【課題】貫通電極と接続される電極との間の電気抵抗値の増大を防止しつつ、良好な導通性能を確保できる電子部品の端子接続構造、この電子部品の端子接続構造を有する基板を備えたパッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する
【解決手段】ベース基板２（基板）を貫通する貫通電極３２と、貫通電極３２に電気的に接続される外部電極３８と、を有する電子部品の端子接続構造において、貫通電極３２の外側端面３２ａ（端面）に、この外側端面３２ａを覆う導電性酸化物の被覆膜７０（膜）を形成し、貫通電極３２と外部電極３８とを、導電性酸化物の被覆膜７０を介して電気的に接続したことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】剛性低下を抑制しながら小型化を図ることができると共に、出力信号の品質の低下を防ぐこと。
【解決手段】互いに平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、一対の振動腕部の長さ方向における基端部１０ａ，１１ａ側を一体的に固定する基部１２と、を備え、一対の振動腕部の主面には、振動腕部の基端部側に位置する第一の溝部１８と、第一の溝部に対して振動腕部の先端部側に位置する第二の溝部１９と、が形成され、第一の溝部は、振動腕部の主面上において、振動腕部の長さ方向に直交する幅方向に沿う幅が第二の溝部よりも狭く形成され、第二の溝部には、該第二の溝部の底面から突出する補強リブ２０が形成されている圧電振動片１を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造効率の向上を図った上で、両基板を高精度に位置合わせでき、パッケージ内の真空度を確保できるパッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板用ウエハ４０において、パッケージ形成領域の外側の非形成領域Ｎ２にバンプスペーサ４２を形成するバンプ形成工程と、バンプスペーサ４２を介してベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせた状態で、各ウエハ４０，５０を加熱する予備加熱工程と、導電性を有する接合材２３を介して両ウエハ４０，５０を陽極接合する接合工程と、を有し、接合工程では、両ウエハ４０，５０を加圧してバンプスペーサ４２を押し潰した状態で陽極接合を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合部材を介した電極端子と電子素子との短絡を回避可能な振動デバイス、及びこの振動デバイスを備えた電子機器の提供。
【解決手段】水晶振動子１は、水晶振動片１０と、サーミスター２０と、第１主面３３に水晶振動片１０が搭載された第１凹部３４が設けられ、第１主面３３の反対側の第２主面３５にサーミスター２０が収納された第２凹部３６が設けられたパッケージベース３１と、を備え、パッケージベース３１の第２主面３５には、水晶振動片１０またはサーミスター２０と接続された電極端子３７ａ〜３７ｄが設けられ、第２主面３５における電極端子３７ａ〜３７ｄと第２凹部３６との間には、電極端子３７ａ〜３７ｄと外部部材とを接合する図示しない接合部材の第２凹部３６への侵入を規制する規制部５０が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子素子の電極と外部部材の接合部材との接触を回避可能、且つ、電子素子の固定強度の低下を抑制可能な振動デバイスの提供。
【解決手段】水晶振動子１は、水晶振動片１０と、両端に電極２１，２２を有するサーミスター２０と、第１主面３３側に水晶振動片１０が搭載され、第２主面３５に設けられた第２凹部３６にサーミスター２０が収納されたパッケージベース３１と、を備え、パッケージベース３１の第２主面３５側の４隅のそれぞれには、水晶振動片１０またはサーミスター２０と接続された電極端子３７ａ〜３７ｄが設けられ、サーミスター２０は、長手方向がパッケージベース３１の長手方向と交差するように配置され、パッケージベース３１の短手方向に沿って設けられている互いに隣り合う電極端子３７ａ（３７ｃ）と電極端子３７ｂ(３７ｄ)との間の距離Ｌ１は、サーミスター２０の電極２１，２２同士を結ぶ方向の長さＬ２よりも長い。 （もっと読む）

【課題】従来回路で必要とされてきた直流カット用の固定容量素子を削除し、また可変容量素子も小さくできるようにして、半導体集積回路の面積を削減できるようにする。
【解決手段】トランジスＱ１のコレクタ・ベース間に帰還抵抗Ｒ１と水晶振動子Ｘを並列接続し、トランジスＱ１のコレクタとＶｃｃの電源端子間に電流源Ｉ１を接続し、トランジスタＱ１のベースと接地間に可変容量素Ｃ１を接続し、トランジスタＱ１のコレクタと接地間に可変容量素子Ｃ２を接続し、トランジスタＱ１のエミッタにトランジスタＱ２のエミッタを接続し、トランジスタＱ１，Ｑ２の共通エミッタと接地間に電流源Ｉ２を接続し、トランジスタＱ１のベースに制御電圧Ｖｓを印加するようにした。 （もっと読む）

【課題】絶縁基体を形成する絶縁層の外周部において、絶縁層の層間に形成された内部導体と、絶縁基体下面の外周に形成された端子電極との電気的な絶縁性が高い電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】絶縁層115が積層されてなる絶縁基体101の側面に切り欠き部103が設けられており、切り欠き部103の表面の中央部分に側面導体106が形成されているとともに、絶縁基体101の下面の外周部に端子電極109が形成された電子部品収納用パッケージであって、絶縁層115の層間に側面導体106の内周に沿って内部導体108が形成されており、内部導体108は、平面透視で端子電極109に近い側の端部が絶縁基体101の側面から離間するように形成されている電子部品収納用パッケージである。端部が離間するように形成されているため、絶縁基体101の側面における内部導体108と端子電極109との電気絶縁性の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】異常発振を抑圧する発振器を提供する。
【解決手段】発振信号を起動および増幅する増幅部１２０と、所望の発振周波数を決定する共振部１３０と、を備えた発振回路１１０と、発振回路１１０の出力端子に緩衝回路１６０が接続された発振器１００であって、増幅部１２０は入出力用の２端子を有する低域濾波器１４０と、３段の増幅回路とを有し、増幅部１２０の１段目増幅器１２１と２段目増幅器１２２とが不平衡型増幅器で、３段目増幅器１２３がオペアンプであり、２段目増幅器１２２の出力端子が、低域濾波器１４０の入力端子と３段目増幅器（オペアンプ）１２３の反転入力端子に接続され、低域濾波器１４０の出力端子が、３段目増幅器（オペアンプ）１２３の非反転入力端子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】振動片のＱ値の低下の抑制、及びＱ値の低下が抑制された振動片を備えた振動子、発振器、電子機器の提供。
【解決手段】水晶振動片１は、基部１０と、振動腕１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、振動腕１１ａ，１１ｂ，１１ｃに設けられた励振電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃと、を備え、励振電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃが、振動腕１１ａ，１１ｂ，１１ｃの主面１０ａ側に設けられた第１電極１２ａ１，１２ｂ１，１２ｃ１と、第１電極１２ａ１，１２ｂ１，１２ｃ１に対向して設けられた第２電極１２ａ２，１２ｂ２，１２ｃ２と、第１電極１２ａ１，１２ｂ１，１２ｃ１と第２電極１２ａ２，１２ｂ２，１２ｃ２との間に延在する圧電体１３と、を有し、第１電極１２ａ１，１２ｂ１，１２ｃ１及び第２電極１２ａ２，１２ｂ２，１２ｃ２の少なくとも一方に、ＩＴＯを用いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高温高湿の環境下でも安定して動作し、更に温度補償精度を向上させることができる温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】 第１のパッケージ内に水晶片が封入された水晶振動子２と、発振部４２と、温度センサ部４４と、温度補償部４５とを備えたＩＣチップ３５が第２のパッケージ（パッケージ３０）内に樹脂封入された樹脂封止ＩＣ３とが、第３のパッケージ（パッケージ１）の同一のキャビティ内に近接して搭載され、リッド４によって気密に封止され、ＩＣチップ３５が第２のパッケージに設けられた外部端子の内側の導通面に密着して接続され、更に第２のパッケージの当該外部端子の外側の導通面がパッケージ１の裏面に設けられた外部端子に接続された温度補償型水晶発振器としている。 （もっと読む）