭＥＭＳ振動子とＣＭＯＳ回路との間に温度差を生じている場合でも、上記温度情報補正回路での補正によって、ＭＥＭＳ振動子の温度情報を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ディスク状の振動板がワイングラスモードで振動するように構成された輪郭振動型のディスク振動子において、当該ディスク振動子の小型化を図ること。
【解決手段】平面で見た時に第１の電極２１、２１を結ぶと共に振動板１０の中心を通る直線をＬとすると、この直線とのなす角度θが４５°となる位置において振動板１０に貫通孔１１を形成し、即ち振動板１０の振動の節となる位置（振動板１０の振動を阻害しない位置）に貫通孔１１を形成し、この貫通孔１１の内壁面とベース基板１（導電膜５）との間を接続するように支持部３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス素子に起因して発生する起動時の異常発振を効率的に抑えることが可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（ＳＡＷ共振子１０）と、増幅回路２０と、スイッチング素子（ＮＭＯＳスイッチ３０）と、を含む。増幅回路２０は、共振子の一端から他端への帰還経路、当該帰還経路に設けられている第１のインダクタンス素子（伸長コイル２００）、当該帰還経路に設けられ、第１のインダクタンス素子と直列に設けられている可変容量素子（可変容量ダイオード２０２）、を有している。スイッチング素子は、第１のインダクタンス素子と可変容量素子とを含む回路部に対して並列に設けられている。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化、高コスト化することなく、共振周波数の変動を低減したＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】静電力が印加されると機械的に振動する梁状の振動子１０１と、前記振動子１０１を振動可能に支持する支持部と、空隙１０３を介して前記振動子１０１と対向する面を有する少なくとも１つの電極１０２とを有し、前記振動子１０１の振動により発生する電流を前記振動子１０１又は前記少なくとも１つの電極１０２に接続された出力端子を介して出力するＭＥＭＳ共振器２００であって、前記振動子は前記梁の長手軸を中心としたねじり共振モードで振動を行い、前記振動子１０１および前記電極１０２の互いに対向する面は、互いに異なる導電型の半導体からなり、前記振動子１０１において、前記電極１０２に対向する面を含む表面部分１１１は、他の部分より高い密度で不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された機能素子２０と、機能素子２０が収容された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１に連通する第１貫通孔５２および第１貫通孔５２よりも大きい第２貫通孔５４を有し、かつ空洞部１の上方に配置される第１被覆層５０と、第１被覆層５０の上方に配置され、第１貫通孔５２および第２貫通孔５４を塞ぐ第２被覆層５８と、を有する。 （もっと読む）