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国際特許分類[H03F3/19]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | 高周波増幅器,例.無線周波増幅器 (626) | 半導体装置のみをもつもの (431)

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【課題】NFを増大させること無く、CMOS LNA回路の非動作時に、CMOS LNA回路に電流を流さないような構成とすることが可能な、増幅回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に、受信された無線信号を入力する信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された入力トランジスタと、信号入力端子と入力トランジスタのゲート電極との間に設けられる第1スイッチと、電源端子と入力トランジスタのドレイン電極との間に設けられる第2スイッチと、を備え、入力トランジスタのゲート電極には所定のバイアス電圧が印加され、無線信号の受信時には、第1スイッチと第2スイッチとを同時にオンにして、無線信号の送信時には、所定のバイアス電圧を入力トランジスタのゲート電極に印加したまま、第1スイッチと第2スイッチとを同時にオフにすることを特徴とする、増幅回路が提供される。 (もっと読む)


【課題】線形性の改善されたノイズ指数および低ノイズ増幅器を提供する。
【解決手段】受信信号強度インジケータ201の出力に基づく可変ネガティブフィードバック203を含む増幅器M1が開示されている。フィードバックは、高受信信号レベルについて増加され、低受信信号レベルについて減少されるとしてもよい。実施形態において、可変フィードバック203は、複数の離散的なインピーダンス設定を含むとしてもよい。振幅および/または時間ヒステリシスは、組み込まれていてもよい。 (もっと読む)


【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる2つのPN接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第1の電流を生成し、前記2つのPN接合のうちの接合部の面積の小さいPN接合の順方向電圧に基づいて前記第1の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第2の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第1の電流と前記第2の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 (もっと読む)


【課題】 入力される高周波信号のレベルが小さい時はNF特性を十分に向上すると共に、高周波信号のレベルが大きい時は歪特性を十分に向上する。
【解決手段】 TR1のコレクタに接続されているコイルL2(負荷手段)とVccとの間に接続された抵抗R9と、該抵抗R9に並列接続された制御電圧Vgcに応じてオン/オフするTR3と抵抗R8との直列回路とからなるバイアスコントロール部11を備えている。入力信号のレベルが小さい時は、制御電圧VgcによりTR2,TR3がオフすることにより、TR1のバイアスが浅くなってNF特性が向上され、入力信号のレベルが大きい時は、制御電圧VgcによりTR2,TR3がオンすることにより、TR1のバイアスが深くなって歪特性が向上される。 (もっと読む)


【課題】ビアホールの数を少なくしてもループ発振などの特性劣化が生じにくい半導体電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体電力増幅器は、ゲート電極Gと、ドレイン電極Dと、前記ゲートフィンガー電極に対向して配置されるソースフィンガー電極横手方向の両サイドに引き出される2つのソース電極Sと、を有するユニットFETと、前記ユニットFETが、前記ソース電極間を結ぶ略直線方向に複数個並列配置され、隣り合うユニットFET間に存在する2つのソース電極の両方を共通して高周波グランド面と接続する第1の接地インダクタンス値を有する第1のビアホール18Kと、隣り合うユニットFETが存在しない側のソース電極上に配置され、接地インダクタンスを等しくするために前記高周波グランド面に接続する第2の接地インダクタンス値を有する第2のビアホール18Dと、を有する。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが1つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】熱抵抗が下がり高周波増幅器全体の放熱性能が向上する高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器10は、複数のトランジスタセル1a−1gで構成され、平面上に配置されている複数のトランジスタセル1a−1gのうち隣接している2つの各トランジスタセルにおけるx軸方向の各中心はy軸方向にずれている。 (もっと読む)


【課題】入力の整合回路における損失の低減、並びに、回路の簡略化及び小型化が可能な電力分配合成器を提供する。
【解決手段】入力信号が入力される1次巻線としての環状の第1金属配線、及び、2次巻線としての複数の第2金属配線を有し、入力インピーダンスの整合をとるとともに、入力信号を複数の分配信号に分配する入力側トランスフォーマ120と、出力信号が出力される2次巻線としての環状の第3金属配線、及び、1次巻線としての複数の第4金属配線を有し、複数の分配信号を合成することで出力信号を出力するとともに、出力インピーダンスの整合をとる出力側トランスフォーマ130とを備え、入力側トランスフォーマ120が有する金属配線と出力側トランスフォーマ130が有する金属配線とは、互いに異なる金属配線層を用いて構成され、かつ、平面視した場合に交差している。 (もっと読む)


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