【課題】 ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、温度変動に伴う利得変化を抑制することができる高周波増幅回路を得る。
【解決手段】 高周波信号を減衰させる可変減衰器と、半導体のバンドギャップに基づき温度比例電流及び温度固定電流を出力するバンドギャップリファレンス電流源回路と、前記温度比例電流及び前記温度固定電流を入力とし、温度に対して所定の傾きで変化する電圧を出力する可変減衰器制御電圧生成回路とを備え、前記可変減衰器制御電圧生成回路の出力電圧で前記可変減衰器の減衰量を制御する。 （もっと読む）

【課題】フィードバック制御を行っても、出力電力の低下を抑制できる電力増幅回路を実現する。
【解決手段】電力増幅回路を備える高周波モジュール１０は、高周波電力増幅素子２０、整合回路３０、および駆動電源回路４０を備える。高周波電力増幅素子２０は、高周波増幅回路２１０、方向性結合器２３０を備える。方向性結合器２３０の主線路２３１の第１端は、高周波増幅回路２１０の後段増幅回路２１２の出力端子に接続されている。主線路２３１の第２端は、出力整合回路２４０を介して、高周波電力増幅素子２０の高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔに接続されている。後段増幅回路２１２の出力端子は、高周波電力増幅素子２０
子２０の第２駆動電源印加端子Ｐ_Ｖ２にも接続されている。高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔと高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔとは、接続導体５０で接続されている。 （もっと読む）

【課題】ディジタル・プリディストーション方式に関し、低次から高次まで高精度の歪補償を効果的に行うことが可能な技術を提案する。
【解決手段】
ダウンコンバータ６が、電力増幅部４からの信号の一部を分岐させた帰還信号をダウンコンバートし、Ａ／Ｄ変換部７が、ダウンコンバータ６からの信号を入力信号のサンプリングレートより低いサンプリングレートでアナログからディジタルの信号に変換し、レート変換部８が、Ａ／Ｄ変換部７からの信号のサンプリングレートを入力信号のサンプリングレートに変換し、低次歪算出部１１が、レート変換部８からの信号に含まれる低次歪を算出し、高次歪生成部１２が、低次歪算出部１１により算出された低次歪から推定される高次歪をレート変換部８からの信号に付加し、歪補償制御部９が、高次歪生成部１２からの信号と入力信号とを比較して、歪補償係数テーブル１０を更新する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の利得の温度依存性を抑制し、温度補償回路を有するバイアス回路を備えた電力増幅回路を提供する。
【解決手段】ドレインが高電位に接続され、ソースが接地された増幅用トランジスタを備え、ソースが接地され増幅用トランジスタＧＴｒのゲートにゲートが接続されたカレントミラートランジスタＣＭＴｒによって増幅用トランジスタのバイアス電流を制御する電力増幅回路であって、アノードが制御電源端子に接続された第１のダイオードＤ１と、アノードが第１のダイオードＤ１のカソードに結合され、カソードがカレントミラートランジスタＣＭＴｒのドレインに接続された第２のダイオードＤ２と、一方の端子が第２のダイオードＤ２のカソードに接続され他方の端子が接地された第１の抵抗素子Ｒ１と、第２のダイオードＤ２と並列接続された第２の抵抗素子Ｒ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器で発生する歪を補償する収束時間を短時間にする。
【解決手段】高周波電力増幅器の各次数の振幅の奇対称歪補償信号の係数と各次数の位相の奇対称歪補償信号の係数とを独立に生成する前置歪補償回路において、入力信号の振幅の１サンプル前との差分をとり、入力信号の１サンプル前との差分をとり、入力信号の振幅の遅延との差分と入力信号の遅延との差分とから、偶対称の振幅の歪補償信号と偶対称の位相の歪補償信号とそれぞれ独立にかつ奇対称歪補償信号と独立に生成する偶対称歪補償信号生成回路と、生成した偶対称歪補償信号を入力信号に重畳する偶対称歪補償信号重畳回路とを有し、奇対称歪と偶対称歪とを独立に前置歪補償する。 （もっと読む）

【課題】低負荷の素子を駆動可能にすることで出力インピーダンスを低く抑えることが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】入力信号を増幅するｎ段構成の増幅回路と、ｎ段目の前記増幅回路と（ｎ＋１）段目の前記増幅回路との間に設けられる（ｎ−１）個のインピーダンス変換器と、を備え、前記（ｎ−１）個のインピーダンス変換器は、前記増幅回路間の電力反射を抑制できるインピーダンス変換を行うことを特徴とする、増幅回路が提供される。かかる構成により、増幅回路は、低負荷の素子を駆動可能にすることで出力インピーダンスを低く抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エネルギ効率の優れた歪の少ない高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅装置３は、高周波の入力信号を増幅する電力増幅器ＰＡと、電力増幅器ＰＡと電力増幅器ＰＡに電源電圧を供給する電源部との間に設けられ、電源部からの電源電圧を制御する制御回路３１とを含む。制御回路３１は、電力増幅器ＰＡへの入力信号ｉｎから得られる信号を電力増幅器ＰＡに応じて定まる歪特性に基づいて補正することにより制御信号を生成し、生成した制御信号により電源電圧を制御することにより供給電源電圧Ｖｄｄ１を生成し、生成した供給電源電圧Ｖｄｄ１を電力増幅器ＰＡに供給する。 （もっと読む）

【課題】広帯域かつ高効率化の両立が図れる高周波電力増幅装置及びそれを搭載した通信機能を有する電子器機器を提供すること。
【解決手段】増幅器の後段に該増幅器の出力インピーダンスを、該インピーダンスより高いインピーダンスに変換するインピーダンス変換回路（固定の整合回路）と、該インピーダンス変換回路のインピーダンスの信号を受け、負荷インピーダンスを制御し、負荷との整合をとる可変インピーダンス回路（可変の整合回路）を備えた高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を搭載した通信機能を有する電子機器。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスの変動による高周波電力増幅トランジスタの特性変動をデジタル制御によって補償する際に、補償動作の精度を向上すること。
【解決手段】増幅部２１の増幅素子２１２の増幅ゲインは、バイアス制御部２２のバイアス電流により制御される。キャリブレーション回路１０のプロセスモニタ回路１００は、第１と第２の素子特性検出部１０１、１０２と電圧比較器１０３を含む。検出部１０１、１０２はレプリカ素子１０１５、１０２５の電流を第１と第２の検出電圧Ｖ_ＯＵＴ１、Ｖ_ＯＵＴ２に変換する。電圧比較器１０３は第１と第２の検出電圧を比較して、比較出力信号はサーチ制御部１０４に供給される。制御部１０４は、比較器１０３の比較出力信号とクロック生成部１０５のクロック信号に応答して、所定のサーチアルゴリズムに従ってマルチビットのデジタル補償値を生成して第２検出部１０２とバイアス制御部２２がフィードバック制御される。 （もっと読む）